一种薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法，用以改善现有技术中由于湿刻工艺而导致TFT特性及稳定性下降的问题。本申请在制作薄膜晶体管的过程中，尤其是在形成源极和漏极之后，通过对暴露出的有源层的表面进行离子注入，可实现对有源层的离子补偿，从而有效改善由于湿刻工艺而导致TFT特性及稳定性下降的问题，保证形成的TFT的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法。
技术介绍
氧化物半导体技术是氧化物方向提升竞争力的重要技术，但是在氧化物半导体技术的开发过程中，TFT特性及稳定性的提升是一大难点。经研究分析，作为有源层的氧化物膜层在湿刻之后均存在表面金属离子损失的情况。这种表面金属离子成分的变化会大大恶化背沟道的特性，导致TFT特性及稳定性变差。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法，用以改善现有技术中由于湿刻工艺而导致TFT特性及稳定性下降的问题。本专利技术实施例采用以下技术方案：一种薄膜晶体管的制作方法，所述方法包括：在基底上形成栅极；在所述基底之上依次形成栅绝缘层以及有源层，其中，所述有源层为透明非晶氧化物半导体材质；在所述有源层之上形成源极和漏极，对暴露出的有源层的表面进行离子注入。通过该方案，对进行湿刻工艺后暴露出的有源层的表面进行离子注入，使背沟道离子成分得到补偿，可有效提高半导体氧化物TFT的特性和稳定性。可选地，还包括：对注入离子后的有源层进行退火处理。通过该方案，对注入离子后的有源层进行退火处理，提升注入的离子与有源层的离子的结合力，保证形成的TFT的稳定性。可选地，对注入离子后的有源层进行退火处理，具体包括：采用高温退火工艺或准分子激光退火工艺对注入离子后的有源层进行退火处理。通过该方案，退火处理的方式较为灵活。可选地，所述退火处理所需的时间为10min-60min；所需的温度为400℃-600℃。该退火环境能够保证有源层与注入的离子的有效结合。可选地，在所述有源层之上形成源极和漏极，具体包括：在所述有源层之上沉积一缓冲层，在所述缓冲层之上沉积一金属膜层；对所述金属膜层进行湿刻工艺，形成所需的源极和漏极。通过该方案，在形成源极和漏极之前形成一缓冲层，有利于加强膜层之间的粘附力。可选地，所述有源层具体为铟镓锌氧化物；对暴露出的有源层的表面进行离子注入，具体包括：将薄膜晶体管置于真空腔室中，采用杂质离子气体源对有源层暴露出的表面进行离子注入，其中，所述杂质离子至少包括：In离子、Ca离子、Zn离子。通过该方案，能够根据有源层的具体材质补偿缺失的离子，保证有源层中离子的完整性，进而保证TFT特性。可选地，所述In离子的注入量与有源层的摩尔质量之比为1％-2％；所述Ca离子的注入量与有源层的摩尔质量之比为2％-4％；所述Zn离子的注入量与有源层的摩尔质量之比为6％-8％。通过该方案，对有源层注入预设摩尔质量比例的杂质离子，使得有源层中离子含量保持平衡，进而保证TFT特性。一种薄膜晶体管，利用所述的方法制作而成。通过该方案，可有效提高半导体氧化物TFT的特性和稳定性。一种阵列基板，包括所述的薄膜晶体管。通过该方案，可有效提高TFT的特性和稳定性，进而提升阵列基板的稳定性。一种显示装置，包括所述的阵列基板。通过该方案，可有效提高TFT的特性和稳定性，进而，保证显示装置的显示品质。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的制作方法的流程示意图之一；图2为为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的制作方法的流程示意图之二；图3(a)-图3(e)为薄膜晶体管的制作工艺流程图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。下面通过具体的实施例对本专利技术所涉及的技术方案进行详细描述，本专利技术包括但并不限于以下实施例。如图1所示，为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的制作方法的流程示意图，该方法主要包括以下步骤：步骤11：在基底上形成栅极。参照图3(a)所示，首先，提供一基底21，该基底21可以为玻璃基底或柔性基底。当基板21的洁净度不满足要求时，需要对基板21进行预清洗。进一步，参照图3(b)所示，在基底21上沉积一金属膜层，并采用构图工艺形成栅极22。