红外探测器中微桥结构的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种红外探测器中微桥结构的制备方法，通过将桥面电阻区域和支撑区域的敏感材料层和电极层图形进行拆分，分别形成桥面电阻区域和支撑区域的较大尺寸图形和较小尺寸图形，在形成桥面电阻区域的较大尺寸图形时无需使用高精度光刻设备还可以避免大尺寸图形的不均匀性，从而形成高均匀一致性的电极图形，在形成支撑区域的较小尺寸图形时经光刻和刻蚀工艺同时刻蚀敏感材料层和电极层图形，实现了支撑区域较小尺寸图形的零套准误差。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种红外探测器中微桥结构的制备方法。
技术介绍
微电子机械系统(MEMS)技术具有微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等诸多优点，故其已开始广泛应用在包括红外探测
的诸多领域。探测器是红外探测
中应用非常广泛的一种MEMS产品，它利用敏感材料探测层(通常为非晶硅或氧化机)吸收红外线且将其转化成电信号，据此来实现热成像功能。探测器工艺中，像元使用微桥结构形成电连接及谐振腔；如图1a和1b所示，图1a为常规工艺形成的微桥结构的俯视示意图，图1b为图1a中沿AA’截面的结构示意图，微桥结构具有桥面电阻区域M和在桥面电阻区域M两侧的支撑区域N，支撑区域N用于对微桥结构进行支撑；微桥结构位于硅衬底的牺牲材料00’上，其具有下释放保护层01’、红外敏感材料层02’、金属电极层03’和上释放保护层04’，红外敏感材料层02’、金属电极层03’为关键的层次；在微桥结构中，这两个层次的不同区域的图形化要求不同。在桥面电阻区域M，要求图形尺寸较大且均匀性一致性较高；在微桥结构的支撑区域N，要求图形尺寸小且这两个层次之间的对准以及后续图形化层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种红外探测器中微桥结构的制备方法，微桥结构包括桥面电阻区域和位于所述桥面电阻区域两侧的支撑区域，且微桥结构从下往上依次具有下释放保护层、红外敏感材料层、电极层和上释放保护层，其特征在于，包括：步骤01：提供一表面具有牺牲材料的硅衬底，在硅衬底的牺牲材料上依次沉积下释放保护层、红外敏感材料层和电极层；并且，对所述微桥结构的版图图形进行拆分，拆分为位于所述桥面电阻区域的用于图案化电极层的第一图形版图、位于所述支撑区域的用于图案化电极层和红外敏感材料层部分的第二图形版图和用于图案化下释放保护层和上释放保护层部分的第三图形版图；步骤02：采用所述第一图形版图经光刻和刻蚀工艺来图案化位于所述桥面电阻区...

【技术特征摘要】
1.一种红外探测器中微桥结构的制备方法，微桥结构包括桥面电阻区域和位于所述桥面电阻区域两侧的支撑区域，且微桥结构从下往上依次具有下释放保护层、红外敏感材料层、电极层和上释放保护层，其特征在于，包括：步骤01：提供一表面具有牺牲材料的硅衬底，在硅衬底的牺牲材料上依次沉积下释放保护层、红外敏感材料层和电极层；并且，对所述微桥结构的版图图形进行拆分，拆分为位于所述桥面电阻区域的用于图案化电极层的第一图形版图、位于所述支撑区域的用于图案化电极层和红外敏感材料层部分的第二图形版图和用于图案化下释放保护层和上释放保护层部分的第三图形版图；步骤02：采用所述第一图形版图经光刻和刻蚀工艺来图案化位于所述桥面电阻区域的电极层部分，在所述桥面电阻区域的电极层部分中形成第一图形；步骤03：采用所述第二图形版图经光刻和刻蚀工艺来图案化位于所述支撑区域的电极层和红外敏感材料层部分，在所述支撑区域的电极层和红外敏感材料层部分中形成第二图形；步骤04：在完成所述步骤03的硅衬底上沉积上释放保护层；步骤05：采用所述第三图形版图经光刻和刻蚀工艺来图案化位于所述支撑区域的上释放保护层和下释放保护层部分，在所述支撑区域的上释放保护层和下释放保护层部分中形成第三图形。2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：康晓旭，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31