一种高取向透明双羟基复合金属氧化物薄膜的制备方法技术

技术编号:1427441 阅读:160 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种高取向透明双羟基复合金属氧化物薄膜的制备方法,属于双羟基复合金属氧化物技术领域。采用成核/晶化隔离法制备粒径分布均匀的片状结构的LDHs纳米粒子,利用该LDHs纳米粒子的片状结构,通过溶剂蒸发法直接蒸发溶剂形成连续、高取向的透明LDHs薄膜。通过调控主体层板金属元素及层间客体阴离子的种类和组成,可以制备多功能的LDHs薄膜。本发明专利技术的优点在于:所制备的高取向透明LDHs薄膜克服了LDHs粉体材料在实际应用中的局限性,使其在光电催化、分离和传感器等方面的应用成为可能;并且设备要求简单、易于操作。

【技术实现步骤摘要】
一种高取向透明双羟基复合金属氧化物薄膜的制备方法所属领域本专利技术属于双羟基复合金属氧化物
,具体涉及一种高取向透明双羟基复合金属氧化物薄膜的制备方法。
技术介绍
层状双羟基复合金属氧化物又称为水滑石(Layered Double Hydroxides,简写为LDHs)是一种阴离子型层状材料。LDHs主体层板化学组成、层间阴离子种类和数量等均有可调控性,因而具有多种物理化学性质,在催化、分离、传感器、光化学、电化学等方面具有广泛的应用前景。目前,国内外对LDHs的研究和应用一般均局限于LDHs粉体材料,然而LDHs粉体材料存在着易流失、回收困难等缺点,将LDHs制成高取向透明薄膜则可以克服上述缺点,同时可以减少光的反射和散射损失,使其在光电催化、分离和传感器等方面的应用成为可能。目前文献报道的制备LDHs薄膜的方法有以下两种:Langmuir-Blodgett法(LB法)和层板剥离组装法。文献[J.X.He,K.Kobayashi,M.Takahashi,G.Villemure,A.Yamagishi,Thin SolidFilms,2001,397,255]采用LB法,将单层阴离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高取向透明双羟基复合金属氧化物薄膜的制备方法,其特征在于:工艺步骤为:a.水滑石纳米粒子的制备:直接采用成核/晶化隔离法,通过全返混旋转液膜反应器制备纳米尺寸片状结构的无机阴离子插层水滑石,其中混合金属盐的浓度为0.4~2.1M,层板二价、三价金属阳离子摩尔比M↑[2+]/M↑[3+]为2~4∶1;或采用离子交换法,将有机阴离子或配合物阴离子与上述无机阴离子插层水滑石进行离子交换,生成层间为有机阴离子或配合物阴离子插层的水滑石纳米粒子。b.高取向透明水滑石薄膜的制备:采用溶剂蒸发法制备高取向透明水滑石薄膜,将水滑石纳米粒子均匀分散于去CO↓[2]的水中,配制得到浓度为0~0.4g/mL的悬...

【技术特征摘要】
1.一种高取向透明双羟基复合金属氧化物薄膜的制备方法,其特征在于:工艺步骤为:a.水滑石纳米粒子的制备:直接采用成核/晶化隔离法,通过全返混旋转液膜反应器制备纳米尺寸片状结构的无机阴离子插层水滑石,其中混合金属盐的浓度为0.4~2.1M,层板二价、三价金属阳离子摩尔比M2+/M3+为2~4∶1;或采用离子交换法,将有机阴离子或配合物阴离子与上述无机阴离子插层水滑石进行离子交换,生成层间为有机阴离子或配合物阴离子插层的水滑石纳米粒子。b.高取向透明水滑石薄膜的制备:采用溶剂蒸发法制备高取向透明水滑石薄膜,将水滑石纳米粒子均匀分散于去CO2的水中,配制得到浓度为0~0.4g/mL的悬浮液,在20~80℃下直接蒸发溶剂,得到高取向透明水滑石薄膜。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:水滑石薄膜主体层板二价金属阳离子M...

【专利技术属性】
技术研发人员:王连英刘淼段雪李仓
申请(专利权)人:北京化工大学
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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