超细高氮氮化钽粉末及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种超细高氮氮化钽粉末及其制备方法。该氮化钽粉末的氮含量为６．８～７．４０％，杂质总含量＜０．００９０％，余量为钽，费氏粒度Ｆｓｓｓ＜１ｕｍ。其制备方法１为将氧含量≤０．４％的低氧钽粉装入普通真空反应器，抽真空至压力≤０．１Ｐａ后升温到４００～７５０℃，恒温后充入氮气再升温到７００～１２００℃，并在氮气压力为０．０２～０．１６Ｍｐａ下恒温；其制备方法２为将氧含量＞０．４％的高氧钽粉与为钽粉重量２～１０％的镁粉混合装入普通真空反应器，抽真空至压力≤０．１Ｐａ后升温到４００～５５０℃，恒温后充入高纯氩气升温到７００～８００℃，恒温后抽除氩气充入氮气，再升温到９５０～１２００℃，并在氮气压力为０．０２～０．１６Ｍｐａ下恒温，二种制备方法的反应产物在冷却到室温后破碎、过筛，酸洗除杂，水洗烘干。

【技术实现步骤摘要】
超细高氮氮化钽粉末及其制备方法
本专利技术涉及氮化钽粉末及其制备，特别是超细高氮氮化钽粉末及其制备方法。
技术介绍
氮化钽膜具有一系列优良的电学性能，如良好的热稳定性，较低的温度系数，因而在半导体、集成电路中有着重要应用。氮化钽薄膜还是一种良好的扩散阻碍膜，在铜和硅半导体连接处，为了防止铜原子向硅基体中扩散，用氮化钽膜作为扩散阻碍材料有着广泛的应用。同时，氮化钽薄膜硬度高、化学稳定性好、耐腐蚀性强、耐热和耐冲性能强，使其在工业上有很广阔的应用前景，现已成功地用于制作传真机上的高速热打印头和一些防腐耐磨材料。为了使氮化钽膜在半导体、集成电路等
中的应用进一步扩展，例如将它和高比容钽粉混合，生产具有更高的内聚孔隙度、更好的热力学稳定性的高比容、低等效串联电阻的固体电容器等，就要求氮化钽粉末必须含氮量高，且其费氏粒度Fsss必须小于1um，用这种超细高氮氮化钽粉末制得的氮化钽薄膜才能满足其技术要求。Akhil Jain(Kenneth Brezinsky.Journal of American CeramicSociety，2003，86(2)：222～226)等人研究了在沸腾床中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超细高氮氮化钽粉末，其特征在于按重量百分比计的氮含量为６．８～７．４０％，杂质总含量＜０．００９０％，余量为钽，粉末的费氏粒度Ｆｓｓｓ＜１ｕｍ。

【技术特征摘要】
1.一种超细高氮氮化钽粉末，其特征在于按重量百分比计的氮含量为6.8～7.40％，杂质总含量＜0.0090％，余量为钽，粉末的费氏粒度Fsss＜1um。2、一种权利要求1所述的超细高氮氮化钽粉末的制备方法，包括将按重量百分比计的氧含量≤0.4％，费氏粒度Fsss＜1um的低氧钽粉装入普通真空反应容器中，抽真空至压力≤0.1Pa后，升温到400～750℃，恒温1小时后充入高纯氮气，再升温到700～1200℃，并保持氮气压力为0.02～0.16Mpa，恒温3～5小时，然后冷却到室温后将反应产物破碎、过筛，经酸洗去除杂质，再水洗至溶液PH值...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘泽强，王时光，杨声海，何坤池，
申请(专利权)人：株洲硬质合金集团有限公司，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]