一种基于Al材的PVD镀膜方法技术

技术编号:43388643 阅读:27 留言:0更新日期:2024-11-19 18:02
本发明专利技术公开了一种基于Al材的PVD镀膜方法,属于PVD镀膜领域。包括步骤:S1:基底Al材进行清洗;S2:对镀膜室进行加热及抽真空;S3:通入氩气,使气压达到预定值,设置偏压,进行阳极清洗;S4:设置偏压,开启中频镀膜电源,同时开启Al、Ti靶材,沉积AlTi层;S5:通入C<subgt;2</subgt;H<subgt;2</subgt;气体,并同时保持Al、Ti靶开启,沉积AlTiC层;S6:关闭C<subgt;2</subgt;H<subgt;2</subgt;气体,关闭中频Al靶电源,保持Ti靶开启,沉积纯Ti层;S7:打开C<subgt;2</subgt;H<subgt;2</subgt;气体,同时开启Al、Si、Ti靶,沉积TiAlSiC层,结束镀膜。与现有技术相比,本申请通过对打底层、过渡层、面层的元素的选择,实现各层之间的硬度过渡和电位过渡,既能够保证膜层具有优异的耐腐蚀性能;又能够合理的实现硬度梯度过度,有效提升膜层表面的抗加载性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于pvd镀膜,特别涉及一种基于al材的pvd镀膜方法。


技术介绍

1、铝合金材料因其低密度、低价格及优异的力学性能备受关注。各3c厂商为了减轻手机、手表、耳机等电子产品的重量,已逐渐趋向于对铝合金的选择。但是,由于铝合金表面自带一层疏松氧化膜,在进行pvd镀膜时,会导致pvd膜层与基材之间的结合力存在缺陷;另外,由于铝合金基材本身较软,pvd的高能量轰击会导致其表面产生二次缺陷。所以,铝合金表面直接进行pvd镀膜会表现出较差的耐蚀、耐磨等性能。


技术实现思路

1、为解决上述问题,本专利技术的目的在于提供一种基于al材的pvd镀膜方法,所镀膜层具有耐腐蚀和耐磨性能,从而扩大铝合金的应用场景。

2、为实现上述目的,本专利技术的技术方案如下:

3、本专利技术提供一种基于al材的pvd镀膜方法,包括步骤:

4、s1:将基底al材进行清洗;

5、s2:将清洗后的基底al材放入镀膜室中,对镀膜室进行加热及抽真空;

6、s3:当镀膜室的本地真空度达到0本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于Al材的PVD镀膜方法,其特征在于,包括步骤:

2.如权利要求1所述的一种基于Al材的PVD镀膜方法,其特征在于,步骤S2中,镀膜室的温度为80-100℃。

3.如权利要求1所述的一种基于Al材的PVD镀膜方法,其特征在于,步骤S3中,气压的预定值为0.1Pa,偏压为-120V,清洗时间为900s。

4.如权利要求1所述的一种基于Al材的PVD镀膜方法,其特征在于,步骤S4中,气压的预定值为0.3Pa,偏压设置为-80V,膜层的沉积厚度为200-300nm,沉积时间为800-1200s,膜层中Ti的含量占比为60%,Al的含量占比为40%。...

【技术特征摘要】

1.一种基于al材的pvd镀膜方法,其特征在于,包括步骤:

2.如权利要求1所述的一种基于al材的pvd镀膜方法,其特征在于,步骤s2中,镀膜室的温度为80-100℃。

3.如权利要求1所述的一种基于al材的pvd镀膜方法,其特征在于,步骤s3中,气压的预定值为0.1pa,偏压为-120v,清洗时间为900s。

4.如权利要求1所述的一种基于al材的pvd镀膜方法,其特征在于,步骤s4中,气压的预定值为0.3pa,偏压设置为-80v,膜层的沉积厚度为200-300nm,沉积时间为800-1200s,膜层中ti的含量占比为60%,al的含量占比为40%。

5.如权利要求1所述的一种基于al材的pvd镀膜方法,其特征在于,步骤s4-s7中,中频镀膜电源的电流均为8a,频率是40khz,电压500-800v。

6.如权利要求1所述的一种基于al材的pvd镀膜方法,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:汪达文李振
申请(专利权)人:森科五金深圳有限公司
类型:发明
国别省市:

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