一种单位格点几何信息提取方法技术

本发明专利技术提供一种单位格点几何信息提取方式，其通过提取密度参数、周长参数及权重线宽参数，以及采用提取平均分布几何中心，以有效表征单位格点内图形的分布中心，从而能够有效反映出单位格点内不同图形分布的平均影响距离，将影响格点平均分布中心与目标格点平均分布中心的距离取代影响格点中心与目标格点中心间的距离作为影响距离引入到影响权重计算中，有效地反映出了影响格点对目标格点的影响权重。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，尤其一种单位格点几何信息提取方法。
技术介绍
在对集成电路设计版图进行分析或可制造性检测之前，通常需要将版图按照一定大小切割成若干格点，然后，对单位格点内的图形进行几何信息提取。提取的几何信息通常包括图形密度参数(Density)、图形周长参数(Perimeter)和图形权重线宽参数(Weighted Line Width)等等。上述的几何信息被提取后，这些数据将用于版图分析或者版图的可制造性检测。在版图分析或可制造性检测过程中，通常需要考虑目标格点周围环境影响，即目标格点周围一定范围内所包含的其它格点对其产生的影响。例如，在化学机械研磨工艺热点检测中需考虑以目标格点为圆心，以平坦化长度(Planarization Length)为直径范围内所有格点密度(Density)对目标格点密度(Density)所产生的影响，即计算目标格点的有效密度(Effective Density)。请参阅图1，图1所示为使用密度权重函数过滤计算产生有效密度图(PL为平坦化长度)。如图1所示，使用密度权重函数过滤计算产生有效密度的计算公式为: ρ ( x , y ) = d ( x , y ) ⊗ w ( x , y ) ]]>其中，ρ(x，y)为有效密度(Effective Density)d(x，y)为单位格点密度为卷积运算w(x，y)为权重函数(如图2所示)(x，y)表示格点位置。然而，请参阅图3，图3为目标格点与影响格点内图形分布示意图。如图3所示，图中实际格点内包含的图形并不是唯一的，而且分布复杂不一；如果仅仅按照影响格点中心与目标格点中心的距离作为影响距离引入权重，即采用现有的几何信息提取方法所提取的几何信息，不能体现格点内图形的平均分布中心，也并不能真正反映出每个格点内图形对目标格点的平均影响，从而，据此计算得出的有效密度(Effective Density)容易产生偏差。
技术实现思路
为了克服以上问题，本专利技术旨在提供一种单位格点几何信息提取方式，除了提取密度参数、周长参数及权重线宽参数，还包括了一种平均分布几何中心的提取方法，提取的平均分布几何中心能够有效表征单位格点内图形的分布中心，从而能够有效反映出单位格点内不同图形分布的平均影响距离，进而有效反映出其对目标格点的影响权重。为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：本专利技术提供一种单位格点几何信息提取方法，用于对版图进行分析或可制造性检测；包括如下步骤：步骤S1：将版图按照一定大小切割成M1个格点；其中，M1为正整数；步骤S2：提取各个格点内图形的密度参数；步骤S3：提取各个格点内图形的周长参数；步骤S4：提取各个格点内图形的权重线宽参数；步骤S5：提取各个格点内图形的平均分布几何中心；所述步骤S5具体包括如下步骤：步骤S51：将各格点内图形按照面积最大原则切分成M2个矩形和/或三角形；其中，M2为正整数；步骤S52：计算各格点内切分子图形的几何中心；步骤S53：根据各格点内切分子图形的几何中心，计算各格点内图形的平均几何中心以表征单位格点内图形的分布中心；步骤S6：将平坦化长度范围内各影响格点图形平均分布中心与目标格点图形平均分布中心的距离作为各自的影响距离引入到影响权重计算中，并据计算所得权重计算出目标格点的有效图形密度参数、有效图形周长参数及有效权重线宽参数。优选地，所述各格点内切分子图形的几何中心按照如下方式获得：矩形的几何中心为其对角线的交点，三角形的几何中心为其各顶点与其对边中点连线的交点。优选地，所述各格点内图形的平均几何中心，按照如下方式获得：横坐标：X＝∑Xn*An/∑An纵坐标：Y＝∑Yn*An/∑An其中，n的取值为1至M2中的一个值，Xn,Yn为图形n的几何中心坐标，An为图形n的面积。优选地，所述格点内图形的密度参数提取按照如下方式获得：密度参数Den＝∑An/Agrid其中，n的取值为1至M1中的一个值，An为单位格点内线宽为LWn的图形的面积，Agrid为单位格点的面积。优选地，所述格点内图形的周长参数的提取按照如下方式获得：周长参数Per＝∑Pn其中，n的取值为1至M1中的一个值，Pn为单位格点内线宽为LWn的图形的周长。优选地，所述权重线宽参数的提取按照如下方式获得：权重线宽参数LWweighted＝∑LWn*An/∑An其中，n的取值为1至M1中的一个值，An为单位格点内线宽为LWn的图形的面积，Agrid为单位格点的面积。