一种导电薄膜、其制备方法及其应用技术

一种导电薄膜，包括层叠的Pt层及R2O层，其中，R为锂元素，钠元素，钾元素，铷元素，铯元素中的一种。上述导电薄膜通过在Pt层的表面沉积及高功函的R2O层制备双层导电薄膜，既能保持Pt层的良好的导电性能，又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高。本发明专利技术还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。
技术介绍
导电薄膜电极是有机电致发光器件(OLED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，氧化镉的掺杂半导体是近年来研究最广泛的透明导电薄膜材料，具有较高的可见光透光率和低的电阻率。但要提高器件的发光效率，要求透明导电薄膜阳极具有较高的表面功函数。而铝、镓和铟掺杂的氧化锌的功函数一般只有4.3eV，经过UV光辐射或臭氧等处理之后也只能达到4.0～4.3eV，与一般的有机发光层的LUMO能级(典型的为2.8～4.2eV)还有比较大的能级差距，造成载流子注入势垒的增加，妨碍发光效率的提高。
技术实现思路
基于此，有必要针对导电薄膜功函数较低的问题，提供一种纳米线的透明导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。一种导电薄膜，包括层叠的Pt层及R2O层。所述导电薄膜是纳米线结构的导电薄膜，所述Me为钙元素，锶元素，钡元素中的一种。所述Pt层的厚度为5nm～20nm，所述R2O层的厚度为0.5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的Pt层及R2O层。

【技术特征摘要】
1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的Pt层及R2O层。2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述Me为钙元素，锶元素，钡元素中的一种。3.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述Pt层的厚度为5nm～20nm，所述R2O层的厚度为0.5nm～5nm。4.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将Pt靶材及R2O靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa；在所述衬底表面溅镀Pt层，溅镀所述Pt层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃；在所述Pt层表面溅镀R2O层，溅镀所述R2O层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃；及剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。5.一种有机电致发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑甘裕，
申请(专利权)人：郑甘裕，
类型：发明
国别省市：广东;44