无源可调谐集成电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种无源可调谐集成电路(PTIC)。所述无源可调谐集成电路(PTIC)包括：半导体管芯，所述管芯具有多个钛酸锶钡可调谐电容器，所述多个钛酸锶钡可调谐电容器共同界定所述管芯的电容性区域；至少一个电触点，所述至少一个电触点与所述多个钛酸锶钡可调谐电容器电耦接；以及重新分布层，所述重新分布层将所述至少一个电触点与至少一个导电接触垫电耦接。根据本公开的实施例，可以提供改进的无源可调谐集成电路。

【技术实现步骤摘要】

本文件的各方面整体涉及具有可变电容器的集成电路(IC)。更具体的实施涉及钛酸锶钡(BaSrTiO3)(BST)可变电容器。
技术介绍
可变电容器允许通过电子或机械手段改变电容。可变电容器可用于阻抗匹配，设置电路中的谐振频率，等等。一些可变电容器包括金属-绝缘体-金属(MIM)架构。一些现有MIM电容器包括钛酸锶钡(BST)层。利用BST层的可变电容器通过施加电压来改变电容。
技术实现思路
根据本公开的一个方面，提供了一种无源可调谐集成电路，包括：半导体管芯，所述管芯具有多个钛酸锶钡可调谐电容器，所述多个钛酸锶钡可调谐电容器共同界定所述管芯的电容性区域；至少一个电触点，所述至少一个电触点与所述多个钛酸锶钡可调谐电容器电耦接；以及重新分布层，所述重新分布层将所述至少一个电触点与至少一个导电接触垫电耦接。在一个实施例中，所述至少一个接触垫按以下一种方式定位：至少部分地位于所述电容性区域上方；基本上位于所述电容性区域上方；以及完全地位于所述电容性区域上方。在一个实施例中，所述无源可调谐集成电路还包括与所述至少一个接触垫电耦接并且基本上位于所述电容性区域上方的凸块。在一个实施例中，所述管芯不是使用引线框来封装的。在一个实施例中，所述无源可调谐集成电路不包括不按以下一种方式定位的有源凸块：至少部分地位于所述电容性区域上方；基本上位于所述电容性区域上方；以及完全地位于所述电容性区域上方。根据本公开的另一方面，提供了一种无源可调谐集成电路，包括：半导体管芯，所述管芯具有多个钛酸锶钡可调谐电容器，所述多个钛酸锶钡可调谐电容器共同界定所述管芯的电容性区域；以及至少一个凸块，所述至少一个凸块与所述多个钛酸锶钡可调谐电容器电耦接并且基本上位于所述电容性区域上方。在一个实施例中，所述至少一个凸块通过重新分布层与所述多个钛酸锶钡可调谐电容器电耦接。在一个实施例中，所述无源可调谐集成电路不包括不按以下方式之一定位的有源凸块：至少部分地位于所述电容性区域上方；以及至少基本上位于所述电容性区域上方。在一个实施例中，所述管芯不是使用引线框来封装。根据本公开的再一方面，提供了一种无源可调谐集成电路，包括：半导体管芯，所述管芯具有钛酸锶钡可调谐电容器；上覆层，所述上覆层耦接在所述钛酸锶钡可调谐电容器上方；以及重新分布层，所述重新分布层将所述钛酸锶钡可调谐电容器的至少一个电触点与至少一个导电接触垫电耦接；其中所述上覆层包括多个贯通的孔，所述多个孔布置成网状图案，每个孔从所述上覆层的顶表面穿过所述上覆层而延伸到所述上覆层的底表面；并且其中所述多个孔适于通过所述网状图案来减小所述上覆层的应力。无源可调谐集成电路(PTIC)的实施可包括：具有多个钛酸锶钡(BST)可调谐电容器的半导体管芯(管芯)，该多个BST可调谐电容器共同界定管芯的电容性区域；至少一个与该多个BST可调谐电容器电耦接的电触点；以及将该至少一个电触点与至少一个导电接触垫(接触垫)电耦接的重新分布层。PTIC的实施可包括下列各项中的一项、全部或任一项：该至少一个接触垫可至少部分地位于电容性区域上方。该至少一个接触垫可基本上位于电容性区域上方。该至少一个接触垫可完全地位于电容性区域上方。一个凸块可与该至少一个接触垫电耦接并且可基本上位于电容性区域上方。电绝缘层可耦接在PTIC的每个接触垫与该多个BST可调谐电容器之间。管芯可不使用引线框来封装。PTIC可包括至少部分地位于电容性区域上方的有源凸块。PTIC可包括基本上位于电容性区域上方的有源凸块。PTIC可包括完全地位于电容性区域上方的有源凸块。PTIC的实施可包括：具有多个钛酸锶钡(BST)可调谐电容器的半导体管芯(管芯)，该多个BST可调谐电容器共同界定管芯的电容性区域；以及至少一个与该多个BST可调谐电容器电耦接并且基本上位于电容性区域上方的凸块。PTIC的实施可包括下列各项中的一项、全部或任一项：该至少一个凸块可通过重新分布层(RDL)与该多个BTS可调谐电容器电耦接。该至少一个凸块可通过电绝缘层与该多个BTS可调谐电容器物理耦接。PTIC可包括至少部分地位于电容性区域上方的有源凸块。PTIC可包括至少基本上位于电容性区域上方的有源凸块。管芯可不使用引线框来封装。PTIC的实施可包括：具有钛酸锶钡(BST)可调谐电容器的半导体管芯(管芯)其；耦接在BST可调谐电容器上方的上覆层；以及将BST可调谐电容器的至少一个电触点与至少一个导电接触垫(接触垫)电耦接的重新分布层。上覆层可包括穿过其的多个孔，该多个孔可布置成网状图案，并且每个孔可从上覆层的顶表面穿过该上覆层而延伸到上覆层的底表面。该多个孔可被适配以通过网状图案来减小上覆层的应力。PTIC的实施可包括下列各项中的一项、全部或任一项：BST可调谐电容器可界定管芯的电容性区域，该至少一个接触垫可与凸块电耦接，并且该凸块可至少部分地位于电容性区域上方。PTIC的每个有源凸块可基本上位于电容性区域上方。PTIC的每个有源凸块可完全地位于电容性区域上方。根据本公开的实施例，可以提供改进的无源可调谐集成电路。对于本领域的普通技术人员而言，通过具体实施方式和附图以及通过权利要求，上述以及其他方面、特征和优点将显而易见。附图说明下文将结合附图描述各实施方式，其中类似的标号表示类似的元件，并且：图1是无源可调谐集成电路(PTIC)的实施的顶部穿透视图；图2是图1的PTIC的顶部部分穿透部分剖面视图；图3是PTIC的另一个实施的顶部穿透视图；图4是由附图标号4表示的图3的PTIC的一部分的近距离视图；图5是图3的PTIC的顶视图；图6是PTIC的另一个实施的顶视图；以及图7是图6的PTIC的一部分的侧面剖视图。具体实施方式本公开、其各方面以及实施不限于本文所公开的具体部件、组装工序或方法元素。显然，本领域已知的符合预期无源可调谐集成电路(PTIC)及相关方法的许多额外部件、组装工序和/或方法元素将与本公开的特定实施一起使用。因此，例如，尽管本技术公开了特定实施，但此类实施和实施部件可包括符合预期操作和方法的针对此类PTIC的本领域已知的任何形状、尺寸、样式、类型、型号、版本、量度、浓度、材料、数量、方法元素、步骤等和相关方法，以及实施部件和方法。现在参见图1，在实施中，无源可调谐集成电路(PTIC)2包括半导体管芯8，该半导体管芯8包括多个可变电容器10。在实施中，可变电容器10包括以下一者或多者：数字可调谐电容器(DTC)12、金属-绝缘体-金属(MIM)电容器14、钛酸锶钡(BST)可调谐电容器16等等。在各种实施中，金属还包括一般导电材料。在附图所示的实施中，可变电容器是具有钛酸锶钡(BST)电介质的BST可调谐电容器16(该BST可调谐电容器16也是MIM电容器14和DTC 12)。BST可调谐电容器16可包括各种钛酸锶钡化合物，诸如(作为非限制性示例)：(Ba,Sr)TiO3、BaSrTiO3、Ba0.5Sr0.5TiO3、Ba0.25Sr0.75TiO3等等，并且可形成在蓝宝石或其他结晶和/或陶瓷基板材料上。在实施中，通过改变跨BST可调谐电容器施加的电压来改变PTIC 2的电容。作为非限制性示例，除了其他用途外，PTIC 2的可变电容还可用于阻抗匹配。例如，具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无源可调谐集成电路，其特征在于，包括：半导体管芯，所述管芯具有多个钛酸锶钡可调谐电容器，所述多个钛酸锶钡可调谐电容器共同界定所述管芯的电容性区域；至少一个电触点，所述至少一个电触点与所述多个钛酸锶钡可调谐电容器电耦接；以及重新分布层，所述重新分布层将所述至少一个电触点与至少一个导电接触垫电耦接。

