一种真空炉体及其使用的辅助阳极制造技术

本实用新型专利技术提供了一种真空炉体及其使用的辅助阳极，真空炉体包括炉体、辅助阳极和阴极，所述阴极设置在所述炉体内部；所述辅助阳极为一筒形结构，筒形结构包括上环形支架和下环形支架，所述上环形支架和下环形支架之间固定设置多个条形结构或者多个弧形板结构，多个条结构交错呈格栅形状，多个弧形板结构中的至少一个的整个表面上均匀分布多个孔；所述筒形结构与所述阴极的有效溅射区域的高度差在10cm以内，所述筒形结构设置在所述炉体的内部，与所述阴极相对；所述炉体的底部设置有多个绝缘垫；所述炉体内还设置有阳极接线柱。本实用新型专利技术的真空炉体及其使用的辅助阳极，溅射时的离化效果好，膜层均匀致密，且阴极放电工作更稳定。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种真空炉体及其使用的辅助阳极。
技术介绍
在真空炉体内进行镀膜磁控溅射的过程中，如果不加辅助阳极，等离子体中的电子在电磁场的共同作用下到达就近接地的镀膜室内表面，在运动过程中碰到中性粒子会进一步电离，但通常运行路径短，电离效果不显著。当增设辅助阳后，辅助阳极的电位为正电位，比镀膜室电势高，等离子体中的部分电子将向电势更高的阳极集结。在集结过程中路径被延长，并获得了更多的能量。在电子向阳极运动过程中，电子会与途中的中性粒子发生碰撞，导致镀膜过程离化率升高，辅助阳极电位比镀膜室内表面及工件转架都高，所以形成的电场强度更大，正离子的入射能量更大，轰击靶面离子动能也相应的增大。与普通阴极溅射相比较，沉积速率会得到提升，镀膜形成的膜层与基片的附着力也会得到改善。在化合物反应溅射过程，沉积一定时间后工件和溅射靶面都有一定厚度的绝缘膜，在接地的真空室壁上也会沉积，致使电子无法进入阳极，即“阳极消失”造成阴极放电不稳定。通过增设辅助阳极也能有效的解决这个方面的问题。如图1a～1b所示，目前在真空炉体上设置的辅助阳极200一般呈圆饼形，通过阳极支撑板安装在炉体的内部侧壁上。电连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空炉体，包括炉体、辅助阳极和阴极，所述阴极设置在所述炉体内部；其特征在于：所述辅助阳极为一筒形结构，筒形结构包括上环形支架和下环形支架，所述上环形支架和下环形支架之间固定设置多个条形结构或者多个弧形板结构，多个条结构交错呈格栅形状，多个弧形板结构中的至少一个的整个表面上均匀分布多个孔；所述筒形结构与所述阴极的有效溅射区域的高度差在10cm以内，所述筒形结构设置在所述炉体的内部，与所述阴极相对；所述炉体的底部设置有多个绝缘垫，所述筒形结构支撑在所述多个绝缘垫上；所述炉体内还设置有阳极接线柱，所述筒形结构通过所述阳极接线柱连接外部电源的正极。

【技术特征摘要】
1.一种真空炉体，包括炉体、辅助阳极和阴极，所述阴极设置在所述炉体内部；其特征在于：所述辅助阳极为一筒形结构，筒形结构包括上环形支架和下环形支架，所述上环形支架和下环形支架之间固定设置多个条形结构或者多个弧形板结构，多个条结构交错呈格栅形状，多个弧形板结构中的至少一个的整个表面上均匀分布多个孔；所述筒形结构与所述阴极的有效溅射区域的高度差在10cm以内，所述筒形结构设置在所述炉体的内部，与所述阴极相对；所述炉体的底部设置有多个绝缘垫，所述筒形结构支撑在所述多个绝缘垫上；所述炉体内还设置有阳极接线柱，所述筒形结构通过所述阳极接线柱连接外部电源的正极。2.根据权利要求1所述的真空炉体，其特征在于：所述筒形结构为圆筒形结构。3.根据权利要求1所述的真空炉体，其特征在于：所述多个弧形板结构连贯形成一个整体。4.根据权利要求1所述的真空炉体，其特征在于：所述绝缘垫包括上盖板，防护罩和绝缘基座；所述防护罩套设在所述绝缘基座上，所述上盖板套设在所述绝缘基座上，位于所述防护罩的上方；所述上盖板上设置有供所述筒形结构嵌入的卡槽结构。5.根据权利要求1所述的真空炉体，其特征在于：所述阳极接线柱包括导电螺杆、导线接线柱和绝缘结构件；所述导线接线柱的一端用于连接所述外部电源，所述导线接线柱的另一端与所述导电螺杆的第一端连接在一起，所述导电螺杆穿过...

【专利技术属性】
技术研发人员：张远华，
申请(专利权)人：森科五金深圳有限公司，张远华，
类型：新型
国别省市：广东;44