干法氟化铝生产中的脱硅方法技术

技术编号:1423009 阅读:370 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种干法氟化铝生产中的脱硅方法,其特征是:将制酸炉中制取的混合气体中的氟化氢气体冷凝成氢氟酸液体,分离后再将该氢氟酸液体蒸发成气体后送入流化床。本发明专利技术利用氟化氢(HF)气体与四氟化硅气体冷凝点的不同,氟化氢气体的相变冷凝点为19.5℃,四氟化硅气体的相变冷凝点为-65℃,通过控制一定的冷凝温度,使氟化氢气体变为液体从而达到与四氟化硅气体分离的目的。本发明专利技术原理简单,流程实现容易,易操作控制;同时通过实际运行,使用三级萤石生产的氟化铝产品中硅的含量在质量要求范围内,能够生产出合格产品。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化工
,特别是涉及一种干法氟化铝生产中的脱硅方法。
技术介绍
现有技术中,生产干法氟化铝的主要工艺为:首先采用萤石和硫酸在制酸炉体中制取氟化氢气体,然后再用硫酸洗涤部分粉尘和部分三氧化硫,最后进入多层流化床与氢氧化铝反应生产氟化铝。干法氟化铝产品的主要质量指标之一就是硅的含量,其控制源头就在原材料萤石中二氧化硅的含量。萤石与硫酸在制酸炉体内反应生成的主要产物是氟化氢气体,在与二氧化硅反应后以四氟化硅气体的形式存在,它会随氟化氢气体一同进入多层流化床,参与生成干法氟化铝的反应。如果萤石中二氧化硅含量高,那么产生的四氟化硅气体量就多,进入多层流化床后,就会使成品氟化铝中的硅含量升高。所以干法氟化铝工艺对原材料萤石的质量要求是规定二级品以上,主要是控制萤石中二氧化硅的含量,以确保生产出的干法氟化铝产品中硅含量在要求范围内。但目前存在这样的问题:由于市场上的萤石资源越来越紧张,好品位的萤石资源已经难以采购,低品位的萤石资源二氧化硅含量较高,直接使用三级萤石生产干法氟化铝易造成产品质量不合格。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺陷,提供一种干法氟化铝生产中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干法氟化铝生产中的脱硅方法,其特征是:将制酸炉中制取的混合气体中的氟化氢气体冷凝成氢氟酸液体,分离后再将该氢氟酸液体蒸发成气体后送入流化床。

【技术特征摘要】
1.一种干法氟化铝生产中的脱硅方法,其特征是:将制酸炉中制取的混合气体中的氟化氢气体冷凝成氢氟酸液体,分离后再将该氢氟酸液体蒸发成气体后送入流化床。2.如权利要求1所述的干法氟化...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏学谢永军曹永平刘生礼柴炯陈宁宇兰朝荣周忠淳李修勇孙日明
申请(专利权)人:宁夏金和化工有限公司
类型:发明
国别省市:64[中国|宁夏]

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