气体阻隔膜及气体阻隔膜的制造方法技术

本发明专利技术的课题在于提供在成膜中及将成膜了的长尺寸的膜卷取为卷状时可以抑制由膜的表面·背面间的接触带电等所引起的异物在膜上的附着的气体阻隔膜及其制造方法。本发明专利技术的气体阻隔膜(10)为在基材(1)的一面上具有气体阻隔层(2)、在基材的相反侧的面上具有保护膜(3)的气体阻隔膜，其特征在于，保护膜具有粘合层(32)、介由粘合层而配设于基材，在将长尺寸状的气体阻隔膜卷绕成卷状时，将相互接触的、气体阻隔层的表面与保护膜的表面的算术平均粗糙度分别设为Ra1和Ra2时，Ra2的值为Ra1的值的3倍以上，且长尺寸状的气体阻隔膜的总厚为60μm以上。

Gas barrier film and method of manufacturing the same

The subject of the invention is to provide long size in the film and film the film take-up roll for foreign bodies can be inhibited by the charged membrane surface contact between the back, caused by the membrane attachment of the gas barrier film and method of manufacturing the same. The gas barrier film of the invention (10) in the substrate (1) having a gas barrier layer on one side (2), with a protective film on the opposite side of the substrate surface (3) of the gas barrier film, which is characterized in that the protective film has an adhesive layer (32), a bonding layer and in the base material, the gas barrier film winding and long size shaped coils, surface protective film and gas barrier layer, will contact the surface of the arithmetic average roughness were divided into Ra1 and Ra2, Ra2 value is the Ra1 of more than 3 times, and the total thickness of gases the size shape of barrier film more than 60 mu m.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及气体阻隔膜及气体阻隔膜的制造方法。更详细地说，涉及将长尺寸状的气体阻隔膜卷取时可抑制由于表面与背面的摩擦而容易产生的基材的表面的带电、抑制异物附着于气体阻隔膜的表面的气体阻隔膜及气体阻隔膜的制造方法。
技术介绍
近年来，由于轻、不易开裂，提案有各种在塑料膜、片材这样的挠性的树脂基材上将薄膜层成膜了的功能性膜。例如，将金属、金属氧化物成膜了的气体阻隔膜在需要水蒸汽、氧等的阻断的物品的包装用途、特别是用于食品、工业用品、医药品等的变质防止的包装用途中广泛地使用，另外在有机电子设备、例如液晶显示元件、光电转换元件(太阳能电池)、有机电致发光(以下也称为“有机EL”。)元件等中使用。进而，在近年来，由于容易加工，对使基材自身的厚度变薄的气体阻隔膜的要求、对使用了光学特性优异的环烯烃聚合物(COP)树脂、三乙酰纤维素(TAC)树脂等耐热性低的基材的气体阻隔膜的要求在不断增加。作为制造气体阻隔膜的方法，已知利用了采用气相法的无机成膜方法的方法。