一种由钼精矿制备2H‑MoS2纳米片的方法技术

本发明专利技术公开了一种由钼精矿制备2H‑MoS2纳米片的方法，先将钼精矿放置在气流粉碎机中，粉碎成超细粉；然后将超细粉加入到H2O2中，再加入乙醇并搅拌混匀，静置分层后，取上层液进行过滤，对过滤出的固体物进行真空干燥，得到2H‑MoS2纳米片。本发明专利技术采用钼精矿在常压下操作制备2H‑MoS2纳米片，该方法工艺简单、制备效率高，且整个过程能耗低、无污染，对环境友好，能够广泛适用于工业生产，制备出的2H‑MoS2纳米片可广泛应用于能量储存与转化、催化、润滑以及各种复合材料等领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米材料制备
，具体涉及一种由钼精矿制备2H-MoS2纳米片的方法。
技术介绍
MoS2是一种典型的过渡金属层状化合物，具有1T、2H、3R三种晶体结构：1T-MoS2为亚稳性，晶型结构具有金属性，Mo原子为八面体配位，晶胞由1个S-Mo-S单分子层组成。2H-MoS2为稳定相，晶型结构具有半导体性和润滑性，Mo原子为三角棱柱配位，晶胞由2个S-Mo-S单分子层组成，天然产出的钼矿为2H型，常温下存在典型的层状结构。3R-MoS2也为亚稳性，Mo原子为三角棱柱配位,晶胞由3个S-Mo-S单分子层组成。只有2H-MoS2具有优异的润滑性、半导体特性，当其变为超薄二维结构材料时，MoS2的禁带宽度随着其层数的较小而增加，到单层时，不但其禁带宽度由体相材料时的1.29eV增加至1.90eV，而且电子能带结构也由非直接带隙变为直接带隙。单层的MoS2相比零带隙的石墨烯，在光电子器件方面，表现出更为优异的特性，使得人们有望得到比硅芯片更薄的一种新型的MoS2芯片。此外，MoS2因其固有的二维层状结构能够方便锂离子的嵌脱而使得其在锂离子电池中具有较高的电化学储锂性能，并得到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由钼精矿制备2H‑MoS2纳米片的方法，其特征在于，先将钼精矿放置在气流粉碎机中，粉碎成超细粉；然后将超细粉加入到H2O2中，再加入乙醇并搅拌混匀，静置分层后，取上层液进行过滤，对过滤出的固体物进行真空干燥，得到2H‑MoS2纳米片。

【技术特征摘要】
1.一种由钼精矿制备2H-MoS2纳米片的方法，其特征在于，先将钼精矿放置在气流粉碎机中，粉碎成超细粉；然后将超细粉加入到H2O2中，再加入乙醇并搅拌混匀，静置分层后，取上层液进行过滤，对过滤出的固体物进行真空干燥，得到2H-MoS2纳米片。2.根据权利要求1所述的由钼精矿制备2H-MoS2纳米片的方法，其特征在于，所述钼精矿中Mo的含量≥59％。3.根据权利要求1所述的由钼精矿制备2H-MoS2纳米片的方法，其特征在于，所述超细粉激光粒度D50＝0.5～0.8μm。4.根据权利要求1所述的由钼精矿制备2H-...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐军利，崔玉青，席莎，周新文，何凯，朱琦，
申请(专利权)人：金堆城钼业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61