直接合成氰化亚金钾的方法技术

控制电位直接合成氰化亚金钾的方法，是将氰化钾、过氧化氢按一定速度逐渐加入到反应容器中，控制反应过程的金电位为－４００～－８００ｍｖ。用本发明专利技术的方法生产ＫＡｕ（ＣＮ）↓［２］的速度快、效率高、质量好、投资少，生产成本低。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
控制电位直接合成氰化亚金钾的方法本专利技术涉及一种制造氰化亚金钾的方法，特别是涉及一种采用电位控制，直接合成氰化亚金钾的方法。氰化亚金钾的生产，国外多使用离子交换膜电解法，其工艺流程为：原料制粒—隔膜电解—蒸发浓缩—冷却结晶—离心分离—烘干。特点为产品质量较高，适于规模生产，电解法的关键在于离子交换膜的性能。膜的制作技术为生产厂家专有，国内尚不掌握。目前国内使用的优质氰化亚金钾仍需进口。国内生产氰化亚金钾多采用化学法，其流程为：王水溶解—赶硝—稀释—氨水沉淀—蒸发赶氨—冷却结晶—离心分离—烘干。其缺点为流程长，成本高，产品质量差，纯度一般仅为98—99％左右。金、氰化钾、过氧化氢直接合成氰化亚金钾的反应式为：该反应的存在为黄金选冶技术人员所熟知，并应用于金矿石的氰化浸出。然迄今为止，只能用来获取KAu(CN)，的稀溶液，不能用于KAu(CN)2产品的实际生产。用金、KCN、H2O2直接合成KAu(CN)，主要存在两个困难：1、过氧化氢不稳定，遇金分解：H2O2浓度越高，金的表面积越大，分解速度越快。例如，将金粉加入1％的H2O2中，即可观察到H2O2的剧烈分解。2、付反应影响产品质量氰化钾，过氧化氢浓度较高时，付反应可生成三价金盐，氰酸盐等杂质，影响产品质量。由于上述原因，迄今为止，该法尚不能用于氰化亚金钾的实际生产。本专利技术的目的，是提供一种采用金、氰化钾、过氧化氢直接合成氰化亚金钾的方法。本专利技术的目的，是采用如下技术方案来实现的，即：控制电位直接合成氰化亚金钾的方法，是将氰化钾、过氧化氢按一定速-->度逐渐加入到反应容器中，控制反应过程中的金电位-400～-800mv。上述金电位控制，可采用在反应容器中装设金电极和饱和甘汞电极的办法。金电极通过导线与一电位仪正输入端连接，饱和甘汞电极通过导线与电位仪负输入端连接。生产KAu(CN)2时，在反应容器中加入金粉Au和纯水H2O，加热到50—80℃，搅拌，电位仪测量显示反应过程中的金电位，加入KCN和H2O2，通过加入KCN和H2O2的速度控制，金电位在-400～-800mv范围，并在停止加KCN和H2O2后继续搅拌使反应完全，所得溶液中KAu(CN)2浓度可高达30％以上。将母液趁热过滤，冷却结晶，离心脱水，洗涤烘干，即得纯度99.9％以上的优质KAu(CN)2成品。上述的金电位控制在-600～-700mv之间为实际生产的最佳范围。在实际生产中使用金粉、金薄片或金细粒。H2O2、KCN使用浓溶液以提高母液浓度；反应在较高温度下进行以提高反应速度和母液浓度。上述KCN可部分用HCN替代。从的氰化亚金钾生成反应式可以看出，在生成氰化亚金钾KAu(CN)2的同时还生成KOH。如果将一半的KCN用HCN替代，则：从上述反应式可以看出用50％KCN和50％HCN，在生成KAu(CN)2时，可避免KOH的生产，即在生成的母液中只有KAu(CN)2，是理想的KAu(CN)2母液。本专利技术与现有技术比较有如下优点：1、可在短时间内得到度高浓度的KAu(CN)2母液，生产速度快，效率高；2、与电解法相比，不需要使用特殊的离子交换膜，设备投资小，生产成本低；3、与化学法相比，试剂消耗少，产品质量高。图1是装有金电极和饱和甘汞电极的反应容器结构示意图。实施例：在装有搅拌器5的反应容器1内加入金粉1000g、纯水2000mL；加热到60℃，搅拌，用饱和甘汞电极2、金电极3、电位仪4测量显示反应过程中的金电位，向反应容器1中再加入30％的H2O2溶液，速度为2—40mL/分，加入40％的KCN溶液，速度为10—200mL/分，金电位偏高时多加-->KCN，偏低时多加H2O2，将金电位控制在-600～-700mv之间，共计加入理论量1.1倍的KCN，并在停止加液后继续搅拌使反应完全。所得母液KAu(CN)2中浓度可高达30％以上。将母液趁热过滤，冷却结晶、离心脱水、洗涤烘干，即得纯度99.9％以上的氰化亚金钾KAu(CN)2。本文档来自技高网...

【技术保护点】
控制电位直接合成氰化亚金钾的方法，可以直接获得高浓度的ＫＡｕ（ＣＮ）↓［２］溶液，其特征在于：氰化钾、过氧化氢按一定速度逐渐加入到反应容器（１）中，控制反应过程中的金电位为－４００～－８００ｍｖ。

【技术特征摘要】
1、控制电位直接合成氰化亚金钾的方法，可以直接获得高浓度的KAu(CN)2溶液，其特征在于：氰化钾、过氧化氢按一定速度逐渐加入到反应容器(1)中，控制反应过程中的金电位为-400～-800mv。2、根据权利要求1所述的控制电位直接合成氰化亚金钾的方法，其特征在于所述的金电位为-600～-700mv。3、根据权利要求1所述的控制电位直接合成氰化亚金钾的方法，其特征在于所使用的KCN的50％以下可用HCN替代。4、根据权利要求1所述的控制电位直接合成氰化亚金钾的方法，其特征是在反...

【专利技术属性】
技术研发人员：张东山，
申请(专利权)人：张东山，
类型：发明
国别省市：89[中国|沈阳]