作为采用该气相法的无机成膜方法，可列举出在膜等的基材上采用等离子体CVD法(Chemical Vapor Deposition：化学气相生长法、化学蒸镀法)边用氧等离子体将金属(以四乙氧基硅烷(TEOS)为代表的有机硅化合物等)氧化边进行蒸镀而形成无机膜(气体阻隔层)的方法、和采用使用半导体激光器等使金属蒸发、在氧的存在下在基板上沉积的真空蒸镀法、溅射法形成无机膜(气体阻隔层)的方法等。例如，在专利文献1中公开的气体阻隔性层叠膜的制造法中，使用将膜基材配置在一对成膜辊上、在该一对成膜辊间放电而使等离子体产生、形成无机膜(气体阻隔层)的、利用所谓的辊对辊(Roll to Roll)法的CVD成膜装置。但是，该成膜装置虽然是成膜效率和精度比较好的装置，但本专利技术人使用薄膜的膜基材、采用CVD成膜装置制造了气体阻隔膜，结果获知存在如下问题：将膜卷取为卷状或开卷时，由于卷绕为卷状的膜的表面和背面的接触、摩擦、或者剥离等，膜带电，例如在成膜室内浮游的异物附着于膜，进而膜被附着的异物挤压，导致膜的劣化。另一方面，作为起因于上述那样的气体阻隔膜的制造的问题等的解决对策，有例如下述专利文献2～4中公开的方法。在专利文献2中，公开了以下的光学材料保护用层叠体：其为对显示体的表面基材的表面进行保护的光学材料保护用层叠体，将在粘合层和粘合基材的复合形态下使用时进行剥离·除去的保护膜、和具有气体阻隔性、其自身构成显示元件的表面的表面基材进行了层叠一体化了的、透明且具有气体阻隔性的光学材料保护用层叠体。但是，上述保护膜防止成膜后的、冲切等的加工时或处理时的劣化，并没有对于成膜工序中的劣化予以考虑。在专利文献3中，公开了以下的显示装置的制造方法：用可剥离的方法将塑料膜片固定于水蒸汽透过度为一定值以下的支承体、使塑料膜片具有在显示装置的制造工序中所需要的气体阻隔性。该塑料膜片相当于保护膜，但其也是针对于成膜后的处理时的劣化，即抑制高湿度下的基材的溶胀所引起的气体阻隔性劣化，并没有对于成膜中的劣化予以考虑。在专利文献4中，公开有以下的功能性膜的制造方法：其包含连续地供给长尺寸的支承体的工序；在减压下在上述支承体的表面侧对无机膜进行成膜的工序；和在上述无机膜的表面与上述支承体的背面之间使对上述无机膜与上述支承体之间赋予滑动性、且将具有上述无机膜的厚度以下的中心线平均粗糙度(Ra)的层叠膜夹杂于其中、在减压下将上述支承体卷取于辊的工序。该层叠膜相当于保护膜，但其也是针对于成膜后的处理时的劣化，即抑制高湿度下的基材的溶胀所引起的气体阻隔性的劣化，并没有对于成膜中的劣化予以考虑。因此，对于使用薄膜的膜基材而由于专利文献1中记载的成膜装置在进行制造的气体阻隔膜上附着的异物所引起的膜的劣化等的问题，专利文献2～4中记载的对策不能成为充分的解决对策，因此要求新的解决对策。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-73430号公报专利文献2：日本专利第5239241号公报专利文献3：日本特开2003-280550号公报专利文献4：日本专利第5318020号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术鉴于上述问题·状况而完成，其解决课题在于提供在成膜中及将成膜了的长尺寸的膜卷取为卷状时可以抑制由膜的表面·背面间的接触带电等所引起的异物对膜的附着的气体阻隔膜和其制造方法。用于解决课题的手段本专利技术人为了解决上述课题，对于上述问题的原因等进行研究的过程中，发现：在形成气体阻隔层的基材的背面设置保护膜(层叠膜)、调节卷取为卷状时进行接触的气体阻隔层的表面与保护膜的表面的表面粗糙度和气体阻隔膜的总厚，由此能够抑制异物附着于气体阻隔层的表面或保护膜的表面，抑制气体阻隔膜的劣化，完成了本专利技术。即，本专利技术涉及的上述课题，通过以下的手段解决。为在基材的一面上具有气体阻隔层、在上述基材的相反侧的面上具有保护膜的气体阻隔膜，其特征在于，上述保护膜具有粘合层、介由该粘合层而配设于上述基材，将长尺寸状的气体阻隔膜卷绕为卷状时，将相互接触的、上述气体阻隔层的表面与上述保护膜的表面的算术平均粗糙度分别设为Ra1和Ra2时，该Ra2的值为该Ra1的值的3倍以上，且、上述长尺寸状的气体阻隔膜的总厚为60μm以上。