铜基底负载纳米结构铜钴锰复合氧化物材料的制备方法技术

本发明专利技术公开一种铜基底负载纳米结构铜钴锰复合氧化物材料，还公开一种铜基底负载纳米结构铜钴锰复合氧化物材料的制备方法，其步骤：(1).将铜基底放入乙醇中超声清洗10min，然后用浓度为0.1～0.3mol/L的稀盐酸超声清洗10～20min，再分别用去离子水、乙醇冲洗，然后烘干；(2).将清洗好的铜基底放入管式炉中退火处理，以升温速率为2～10℃/min，从室温升到350～550℃，保温2～10h，退火处理后，管式炉温度降至室温后将样品取出，得到长有氧化铜纳米棒阵列的样品；(3).将得到的样品浸泡在浓度为22.0～22.9%的高锰酸钾和六水合硝酸钴的混合溶液中，浸泡时间为10min～5h，得到铜基底负载纳米结构钴锰复合氧化物材料。该材料组分和结构独特能够充分结合金属铜基底，该方法具有工艺简单、操作简便、对环境友好等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米材料制备领域，具体涉及一种铜基底负载纳米结构铜钴锰复合氧化物材料的制备方法。
技术介绍
一维氧化铜纳米结构具有特殊的电学、光学和表面性质，在催化剂、传感器、着色剂等方面有重要应用。近年来，在特定基底上生长氧化铜纳米线成为研究的热点之一，其特殊结构有利于氧化铜纳米结构的器件化和实际应用。主要制备方法如水热法、溶胶 - 凝胶、和煅烧法等，以上方法各有优缺点，其中煅烧法是将铜基底直接在空气中热处理，获得在其表面原位生长的纳米线结构，该方法简单有效，是目前应用较为广泛的氧化铜纳米棒的制备方法。钴锰复合氧化物是一种具有广泛用途的新型材料，由于其含有两种不同的金属离子以及具有特殊的尖晶石型晶体结构，在磁学、电子学、催化、能量转化和储存等方面都有广泛应用。目前常见的制备钴锰复合氧化物的方法局限于高温固相法和溶胶凝胶法，这些方法都需要较高的温度和较长的反应时间，在和其他的化合物进一步复合时难度较大。在铜基底上生长氧化铜纳米线，并在其上进一步担载钴锰化合物，可充分结合金属铜基底、氧化铜一维纳米结构以及钴锰复合氧化物的多种优势，但该种材料及其制备方法未见报道。专利
技术实现思路
本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜基底负载纳米结构铜钴锰复合氧化物材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)将铜基底放入乙醇中超声清洗10min，然后用浓度为0.1 ～ 0.3mol/L的稀盐酸超声清洗10 ～ 20min ，再分别用去离子水、乙醇冲洗干净，然后烘干；(2)将清洗好的铜基底放入管式炉中进行退火处理，以升温速率为2 ～10 ℃/min，从室温升温到350 ～550 ℃，保温2 ～10h，退火处理后，管式炉温度降至室温后将样品取出，得到长有氧化铜纳米线的样品；(3)将长有氧化铜纳米线的样品浸泡在高锰酸钾和六水合硝酸钴的混合溶液中，浸泡时间为10min ～5 h ，得到铜基底负载纳米结构铜钴锰复合氧...

【技术特征摘要】
1.一种铜基底负载纳米结构铜钴锰复合氧化物材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)将铜基底放入乙醇中超声清洗10min，然后用浓度为0.1 ～ 0.3mol/L的稀盐酸超声清洗10 ～ 20min ，再分别用去离子水、乙醇冲洗干净，然后烘干；(2)将清洗好的铜基底放入管式炉中进行退火处理，以升温速率为2 ～10 ℃/min，从室温升温到350 ～550 ℃，保温2 ～10h，退火处理后，管式炉温度降至室温后将样品取出，得到长有氧化铜纳米线的样品；(3)将长有氧化铜纳米线的样品浸泡在高锰酸钾和六水合硝酸钴的混合溶液中，浸泡时间为10min ～5 h ，得到铜基底负载纳米结构铜钴锰复合氧化物材料。2.根据权利要求1所述的铜基底负载纳米结构铜钴锰复合氧化物材料的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄垒，施利毅，张登松，郑敏芳，张剑平，李红蕊，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海;31