【技术特征摘要】
2015.06.17 US 14/742,3011.一种无源可调谐集成电路，其特征在于，包括：半导体管芯，所述管芯具有多个钛酸锶钡可调谐电容器，所述多个钛酸锶钡可调谐电容器共同界定所述管芯的电容性区域；至少一个电触点，所述至少一个电触点与所述多个钛酸锶钡可调谐电容器电耦接；以及重新分布层，所述重新分布层将所述至少一个电触点与至少一个导电接触垫电耦接。2.根据权利要求1所述的无源可调谐集成电路，其特征在于，其中所述至少一个接触垫按以下一种方式定位：至少部分地位于所述电容性区域上方；基本上位于所述电容性区域上方；以及完全地位于所述电容性区域上方。3.根据权利要求1所述的无源可调谐集成电路，其特征在于，还包括与所述至少一个接触垫电耦接并且基本上位于所述电容性区域上方的凸块。4.根据权利要求1所述的无源可调谐集成电路，其特征在于，其中所述管芯不是使用引线框来封装的。5.根据权利要求1所述的无源可调谐集成电路，其特征在于，其中所述无源可调谐集成电路不包括不按以下方式之一定位的有源凸块：至少部分地位于所述电容性区域上方；基本上位于所述电容性区域上方；以及完全地位于所述电容性区域上方。6.一种无源可调谐集成电路，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·维埃莱，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国;US