专利技术的效果通过本专利技术的上述手段，能够提供在将成膜了的膜卷取为卷状时可以抑制膜间的异物的附着的气体阻隔膜及其制造方法。对于本专利技术的效果的显现机理乃至作用机理，尚不明确，但推测如以下所述。即，就使用了利用等离子体CVD法等的成膜装置的情况下产生的异物的附着的主要原因而言，推测为：由于树脂膜自身或在膜上设置了的气体阻隔层(膜)为绝缘性，因此将长尺寸的膜卷取为卷状或者开卷时，由于卷绕为卷状的膜的表面及背面的接触、摩擦或剥离等，膜带电，例如在成膜室内浮游的异物附着于膜、进而膜被附着的异物挤压，导致膜的劣化。因此，在形成气体阻隔层的基材的背面设置保护膜(层叠膜)、调节卷取为卷状时进行接触的气体阻隔层的表面与保护膜的表面的表面粗糙度和气体阻隔膜的总厚，由此能够抑制气体阻隔层的表面或保护膜的表面的带电、其结果能够抑制异物附着于膜、进而抑制气体阻隔膜的劣化。附图说明图1为表示本专利技术的气体阻隔膜的构成的一例的示意图。图2为表示本专利技术涉及的气体阻隔层的形成中使用的制造装置的一例的示意图。具体实施方式本专利技术的气体阻隔膜是在基材的一面上具有气体阻隔层、在基材的相反侧的面上具有保护膜的气体阻隔膜，其特征在于，保护膜具有粘合层、介由该粘合层而配设于基材，在将长尺寸状的气体阻隔膜卷绕为卷状时相互接触的、气体阻隔层的表面与保护膜的表面的算术平均粗糙度分别记为Ra1和Ra2时，该Ra2的值为该Ra1的值的3倍以上，且长尺寸状的气体阻隔膜的总厚为60μm以上。该特征是权利要求1-权利要求8的权利要求所涉及的专利技术共同的技术特征。作为本专利技术的实施方式，上述气体阻隔层优选含有有机硅化合物。由此，可以有效地防止水分的进一步侵入。作为本专利技术的实施方式，从能够抑制带电量、能够有效地防止异物混入的方面考虑，优选上述保护膜的不具有粘合层的侧的面上的表面电阻为1×108～1×1012Ω/□的范围内。进而，从使本专利技术的效果显著地显现的观点考虑，优选上述气体阻隔层除了上述有机硅化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体阻隔膜，其特征在于，其为在基材的一面上具有气体阻隔层、在所述基材的相反侧的面上具有保护膜的气体阻隔膜，所述保护膜具有粘合层、介由该粘合层而配设于所述基材，在将长尺寸状的气体阻隔膜卷绕成卷状时，将相互接触的、所述气体阻隔层的表面与所述保护膜的表面的算术平均粗糙度分别设为Ra1及Ra2时，该Ra2的值为该Ra1的值的3倍以上，且，所述长尺寸状的气体阻隔膜的总厚为60μm以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.25 JP 2014-0911561.一种气体阻隔膜，其特征在于，其为在基材的一面上具有气体阻隔层、在所述基材的相反侧的面上具有保护膜的气体阻隔膜，所述保护膜具有粘合层、介由该粘合层而配设于所述基材，在将长尺寸状的气体阻隔膜卷绕成卷状时，将相互接触的、所述气体阻隔层的表面与所述保护膜的表面的算术平均粗糙度分别设为Ra1及Ra2时，该Ra2的值为该Ra1的值的3倍以上，且，所述长尺寸状的气体阻隔膜的总厚为60μm以上。2.权利要求1所述的气体阻隔膜，其特征在于，所述气体阻隔层含有有机硅化合物。3.权利要求1或2所述的气体阻隔膜，其特征在于，所述保护膜的不具有粘合层的侧的面上的表面电阻为1×108～1×1012Ω/□的范围内。4.权利要求1-3的任一项所述的气体阻隔膜，其特征在于，所述气体阻隔层除了所述有机硅化合物以外，还含有无机硅化合物。5.权利要求1-4的任一项所述的气体阻隔膜，其特征在于，所述基材的厚度为12～50μm的范围内。6.一种气体阻隔膜的制造方法，其特征在于，其为权利要求1-5的任一项所述的气体阻隔膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：广濑达也，大石清，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP