用冷冻研磨纳米粒状颗粒涂覆的方法技术

一种用冷冻研磨纳米粒状颗粒涂覆基材的方法(200)包括形成包含镍、钴、铬、钨和钼的面心立方γ基质(202)，向γ基质加入分散强化物质(204)以形成第一混合物，冷冻研磨第一混合物(206)以形成第二混合物，从而形成纳米粒状结构，并将第二混合物冷喷到基材上(212)，以形成具有纳米粒状结构的涂层。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日2010年1月8日，申请号201010005271.8，专利技术名称为“用冷冻研磨纳米粒状颗粒涂覆的方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及冷喷技术，更具体地讲，涉及冷喷冷冻研磨纳米粒状颗粒。
技术介绍
冷喷技术通常用于对元件提供表面处理。在需要施加涂料而不需要加热等影响要涂覆元件和涂料之间粘合时利用冷喷技术。使颗粒粘合到基材所用的热的缺乏保证纳米粒状颗粒原料或粉末形成具有纳米粒状结构的涂层或沉积物。纳米粒状沉积物可用作涂层，或者从基材除去，并用作自由成型材料。
技术实现思路
根据本专利技术的一个示例性实施方案，用冷冻研磨纳米粒状颗粒涂覆基材的方法包括形成包含镍、钴、铬、钨和钼的面心立方γ基质，向γ基质加入分散强化物质以形成第一混合物，冷冻研磨第一混合物以形成第二混合物，从而形成纳米粒状结构，并将第二混合物冷喷到基材上，以形成具有纳米粒状结构的涂层。更具体而言，本专利技术涉及以下[1]-[20]。[1].一种用冷冻研磨纳米粒状颗粒涂覆基材的方法，所述方法包括：形成包含镍、钴、铬、钨和钼的面心立方γ基质；向γ基质加入分散强化物质，以形成第一混合物；冷冻研磨第一混合物，以形成第二混合物，第二混合物具有纳米粒状结构；并且将第二混合物冷喷到基材上以形成涂层，涂层具有纳米粒状结构。[2].[1]的方法，其中形成γ基质进一步包括加入铝和钛的至少一种。[3].[1]的方法，其中加入分散强化物质包括将氧化铝、氧化钇、氧化锆、氧化铪、碳化钨和碳化铬的至少一种加入到γ基质。[4].[3]的方法，其中加入分散强化物质包括将氧化铝、氧化钇、氧化锆、氧化铪、碳化钨和碳化铬的至少两种加入到γ基质。[5].[1]的方法，其中加入分散强化物质包括将氧化铝、氧化钇、氧化锆、氧化铪、碳化钨和碳化铬加入到γ基质。[6].[1]的方法，所述方法进一步包括将碳加入到第一混合物。[7].[1]的方法，所述方法进一步包括从基材除去涂层，所述涂层形成物体的最终形状。[8].[7]的方法，所述方法进一步包括将物体的最终形状加工成涡轮机元件。[9].[1]的方法，其中加入分散强化物质包括将γ基质热处理形成γ′沉淀，以形成第一混合物。[10].[1]的方法，其中形成γ基质包括混合约30-50％镍、约10-30％钴、4-10％钼、4-10％钨和10-30％铬。[11].[10]的方法，其中形成γ基质进一步包括约0-6％铼、约0-6％铌、约0-6％钽、约0-5％铝和约0-5％钛的至少一种。[12].[1]的方法，其中冷冻研磨第一混合物包括在包含液化惰性气体的冷冻研磨介质化学物质中冷冻研磨第一混合物。[13].[12]的方法，其中液化惰性气体包含氩、氮和混有约5％重量氧的氩的至少一种。[14].一种用于涡轮机的产品，所述产品通过包括以下步骤的方法制备：形成包含镍、钴、铬、钨和钼的面心立方γ基质；向γ基质加入分散强化物质，以形成第一混合物；冷冻研磨第一混合物，以形成第二混合物，第二混合物具有纳米粒状结构；并且将第二混合物冷喷到基材上以形成涂层，涂层具有纳米粒状结构。[15].[14]的方法制备的产品，其中形成γ基质进一步包括加入铝和钛的至少一种。[16].[14]的方法制备的产品，其中加入分散强化物质包括将氧化铝、氧化钇、氧化锆、氧化铪、碳化钨和碳化铬的至少一种加入到γ基质。[17].[14]的方法制备的产品，其中加入分散强化物质包括将γ基质热处理形成γ′沉淀，以形成第一混合物。[18].[14]的方法制备的产品，其中冷冻研磨第一混合物包括在包含液化惰性气体的冷冻研磨介质化学物质中冷冻研磨第一混合物。[19].[14]的方法制备的产品，其中形成γ基质包括混合约30-50％镍、约10-30％钴、约4-10％钼、约4-10％钨和约10-30％铬。[20].[14]的方法制备的产品，其中形成γ基质进一步包括约0-6％铼、约0-6％铌、约0-6％钽、约0-5％铝和约0-5％钛的至少一种。附图说明图1为显示根据本专利技术的示例性实施方案冷喷冷冻研磨纳米粒状物质的方法的流程图。图解具体实施方式本专利技术的示例性实施方案涉及图1中所示的冷喷冷冻研磨纳米粒状物质的方法200。将冷冻研磨纳米粒状物质原料冷喷到基材以形成涂层或随后制品在不加热下完成。保持低温保证原料的结构性质保持基本不变。更具体地讲，原料的低温和高应用速度造成较低飞行中时间(in-flight time)和无飞行中氧化(in-flight oxidation)，产生具有原料纳米粒状结构的涂层和/或制品。最初如方框202中所示形成γ基质。