【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及加工领域，具体是一种带保温复位补偿外压型膨胀节装置。
技术介绍
随着人民生活水平的不断提高，继Si、GaAs之后，GaN成为第三代半导体材料，它使激光二极管和发光二极管又上了一个新台阶，但它本身不易制成体材料，必须在其他衬底材料上生长薄膜，而玉石就是其最主要的衬底材料，作为衬底材料对晶体表面有着超光滑的要求，研究表明衬底的表面加工水平决定了器件的质量，尤其是用于GaN生长的玉石衬底片的精密加工技术是目前研究的重点；目前玉石在切割前只有减薄和抛光两个粗略的步骤，而此法生产的玉石片粗糙度较大，表面还有较深划伤，需要从新研磨抛光，增加了玉石片的成本。专利技术专利内容本专利技术专利提供一种带保温复位补偿外压型膨胀节装置，以解决上述
技术介绍
中提出的不节能环保的问题。技术方案：一种带保温复位补偿外压型膨胀节装置，包括以下步骤：A.粘片将玉石片长有器件的一面用粘片设备粘在玻璃片上；B.粗磨利用粗磨机将玉石衬底的厚度减薄至150μm左右，粗糙度为2.0μm左右；在加工条件为温度25-35℃，压力1-5kgC.细磨用细磨机将玉石衬底的厚度减薄至90～100μm，粗糙度为0.5μm左右，厚度均匀度在2.0μm以内；D.粗抛用粗抛机和粗抛液对玉石衬底进行抛光，粗糙度0.1μm，厚度均匀度1.0μm以内；E.精抛用精抛机和精抛液对玉石衬底进行抛光，使粗糙度到20μm以下。作为优化，所述加工方法的加工条件为温度25-35℃，压力1-5kg。有益效果：本专利技术所述的一种带保温复位补偿外压型膨胀节装置，使玉石在切割时表面平整度得到加强，降低了加工成本。附图说明无具体实...
【技术保护点】
本专利技术属于一种带保温复位补偿外压型膨胀节装置，其特征在于：包括以下步骤：A.粘片 将玉石片长有器件的一面用粘片设备粘在玻璃片上；B.粗磨 利用粗磨机将玉石衬底的厚度减薄至150μm左右，粗糙度为2.0μm左右；C.细磨 用细磨机将玉石衬底的厚度减薄至90～100μm，粗糙度为0.5μm左右，厚度均匀度在2.0μm以内；D.粗抛 用粗抛机和粗抛液对玉石衬底进行抛光，粗糙度0.1μm，厚度均匀度1.0μm以内；E.精抛 用精抛机和精抛液对玉石衬底进行抛光，使粗糙度到20μm以下。
【技术特征摘要】
1.本发明属于一种带保温复位补偿外压型膨胀节装置，其特征在于：包括以下步骤：A.粘片 将玉石片长有器件的一面用粘片设备粘在玻璃片上；B.粗磨 利用粗磨机将玉石衬底的厚度减薄至150μm左右，粗糙度为2.0μm左右；C.细磨 用细磨机将玉石衬底的厚度减薄至90～100μm，粗糙度为0.5μm左右，厚度均匀度...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵金旺，
申请(专利权)人：天津市百瑞泰管业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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