从上述技术方案可以看出，本专利技术提供的单位格点几何信息提取方式，除了提取密度参数、周长参数及权重线宽参数，还包括了一种平均分布几何中心的提取方法，其提取的平均分布几何中心能够有效表征单位格点内图形的分布中心，从而能够有效反映出单位格点内不同图形分布的平均影响距离，将影响格点平均分布中心与目标格点平均分布中心的距离取代影响格点中心与目标格点中心间的距离作为影响距离引入到影响权重计算中，能够有效反映出影响格点对目标格点的影响权重。附图说明图1为使用密度权重函数过滤计算产生有效密度图(PL为平坦化长度)图2为有效密度权重函数(Effective Density Weighting Funciton)示意图图3为现有技术中目标格点与影响格点内图形分布的示意图图4为本专利技术单位格点几何信息提取方法的流程图图5为本专利技术格点内图形切分及切分子图形几何中心示意图具体实施方式体现本专利技术特征与优点的实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本专利技术能够在不同的示例上具有各种的变化，其皆不脱离本专利技术的范围，且其中的说明及图示在本质上当做说明之用，而非用以限制本专利技术。以下结合附图4-5，通过具体实施例对本专利技术的单位格点几何信息提取方法作进一步详细说明。请参阅图4，图4为本专利技术单位格点几何信息提取方法的流程示意图。本专利技术提供方法，用于对版图进行分析或可制造性检测。例如，可以应用于化学机械研磨工艺热点检测中。需要说明的是，本专利技术与现有技术相同的是，格点几何信息提取也需提取格点内图形的密度参数(Density)、周长参数(Perimeter)以及权重线宽参数(Weighted Line Width)；具体地，包括如下步骤：步骤S1：将版图按照一定大小切割成M1格点；这些格点通常为矩形或正方形。为叙述方便起见，在本专利技术实施例中，假设将版图按照一定大小切割成M1个格点。步骤S2：提取各个格点内图形的密度参数。在本专利技术实施例中，格点内图形的密度参数提取按照可以如下方式获得：密度参数Den＝∑An/Agrid其中，n的取值为1至M1中的一个值，An为单位格点内线宽为LWn的图形的面积，Agrid为单位格点的面积。步骤S3：提取各个格点内图形的周长参数。在本专利技术实施例中，格点内图形的周长参数的提取可以按照如下方式获得：周长参数Per＝∑Pn其中，n的取值为1至M1中的一个值，Pn为单位格点内线宽为LWn的图形的周长。步骤S4：提取各个格点内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单位格点几何信息提取方法，用于对版图进行分析或可制造性检测；其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：将版图按照一定大小切割成M1个格点；其中，M1为正整数；步骤S2：提取各个格点内图形的密度参数；步骤S3：提取各个格点内图形的周长参数；步骤S4：提取各个格点内图形的权重线宽参数；步骤S5：提取各个格点内图形的平均分布几何中心；所述步骤S5具体包括如下步骤：步骤S51：将各格点内图形按照面积最大原则切分成M2个矩形和/或三角形；其中，M2为正整数；步骤S52：计算各格点内切分子图形的几何中心；步骤S53：根据各格点内切分子图形的几何中心，计算各格点内图形的平均几何中心以表征单位格点内图形的分布中心；步骤S6：将平坦化长度范围内各影响格点图形平均分布中心与目标格点图形平均分布中心的距离作为各自的影响距离引入到影响权重计算中，并据计算所得权重计算出目标格点的有效图形密度参数、有效图形周长参数及有效权重线宽参数。

【技术特征摘要】
1.一种单位格点几何信息提取方法，用于对版图进行分析或可制造性检测；其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：将版图按照一定大小切割成M1个格点；其中，M1为正整数；步骤S2：提取各个格点内图形的密度参数；步骤S3：提取各个格点内图形的周长参数；步骤S4：提取各个格点内图形的权重线宽参数；步骤S5：提取各个格点内图形的平均分布几何中心；所述步骤S5具体包括如下步骤：步骤S51：将各格点内图形按照面积最大原则切分成M2个矩形和/或三角形；其中，M2为正整数；步骤S52：计算各格点内切分子图形的几何中心；步骤S53：根据各格点内切分子图形的几何中心，计算各格点内图形的平均几何中心以表征单位格点内图形的分布中心；步骤S6：将平坦化长度范围内各影响格点图形平均分布中心与目标格点图形平均分布中心的距离作为各自的影响距离引入到影响权重计算中，并据计算所得权重计算出目标格点的有效图形密度参数、有效图形周长参数及有效权重线宽参数。2.根据权利要求1所述单位格点几何信息提取方法，其特征在于，所述各格点内切分子图形的几何中心按照如下方式获得：矩形的几何中心为其对角线的交点，三角形的几何中心为其各顶点与其对边中点连...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜立维，阚欢，魏芳，朱骏，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31