γ或奥氏体基质包含多种成分，这些成分形成冷喷成涂层和/或最终制品的原料的基础。根据示例性实施方案，γ基质包含约30％重量至50％重量镍(Ni)、约10％重量至30％重量钴(Co)、约10％重量至30％重量铬(Cr)、约4％重量至10％重量钼(Mo)和钨(W)、约0％重量至6％重量铼(Re)、约0％重量至5％重量铝(Al)、约0％重量至5％重量钛(Ti)和约0％重量至6％重量铌(Nb)和钽(Ta)。以上所列成分形成镍基面心立方(fcc)基质。镍基fcc结构提供固有的延性。另外，镍基结构提供对高温应用具有较低扩散系数的紧密堆积晶体结构。包含钴提供耐热腐蚀性，铬提供抗氧化性，钼、钨和铼提供固溶体强化，并增加抗蠕变强度，铝、钛、铌和钽提供形成内聚和有序沉淀作为强化剂的可能性。除了上述强化剂外，将分散强化颗粒加入到γ基质，以形成第一或基础混合物，如方框204所示。更具体地讲，通过加入硬碳化物或氧化物相物质，如碳化钨(WC)、碳化铬(CrC)、氧化铝、氧化钇和/或氧化铪，可使γ基质强化。分散强化颗粒作为位错的强阻碍物(材料中塑性应变的载体)，并使强度跨宽范围温度显著增加。另外或作为选择，通过使γ基质经过热处理过程形成跨宽范围温度提供增加强度的内聚和有序γ′(gamma-prime)(γ′)沉淀，形成第一混合物。强度增加由硬碳化物相分散体或氧化物相分散体、γ′的沉淀或其组合产生。根据本专利技术的另一个示例性实施方案，将第一混合物冷冻研磨形成纳米粒状结构，如方框206所示。根据示例性实施方案的一个方面，冷冻研磨介质化学物质包括液化惰性气体，如氩(Ar)和/或氮(N)，或气体混合物，如氩与约5％重量氧(O2)混合。在冷冻研磨期间加入分散剂成分(例如碳(C))，如方框208所示。固溶体中的碳致使沉淀强化碳化物，这可在本体或在晶粒间界中形成。更具体地讲，在冷冻研磨的同时控制冷冻研磨介质化学物质和碳的分散产生固有分散碳化物、氮化物、碳-氮化物、氧-碳-氮化物等。通过在冷冻研磨介质化学物质中加入少量氧，或者从第一混合物成分中存在的氧，可生成氧化物。在任何情况下，继续冷冻研磨，直到得到纳米粒状，并形成第二或原料混合物，如方框210所示。根据本专利技术的另一个方面，通过在γ基质中γ′沉淀可形成第一混合物，然后冷冻研磨，以产生具有纳米粒状结构的第二混合物或原料。通过加入硬碳化物或氧化物相分散体，可得到另外强化。所加分散体可单独产生为纳米粒状或微米粒状，或者与第一混合物一起冷冻研磨。一旦形成，就将原料冷喷到基材上，以形成最终形状(netshape)，如方框212所示。冷喷包括迫使原料和气体通过喷嘴，根据所需应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用冷冻研磨纳米粒状颗粒涂覆基材的方法，所述方法包括：形成包含镍、钴、铬、钨和钼的面心立方γ基质；向γ基质加入分散强化物质，以形成第一混合物；冷冻研磨第一混合物，以形成具有固有分散的碳化物、氮化物、碳‑氮化物、氧‑碳‑氮化物和氧化物的第二混合物，第二混合物具有纳米粒状结构；并且将第二混合物以800m/s至900m/s的速度冷喷到基材上以形成涂层，涂层具有纳米粒状结构。

【技术特征摘要】
2009.01.08 US 12/3505171.一种用冷冻研磨纳米粒状颗粒涂覆基材的方法，所述方法包括：形成包含镍、钴、铬、钨和钼的面心立方γ基质；向γ基质加入分散强化物质，以形成第一混合物；冷冻研磨第一混合物，以形成具有固有分散的碳化物、氮化物、碳-氮化物、氧-碳-氮化物和氧化物的第二混合物，第二混合物具有纳米粒状结构；并且将第二混合物以800m/s至900m/s的速度冷喷到基材上以形成涂层，涂层具有纳米粒状结构。2.权利要求1的方法，其中形成γ基质进一步包括加入铝和钛的至少一种。3.权利要求1的方法，其中加入分散强化物质包括将氧化铝、氧化钇、氧化锆、氧化铪、碳化钨和碳化铬的至少一种加入到γ基质。4.权利要求3的方法，其中加入分散强化物质包括将氧化铝、氧化钇、氧化锆、氧化铪、碳化钨和碳化铬的至少两种加入到γ基质。5.权利要求1的方法，其中加入分散强化物质包括将氧化铝、氧化钇、氧化锆、氧化铪、碳化钨和碳化铬加入到γ基质。6.权利要求1的方法，所述方法进一步包括将碳加入到第一混合物。7.权利要求1的方法，所述方法进一步包括从基材除去涂层，所述涂层形成物体的最终形状。8.权利要求7的方法，所述方法进一步包括将物体的最终形状加工成涡轮机元件。9.权利要求1的方法，其中加入分散强化物质包括将γ基质热处理形成γ'沉淀，以形成第一混合物。10.权利要求1的方法，其中形成γ基质包括混合约30-50%镍、约10-30%钴、4-10%钼、4-10%钨和10-30%铬。11.权利要求10的方法，其中形成γ基质进一步包括约0-6...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·卡拉，K·阿南德，P·R·苏布拉马尼安，S·K·森迪，R·奥鲁甘地，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：美国;US