自适应过流保护电路制造技术

技术编号:14182618 阅读:67 留言:0更新日期:2016-12-14 11:59
本发明专利技术公开了一种自适应过流保护电路,包括:跟踪电路和偏置电路;跟踪电路包括:电流采样电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第五PNP型三极管、第六PNP型三极管、第七NPN型三极管;偏置电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十五电阻、第十六电阻、第一限压二极管、第二限压二极管、第三限压二极管、第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、第三NPN型三极管、第四NPN型三极管、场效应管;该专利能够解决宽范围工作电压工作的装置而过流保护点固定的缺陷,使其过流保护点根据其工作电压的变化自动调节其保护点电压。

Adaptive overcurrent protection circuit

The invention discloses an adaptive overcurrent protection circuit, including: tracking circuit and bias circuit; tracking circuit includes a current sampling resistor, a eleventh resistor, Twelfth resistors, thirteenth resistors, fourteenth resistors, fifth PNP type, sixth PNP type triode triode, seventh NPN type triode; the bias circuit comprises a first resistor, second resistance and the third resistance and fourth resistance and fifth resistors, sixth resistors, seventh resistors, eighth resistors, Ninth resistors, tenth resistors, Fifteenth resistors, sixteenth resistors, the first limiting diode, second limiting diodes, third limiting diode, the first PNP type triode, second PNP and third NPN type triode transistor tube, fourth NPN type transistor, FET device; the patent work to solve a wide range of working voltage and over-current protection fixed point The protection voltage of the over-current protection point is automatically adjusted according to the change of the operating voltage.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及空间电源
,特别是涉及一种高电压宽范围电源用的自适应过流保护电路
技术介绍
过流保护电路是空间电子产品必需的保护电路,其功能是当该子产器内部出严重过载问题而自动将其与供电母线自动隔离的功能,以保护航天器供电母线安全。目前普遍采用的过流保护电路主要有两种,第一种是不可恢复方式(熔断器方式),另一种是可恢复方式(电子开关方式)。空间航天器目前两种方式同时采用,其中对于重要电子装置目前采用可恢复方式的过流保护电路。但其过流保护点为固定的点,对于宽范围的电压应用场合的电子装置,其电路保护的设置是按该设备的最大电流进行设计,而考虑该设备在最低工作电压的输入电流是正常电压状态下电流的3~4倍,为此对于宽范围工作电压的电路采用固定过流点的方法不能最佳优化系统设计。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是:提供一种自适应过流保护电路。该自适应过流保护电路主要目的是解决宽范围工作电压工作的装置而过流保护点固定的缺陷,使其过流保护点根据其工作电压的变化自动调节其保护点电压,从而使其输入保护特性近似为恒功率方式,从而最大限度的保护空间航天器供电安全。