【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及材料领域,具体地涉及一种基于钼酸镱基质的高效上转换荧光纳米材料及其制备方法和应用。
技术介绍
光频上转换,即材料通过吸收两个或多个长波长的低能量光子之后释放出一个短波长的高能量光子的物理过程,是一种反斯托克斯发光过程。光频上转换材料,通常由稀土离子掺杂到特定的基质载体而获得。这类材料在红外探测、激光、显示技术、标记成像和能源等领域都有广泛应用价值。特别地,由于上转换材料通常采用低能量近红外光源作激发源,其不会被生物样品吸收,从而可有效避免样品的自发荧光,进而提高检测信噪比,因此所述材料在生物标记和成像领域具有很好的应用前景。在光频上转换材料中,基质材料属性是影响其上转换发光效率的重要因素。现有上转换材料的基质主要基于氟化物(如NaYF4、LiYF4、YF3)、氧化物(Yb2O3、Y2O3)以及金属盐类(Ln2BaZnO5、Ln=Y或Gd)等,使用上述基质材料所得上转换材料的上转换荧光量子产率低(纳米级材料约为0.005%-0.3%,体相材料约为<3%),这严重限制了光频上转换材料的推广应用。因此,本领域急需开发一种新的具有高上转换荧光量子产率 ...
【技术保护点】
一种荧光上转换纳米晶材料,其特征在于,所述材料包含式I所示化合物作为发光材料和任选的MoO3作为不发光材料,Yb2‑aXaMo4O15 I其中,X为掺杂的稀土元素,选自下组:Er、Ho、Tm、Eu、Nd、Gd、Tb、Ce、Sm、或其组合;a=0.03‑1。
【技术特征摘要】
1.一种荧光上转换纳米晶材料,其特征在于,所述材料包含式I所示化合物作为发光材料和任选的MoO3作为不发光材料,Yb2-aXaMo4O15 I其中,X为掺杂的稀土元素,选自下组:Er、Ho、Tm、Eu、Nd、Gd、Tb、Ce、Sm、或其组合;a=0.03-1。2.如权利要求1所述材料,其特征在于,a=0.05-0.8,较佳地0.08-0.5,更佳地0.1-0.3,最佳地0.13-0.2。3.如权利要求1所述材料,其特征在于,a=0.15-0.19,优选为0.17。4.如权利要求1所述材料,其特征在于,所述材料的粒径为35-150nm,较佳地40-120nm,更佳地50-100nm,最佳地55-80nm。5.如权利要求1所述材料,其特征在于,所述材料中,式I所示化合物和MoO3的摩尔比为1-5:5-1。6.如权利要求1所述材料,其特征在于,所述材料具有选自下组的一个或多个特征:1)在波长为975nm的近红外光激发下,所述材料的荧光上转换绝对量子产率≥1.3%,较佳地≥1.5%;2)当所述材料进一步形成为尺寸为微米级的体相材料时,其荧光上转换绝对量子产率≥5%,较佳地≥8%;3)...
【专利技术属性】
技术研发人员:王海桥,方俊锋,刘小辉,
申请(专利权)人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所,
类型:发明
国别省市:浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。