【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅制品的烧结方法，尤其是涉及常压烧结碳化硅制品的快速烧结法。
技术介绍
常压烧结碳化硅以其优异的高强度，高硬度，耐高温，耐磨损，耐腐蚀性能被广泛地应用在现代工业生产各个领域之中。相关理论研究表明，常压烧结Sic的烧成，在合乎质量要求的粉料及成型技术的保证下，其烧结技术表现为(1)、必须达到常压烧结Sic的烧成温度2200-2500℃；(2)、必须设计合理的烧结曲线；(3)必须在保护气氛下进行烧结。但在常压烧结Sic烧结理论及烧结生产技术资料中，对常压烧结Sic最终烧成时间均无详细及统一标准。如美国Carborundum公司介绍从4至100个小时。而国内相关研究资料则表明一般需12-18小时。在实际生产中，最终烧成时间的长短对产品的成本控制、生产设备效率的提高和产品质量的控制起着至关重要的作用。如何在最短的时间内，烧出合乎质量标准的产品，是大规模、工业化生产常压烧结Sic产品不可绕过的门槛。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种烧结成本低、生产效率高的常压烧结碳化硅制品的快速烧结法。为实现上述目的，本专利技术可采取下述技术方案本专利技术所述的常压烧结碳化硅制品的快速烧结法，A、在900℃以前，无论产品形状大小为何，均可按12～15℃/分钟的速度升温；B、900℃以后，可按15～18℃/分钟的速度快速升温至1600℃，并保温0～5分钟；C、而后再按8～10℃/分的速度升温至2300℃，保温25～30分钟，即完成烧结，得到产品密度平均在3.10～3.15g/cm3之间。按照本专利技术烧结方法，每炉的碳化硅制品烧结时间在4-6小时即可完成，同...
【技术保护点】
一种常压烧结碳化硅制品的快速烧结法，其特征在于： Ａ、在９００℃以前，无论产品形状大小为何，均可按１２～１５℃／分钟的速度升温； Ｂ、９００℃以后，可按１５～１８℃／分钟的速度快速升温至１６００℃，并保温０～５分钟； Ｃ、而后再按８～１０℃／分的速度升温至２３００℃，保温２５～３０分钟，即完成烧结，得到产品密度平均在３．１０～３．１５ｇ／ｃｍ↑［３］之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡鸣，
申请(专利权)人：郑州华硕精密陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：41[中国|河南]
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