本专利技术为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是:一种自适应过流保护电路,至少包括:跟踪电路;所述跟踪电路包括:与电源正极电连接的电流采样电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第五PNP型三极管、第六PNP型三极管、第七NPN型三极管;偏置电路;所述偏置电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十五电阻、第十六电阻、第一限压二极管、第二限压二极管、第三限压二极管、第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、第三NPN型三极管、第四NPN型三极管、场效应管;其中:所述电源的负极依次通过第六电阻、第三电阻、第一电阻与电源的正极连接;所述电源的负极依次通过第六电阻、第四电阻与第二PNP型三极管的集电极电连接;所述第二PNP型三极管的集电极依通过第七电阻与第四NPN型三极管的集电极电连接;所述第四NPN型三极管的发射极通过第八电阻接地;所述第三NPN型三极管的基极与第四NPN型三极管的基极电连接;所述第三NPN型三极管的发射极通过第二限压二极管接地;所述第三NPN型三极管的集电极通过第五电阻与第一PNP型三极管的集电极电连接;所述第一PNP型三极管的发射极与电源正极电连接;所述电源正极依次通过第一电阻、第一限压二极管与第一PNP型三极管的基极电连接;所述电源正极通过第二电阻与第一PNP型三极管的基极电连接;所述电源的正极与第二PNP型三极管的发射极、第五PNP型三极管的发射极、第六PNP型三极管的发射极、场效应管的源极电连接;所述第一PNP型三极管的集电极与第二PNP型三极管的基极电连接;第五PNP型三极管的集电极通过第七电阻与第四NPN型三极管的集电极电连接;第五PNP型三极管的集电极分别通过第三限压二极管、第十五电阻与场效应管的源极电连接;所述第五PNP型三极管的集电极通过第十六电阻与场效应管的栅极电连接;所述电源正极分别通过第一电容、第九电阻与第五PNP型三极管的基极电连接;第五PNP型三极管的基极与第六PNP型三极管的集电极电连接;第六PNP型三极管的集电极依次通过第十二电阻、第十三电阻与第七NPN型三极管的集电极电连接;所述第七NPN型三极管的发射极通过第十四电阻接地;第一PNP型三极管的集电极通过第十电阻与第四NPN型三极管的发射极电连接;第一PNP型三极管的集电极依次通过第十一电阻、第十四电阻接地;第三NPN型三极管的集电极与第七NPN型三极管的基极电连接;第六PNP型三极管的基极通过第十三电阻与第七NPN型三极管的集电极电连接;第六PNP型三极管的集电极依次通过第十二电阻、第十三电阻与第七NPN型三极管的集电极电连接。本专利技术具有的优点和积极效果是:本专利技术专利通过采用上述技术方案,进而根据输入电压的变化自动调节过流保护点的方式来解决系统的综合保护,使保护电路近似以恒功率的方式进行工作;该电路采用限流保护点自动追踪电压的电路形式,在整个宽范围的工作电压内采用在低压时保护点为最大值,而电压达到最高点时保护点为最小值,通过合理调节最佳的保护点,使整个电路在整个宽电压范围达到合理的保护功率。附图说明:图1为本专利技术优选实施例的电路图;图2是采用本专利技术电路后过流保护值与输入电压对应曲线图。具体实施方式为能进一步了解本专利技术的
技术实现思路
、特点及功效,兹例举以下实施例,并配合附图详细说明如下:请参阅图1,一种自适应过流保护电路,包括:跟踪电路;所述跟踪电路包括:与电源正极电连接的电流采样电阻RSHUNT、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第五PNP型三极管Q5、第六PNP型三极管Q6、第七NPN型三极管Q7;偏置电路;所述偏置电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第一限压二极管VD1、第二限压二极管VD2、第三限压二极管VD3、第一PNP型三极管Q1、第二PNP型三极管Q2、第三NPN型三极管Q3、第四NPN型三极管Q4、场效应管M1;其中:所述电源的负极依次通过第六电阻R6、第三电阻R3、第一电阻R1与电源的正极连接;所述电源的负极依次通过第六电阻R6、第四电阻R4与第二PNP型三极管Q2的集电极电连接;所述第二PNP型三极管Q2的集电极依通过第七电阻R7与第四NPN型三极管Q4的集电极电连接;所述第四NPN型三极管Q4的发射极通过第八电阻R8接地;所述第三NPN型三极管Q3的基极与第四NPN型三极管Q4的基极电连接;所述第三NPN型三极管Q3的发射极通过第二限压二极管VD2接地;所述第三NPN型三极管Q3的集电极通过第五电阻R5与第一PNP型三极管Q1的集电极电连接;所述第一PNP型三极管Q1的发射极与电源正极电连接;所述电源正极依次通过第一电阻R1、第一限压二极管VD1与第一PNP型三极管Q1的基极电连接;所述电源正极通过第二电阻R2与第一PNP型三极管Q1的基极电连接;所述电源的正极与第二PNP型三极管Q2的发射极、第五PNP型三极管Q5的发射极、第六PNP型三极管Q6的发射极、场效应管M1的源极电连接;所述第一PNP型三极管Q1的集电极与第二PNP型三极管Q2的基极电连接;第五PNP型三极管Q5的集电极通过第七电阻R7与第四NPN型三极管Q4的集电极电连接;第五PNP型三极管Q5的集电极分别通过第三限压二极管VD3、第十五电阻R15与场效应管M1的源极电连接;所述第五PNP型三极管Q5的集电极通过第十六电阻R16与场效应管M1的栅极电连接;所述电源正极分别通过第一电容C1、第九电阻R9与第五PNP型三极管Q5的基极电连接;第五PNP型三极管Q5的基极与第六PNP型三极管Q6的集电极电连接;第六PNP型三极管Q6的集电极依次通过第十二电阻R12、第十三电阻R13与第七NPN型三极管Q7的集电极电连接;所述第七NPN型三极管的发射极通过第十四电阻接地;第一PNP型三极管Q1的集电极通过第十本文档来自技高网
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自适应过流保护电路

