一种导电薄膜、其制备方法及其应用技术

一种导电薄膜，包括层叠的Pt层及R2O层，其中，R为锂元素，钠元素，钾元素，铷元素，铯元素中的一种。上述导电薄膜通过在Pt层的表面沉积及高功函的R2O层制备双层导电薄膜，既能保持Pt层的良好的导电性能，又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高。本发明专利技术还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。
技术介绍
导电薄膜电极是有机电致发光器件(OLED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，氧化镉的掺杂半导体是近年来研究最广泛的透明导电薄膜材料，具有较高的可见光透光率和低的电阻率。但要提高器件的发光效率，要求透明导电薄膜阳极具有较高的表面功函数。而铝、镓和铟掺杂的氧化锌的功函数一般只有4.3eV，经过UV光辐射或臭氧等处理之后也只能达到4.0～4.3eV，与一般的有机发光层的LUMO能级(典型的为2.8～4.2eV)还有比较大的能级差距，造成载流子注入势垒的增加，妨碍发光效率的提高。
技术实现思路
基于此，有必要针对导电薄膜功函数较低的问题，提供一种纳米线的透明导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。一种导电薄膜，包括层叠的Pt层及R2O层。所述导电薄膜是纳米线结构的导电薄膜，所述Me为钙元素，锶元素，钡元素中的一种。所述Pt层的厚度为5nm～20nm，所述R2O层的厚度为0.5nm～5nm。一种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：将Pt靶材及R2O靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa；在所述衬底表面溅镀Pt层，溅镀所述Pt层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃；在所述Pt层表面溅镀R2O层，溅镀所述R2O层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃；及剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。一种有机电致发光器件的基底，包括依次层叠的衬底、层叠的Pt层及R2O层。所述基底中的导电薄膜是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为5nm～25nm。一种有机电致发光器件的基底的制备方法，包括以下步骤：将Pt靶材及R2O靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa；在所述衬底表面溅镀Pt层，溅镀所述Pt层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃；在所述Pt层表面溅镀R2O层，溅镀所述R2O层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃。一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，所述阳极包括层叠的Pt层及R2O层。上述导电薄膜通过在Pt层的表面沉积R2O层制备双层导电薄膜，既能保持Pt层的良好的导电性能，又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高，导电薄膜在300～900nm波长范围可见光透过率80％～95％，方块电阻范围10～35Ω/□，表面功函数5.3～5.8eV；上述导电薄膜的制备方法，采用激光烧蚀靶材，使靶材中的材料被烧蚀成原子或离子团的粒子，粒子在基底上沉积的过程中，通过通入大量的惰性气体，使粒子钝化，在基板上分散成核，然后在各个成核点垂直生 长，形成柱状的纳米线；使用该导电薄膜作为有机电致发光器件的阳极，导电薄膜的表面功函数与一般的有机发光层的LUMO能级之间差距较小，降低了载流子的注入势垒，可显著的提高发光效率。附图说明图1为一实施方式的导电薄膜的结构示意图；图2为一实施方式的有机电致发光器件的基底的结构示意图；图3为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；图4为实施例1制备的导电薄膜的透射光谱谱图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件进一步阐明。请参阅图1，一实施方式的导电薄膜100包括层叠的Pt层10及R2O层30。所述导电薄膜100是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为5nm～25nm，优选为14nm。所述Pt层10的厚度为5nm～20nm，优选为12nm，所述R2O层30的厚度为0.5nm～5nm，优选为2nm。上述导电薄膜100通过在Pt层10的表面沉积R2O层30制备双层导电薄膜，既能保持Pt层10的良好的导电性能，又使导电薄膜100的功函数得到了显著的提高，导电薄膜100在300～900nm波长范围可见光透过率80％～95％，方块电阻范围10～35Ω/□，表面功函数5.3～5.8eV。上述导电薄膜100的制备方法，包括以下步骤：S110、将Pt靶材及R2O靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa。衬底为玻璃衬底。优选的，衬底在使用前用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗。本实施方式中，真空腔体的真空度优选为5×10-4Pa。步骤S120、在衬底表面溅镀Pt层10，溅镀Pt层10的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃。优选的，基靶间距为60mm，激光的能量为150W，压强为10Pa，惰性气体为氩气，惰性气体的流量为20sccm，衬底温度为500℃。形成的Pt层10的厚度为5nm～20nm，优选为12nm。步骤S130、在Pt层10表面溅镀R2O层30，磁控溅射R2O层30的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃；形成R2O层30的厚度为0.5nm～5nm，优选为2nm。步骤S140、剥离衬底，得到导电薄膜100。上述导电薄膜的制备方法，采用激光烧蚀靶材，使靶材中的材料被烧蚀成原子或离子团的粒子，粒子在基底上沉积的过程中，通过通入大量的惰性气体，使粒子钝化，在基板上分散成核，然后在各个成核点垂直生长，形成柱状的纳米线。可以通过调节惰性气体压强的大小来控制纳米线的粗细和线间距。通入惰性气体压强大的，得到的纳米线较细，线间距较大。请参阅图2，一实施方式的有机电致发光器件的基底200，包括层叠的衬底201、Pt层202及R2O层203。衬底201为玻璃衬底。衬底201的厚度为0.1mm～3.0mm，优选为1mm。Pt层202及R2O层203是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为5nm～25nmPt层202的厚度为5nm～20nm，优选为12nm。R2O层203的厚度为0.5nm～5nm，优选为2nm。上述有机电致发光器件的基底200通过在Pt层202的表面沉积R2O层203制备多层导电薄膜，既能保持Pt层202的良好的导电性能，又使有机电致本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的Pt层及R2O层。

【技术特征摘要】
1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的Pt层及R2O层。2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述Me为钙元素，锶元素，钡元素中的一种。3.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述Pt层的厚度为5nm～20nm，所述R2O层的厚度为0.5nm～5nm。4.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将Pt靶材及R2O靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa；在所述衬底表面溅镀Pt层，溅镀所述Pt层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃；在所述Pt层表面溅镀R2O层，溅镀所述R2O层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃；及剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。5.一种有机电致发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑甘裕，
申请(专利权)人：郑甘裕，
类型：发明
国别省市：广东;44