The invention belongs to the field of semiconductor manufacturing technology, and discloses a low resistance transparent conductive network film for flexible electronic devices and a preparation method thereof. The method is as follows: A. on a substrate, a first metal layer is deposited, and a patterned metal layer for conductive metal mesh; B. coated negative photoresist, exposure to negative photoresist from a substrate side, forming a conductive mesh mold; C. using electroplating method, second metal layer is deposited on conductive metal mesh. And through the conductive grid mold forming a conductive grid; D. in the second metal layer and a conductive grid mold deposited on the transparent conductive layer; e. organic protective layer on the transparent conductive layer is formed on the transparent conductive film with low resistance network. By introducing the electroplating method, and combined with the embedded structure, without increasing the width of the metal mesh at the same time, try to thicken the thickness of the metal layer, metal mesh and superfine ultra thick, to meet the requirements of flexible electronic device of low resistance, high transparent conductive network.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造
,特别是涉及一种用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜及其制备方法。
技术介绍
透明导电薄膜是一种既能导电又在可见光范围内具有高透明率的一种薄膜。现有常用的透明导电膜有:透明导电氧化物,如ITO;银纳米线;碳纳米管;石墨烯等。但是这些材料在透光性与导电性上都存在相互制约的情况。在大尺寸透明电极的应用中,由于压降问题,需要制作低阻值且具有良好透明性的导电薄膜。通常的解决方法是引入金属网格(metal mesh)。利用金属网格提供低阻值的导电网络。金属网格导电性与金属层线宽以及薄膜厚度密切正相关。但是线宽越宽,光学透过率影响严重。另一方面,如使用传统的真空镀膜工艺,金属网格的膜层厚度,由于应力等问题,无法超过500nm。不能满足低阻、透明的更高需求。因此,针对现有技术不足,提供一种用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络的制备方法以制备低阻、高透明的导电网络以克服现有技术不足甚为必要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜的制备方法,该方法能够制备超厚、超细的金属网格,满足柔性电子器件对低阻值、高透明导电网络的要求。本专利技术的再一目的在于提供由上述制备方法得到的用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜。本专利技术的上述目的通过如下技术手段实现:一种用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜的制备方法,包括如下步骤:a.在衬底上沉积第一金属层,并将金属层图形化为超细的金属导电网格;b.制备导电网格模具:涂覆负性光刻胶,从衬底侧对负性光刻胶进行曝光处理,形成导电网格模具;c. ...
【技术保护点】
一种用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:a.在衬底上沉积第一金属层,并将金属层图形化为超细的金属导电网格;b.制备导电网格模具:涂覆负性光刻胶,从衬底侧对负性光刻胶进行曝光处理,形成导电网格模具;c.使用电镀方法,在金属导电网格上沉积第二金属层,并通过导电网格模具形成导电网格;d.在第二金属层和导电网格模具上沉积透明导电层;e.在透明导电层上制作有机保护层,形成低阻值透明导电网络膜。
【技术特征摘要】
1.一种用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:a.在衬底上沉积第一金属层,并将金属层图形化为超细的金属导电网格;b.制备导电网格模具:涂覆负性光刻胶,从衬底侧对负性光刻胶进行曝光处理,形成导电网格模具;c.使用电镀方法,在金属导电网格上沉积第二金属层,并通过导电网格模具形成导电网格;d.在第二金属层和导电网格模具上沉积透明导电层;e.在透明导电层上制作有机保护层,形成低阻值透明导电网络膜。2.根据权利要求1所述用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜的制备方法,其特征在于:步骤a中所述金属导电网格的线宽为0.1至50μm;步骤c中所述第二金属层的厚度为1至10um。3.根据权利要求2所述用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜的制备方法,其特征在于:步骤a中所述金属导电网格的线宽为1至16μm;步骤c中所述第二金属层和第一金属层的厚度之和大于负性光刻胶厚度,且所超出的厚度不超过500nm。4.根据权利要求1所述用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜的制备方法,其特征在于:步骤b中所述涂覆的负性光刻胶的厚度为1um至10um。5.根据权利要求1所述用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜的制备方法,其特征在于:步骤a中所述第一金属层的材料为Mo、Ag、Al、Ti、Ta、Au...
【专利技术属性】
技术研发人员:陶洪,徐苗,许志平,彭俊彪,王磊,邹建华,
申请(专利权)人:华南理工大学,
类型:发明
国别省市:广东;44
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