【技术保护点】
一种自适应过流保护电路,其特征在于:至少包括:跟踪电路;所述跟踪电路包括:与电源正极电连接的电流采样电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第五PNP型三极管、第六PNP型三极管、第七NPN型三极管;偏置电路;所述偏置电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十五电阻、第十六电阻、第一限压二极管、第二限压二极管、第三限压二极管、第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、第三NPN型三极管、第四NPN型三极管、场效应管;其中:所述电源的负极依次通过第六电阻、第三电阻、第一电阻与电源的正极连接;所述电源的负极依次通过第六电阻、第四电阻与第二PNP型三极管的集电极电连接;所述第二PNP型三极管的集电极依通过第七电阻与第四NPN型三极管的集电极电连接;所述第四NPN型三极管的发射极通过第八电阻接地;所述第三NPN型三极管的基极与第四NPN型三极管的基极电连接;所述第三NPN型三极管的发射极通过第二限压二极管接地;所述第三NPN型三极管的集电极通过第五电阻与第一PNP型三极管的集电极电连接;所述第一PNP型三极管的发射极与电源正极电连接;所述电源正极依次通过第一电阻、第一限压二极管与第一PNP型三极管的基极电连接;所述电源正极通过第二电阻与第一PNP型三极管的基极电连接;所述电源的正极与第二PNP型三极管的发射极、第五PNP型三极管的发射极、第六PNP型三极管的发射极、场效应管的源极电连接;所述第一PNP型三极管的集电极与第二PNP型三极管的基极电连接;第五PNP型三极管的集电极通过第七电阻与第四NPN型三极管的集电极电连接;第五PNP型三极管的集电极分别通过第三限压二极管、第十五电阻与场效应管的源极电连接;所述第五PNP型三极管的集电极通过第十六电阻与场效应管的栅极电连接;所述电源正极分别通过第一电容、第九电阻与第五PNP型三极管的基极电连接;第五PNP型三极管的基极与第六PNP型三极管的集电极电连接;第六PNP型三极管的集电极依次通过第十二电阻、第十三电阻与第七NPN型三极管的集电极电连接;所述第七NPN型三极管的发射极通过第十四电阻接地;第一PNP型三极管的集电极通过第十电阻与第四NPN型三极管的发射极电连接;第一PNP型三极管的集电极依次通过第十一电阻、第十四电阻接地;第三NPN型三极管的集电极与第七NPN型三极管的基极电连接;第六PNP型三极管的基极通过第十三电阻与第七NPN型三极管的集电极电连接;第六PNP型三极管的集电极依次通过第十二电阻、第十三电阻与第七NPN型三极管的集电极电连接。...

【技术特征摘要】
1.一种自适应过流保护电路,其特征在于:至少包括:跟踪电路;所述跟踪电路包括:与电源正极电连接的电流采样电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第五PNP型三极管、第六PNP型三极管、第七NPN型三极管;偏置电路;所述偏置电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十五电阻、第十六电阻、第一限压二极管、第二限压二极管、第三限压二极管、第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、第三NPN型三极管、第四NPN型三极管、场效应管;其中:所述电源的负极依次通过第六电阻、第三电阻、第一电阻与电源的正极连接;所述电源的负极依次通过第六电阻、第四电阻与第二PNP型三极管的集电极电连接;所述第二PNP型三极管的集电极依通过第七电阻与第四NPN型三极管的集电极电连接;所述第四NPN型三极管的发射极通过第八电阻接地;所述第三NPN型三极管的基极与第四NPN型三极管的基极电连接;所述第三NPN型三极管的发射极通过第二限压二极管接地;所述第三NPN型三极管的集电极通过第五电阻与第一PNP型三极管的集电极电连接;所述第一PNP型三极管的发射极与电源正极电连接;所述电源正极依次通过第一电阻、第一限压二极管与第一PNP型三极管的基极电连接;...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈洪涛
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十八研究所
类型:发明
国别省市:天津;12

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