具体地，采用溅射法(Sputter)沉积一层金属或合金层，厚度为所述金属或合金层可以由金属钼(Mo)、金属铝(Al)、金属铜(Cu)、金属钨(W)或者金属钼(Mo)、金属铝(Al)、金属铜(Cu)、金属钨(W)中至少两种合金形成，然后通过构图工艺形成栅极22图形。其实，在沉积金属膜层之前，还可以在基底21之上先形成一缓冲层，以提升相邻膜层之间的粘附力。步骤12：在基底之上依次形成栅绝缘层以及有源层，其中，有源层为透明非晶氧化物半导体材质。参照图3(c)所示，在形成有栅极22的基底21之上形成一覆盖整个基底21的栅绝缘层23(Gate Insulator，GI)，具体地，可采用PECVD沉积一层栅极绝缘层23，厚度为材料可以是SiNx的单层或者是SiNx和SiOx的叠层。之后，在该栅绝缘层23之上形成一透明非晶氧化物半导体膜层，并对该透明非晶氧化物半导体膜层进行构图工艺，形成所需的有源层24。步骤13：在有源层之上形成源极和漏极，对暴露出的有源层的表面进行离子注入。参照图3(d)所示，在有源层24之上形成一金属膜层，具体地，可通过溅射或者热蒸镀的方法沉积金属或合金层，厚度为材料可以选用Mo、Al、Cu、W等金属，或者是几种金属的合金，经过构图工艺以后形成如图3(d)所示的源极25、漏极26。之后，参照图3(e)所示，可在形成源极25、漏极26之后，可对暴露出的有源层24的表面进行离子注入。图示中箭头所示的方向为离子注入时的注入方向，此时注入有源层中的离子为未激活的离子，即离子不能够起到施主或受主的作用。通过该技术方案，在采用湿刻工艺形成源极和漏极之后，不可避免地对有源层进行损伤，导致暴露出的有源层的表面的离子流失所造成的TFT特性下降，而本申请在形成源极和漏极之后，通过对暴露出的有源层的表面进行离子注入，可实现对有源层的离子补偿，从而有效改善由于湿刻工艺而导致TFT特性及稳定性下降的问题，保证形成的TFT的稳定性。进一步，在本专利技术实施例中，参照图2所示，在执行步骤13之后，该方法还包括：步骤14：对注入离子后的有源层进行退火处理。通过该步骤14的处理，对注入离子后的有源层进行退火工艺，提升注入的离子与有源层的离子的结合力，保证形成的TFT的稳定性。可选地，该步骤14具体执行为：采用高温退火工艺或准分子激光退火工艺对注入离子后的有源层进行退火处理。从而，提升退火处理的灵活性，以供更多的退火处理选择余地。可选地，在本专利技术实施例中，退火处理所需的时间为10min-60min；所需的温度为400℃-600℃。其实，所需的时间和温度可根据具体的有源层的材质或是进行湿刻所造成的离子损失进行合理选择。该退火环境能够保证有源层与注入的离子的有效结合。可选地，步骤13中在有源层之上形成源极和漏极的操作具体执行为：在有源层之上沉积一缓冲层，在缓冲层之上沉积一金属膜层；对金属膜层进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在基底上形成栅极；在所述基底之上依次形成栅绝缘层以及有源层，其中，所述有源层为透明非晶氧化物半导体材质；在所述有源层之上形成源极和漏极，对暴露出的有源层的表面进行离子注入。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在基底上形成栅极；在所述基底之上依次形成栅绝缘层以及有源层，其中，所述有源层为透明非晶氧化物半导体材质；在所述有源层之上形成源极和漏极，对暴露出的有源层的表面进行离子注入。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：对注入离子后的有源层进行退火处理。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，对注入离子后的有源层进行退火处理，具体包括：采用高温退火工艺或准分子激光退火工艺对注入离子后的有源层进行退火处理。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述退火处理所需的时间为10min-60min；所需的温度为400℃-600℃。5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述有源层之上形成源极和漏极，具体包括：在所述有源层之上沉积一缓冲层，在所述缓冲层之上沉积一...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡合合，宁策，王珂，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11