一种可编程重构的全固态等离子体倒装S‑PIN天线制造技术

本发明专利技术公开了一种可编程重构的全固态等离子体倒装S‑PIN天线，包括硅基S‑PIN层、陶瓷介质基板、穿孔电极、控制电路板、控制电路、控制芯片；硅基S‑PIN层包括若干个由S‑PIN重掺杂P+区、S‑PIN重掺杂N+区、S‑PIN本征层I区组成的S‑PIN固态等离子体单元和绝缘隔离层；S‑PIN重掺杂P+区、S‑PIN重掺杂N+区均运用低温共烧陶瓷技术通过穿孔电极穿过陶瓷介质基板与控制电路连接，控制电路将控制芯片连接起来。本发明专利技术采用倒装S‑PIN与低温共烧陶瓷技术相结合的方式，将S‑PIN单元的电极设计在陶瓷介质基板内部，控制电路设计在天线背板，可有效减小电极和控制电路对天线性能的影响，提高天线性能的稳定性和可靠性。同时运用S‑PIN单元构造天线主体，可构造天线形式多样，工作波段不受限制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种可编程重构的全固态等离子体倒装S-PIN天线，具体涉及一种采用硅基半导体S-PIN(Surface-PIN)工艺技术和低温共烧陶瓷(LTCC)技术的可编程重构的全固态等离子体倒装S-PIN天线，属于等离子体天线

技术介绍
天线系统作为影响雷达系统和通讯系统性能的核心部件之一，其性能的优良对系统功能有着举足轻重的影响，此基础上，人们希望能用尽可能少的天线满足所有无线系统的要求，然而这些无线电系统的工作频率通常分布在很宽的频带内，工作体制也各不相同，对天线的参数，如工作频率、方向图、极化方式等，有着不同甚至是截然相反的要求，因此在不同的工作环境以及不同的系统条件下，实现天线各种参数的可重构，给现代无线通讯系统提供了一个全新的发展思路。另外，由于天线系统的雷达散射截面(Radar Cross Section，RCS)较大，也极易成为敌方雷达察觉及攻击的突出对象。因此提高天线系统的综合性能指标(包括隐身性能)具有重要的意义。等离子体天线由于其所具备的结构简单、重量轻、隐身效果好等特点，使其成为天线领域最具潜力的研究方向之一。等离子体天线与传统的金属天线相比，具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可编程重构的全固态等离子体倒装S‑PIN天线，其特征在于，包括从上到下依次设置的硅基S‑PIN层、陶瓷介质基板和控制电路板；所述硅基S‑PIN层由若干个S‑PIN固态等离子体单元以及将每个S‑PIN固态等离子体单元隔离开来的绝缘隔离层组成，所述S‑PIN固态等离子体单元包括S‑PIN重掺杂P+区、S‑PIN重掺杂N+区和S‑PIN本征层I区，S‑PIN重掺杂P+区、S‑PIN重掺杂N+区和S‑PIN本征层I区构成长方体结构，且S‑PIN重掺杂P+区、S‑PIN重掺杂N+区位于硅基S‑PIN层的下表面与陶瓷介质基板相接触；陶瓷介质基板内部设有穿孔电极；控制电路板上设置有控制芯片及将控制芯片连...

【技术特征摘要】
1.一种可编程重构的全固态等离子体倒装S-PIN天线，其特征在于，包括从上到下依次设置的硅基S-PIN层、陶瓷介质基板和控制电路板；所述硅基S-PIN层由若干个S-PIN固态等离子体单元以及将每个S-PIN固态等离子体单元隔离开来的绝缘隔离层组成，所述S-PIN固态等离子体单元包括S-PIN重掺杂P+区、S-PIN重掺杂N+区和S-PIN本征层I区，S-PIN重掺杂P+区、S-PIN重掺杂N+区和S-PIN本征层I区构成长方体结构，且S-PIN重掺杂P+区、S-PIN重掺杂N+区位于硅基S-PIN层的下表面与陶瓷介质基板相接触；陶瓷介质基板内部设有穿孔电极；控制电路板上设置有控制芯片及将控制芯片连接起来的控制电路；S-PIN重掺杂P+区、S-PIN重掺杂N+区分别通过穿孔电极与控制电路相连接。2.根据权利要求1所述可编程重构的全固态等离子体倒装S-PIN天线，其特征在于，该天线在硅基S-PIN层的上方还设有一层厚度可调节的衬底。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘少斌，周永刚，钱燊，陈鑫，薛锋，刘季煊，俞劭杰，胡玥虹，史向柱，秦江弘，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32