可靠性测试结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种可靠性测试结构，包括：设置有有源区和隔离结构的衬底，需覆盖于隔离结构上的阻挡层，形成于有源区的两端的导电插塞以及与导电插塞点连接的导电层，其中所述有源区、导电插塞及导电层形成串联的结构。当对本实用新型专利技术中可靠性测试结构的串联的结构进行电阻测试时，根据检测出的电阻值的大小即可判断出所述有源区与导电插塞的连接状况，从而确认在有源区上是否残留有阻挡层。同时使用本实用新型专利技术提供的可靠性测试结构，也可对阻挡层的形成过程进行异常监控。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造
，特别涉及一种可靠性测试结构。
技术介绍
在集成电路的制造工艺中，需在器件的部分区域形成金属硅化物，比如有源区与导电插塞连接的位置需要形成金属硅化物以降低接触电阻，提高导电性能。但是，器件的部分区域是不能形成金属硅化物的，如高阻多晶硅、隔离结构等区域。因此在制作金属硅化物之前，应在无需形成金属硅化物的区域形成阻挡层，利用阻挡层不会与金属发生反应的特性，防止在无需形成金属硅化物的区域形成金属硅化物。在形成阻挡层的过程中，需用用到较厚的光刻胶，这就导致同在线间距较小的情况下，于线条的底部位置极易发生由于光刻胶残留而导致的阻挡层残留的问题。若有源区上残留有阻挡层，则后续形成的导电插塞将无法与有源区接触，从而影响器件的性能。实践中发现，在严格控制光刻的制程条件下，可基本防止线条的底部发生光刻胶残留。而当光刻的制程条件发生轻微的偏差，甚至是在设备参数或工艺参数的正常范围内波动时，也有可能于线条底部之间的位置出现光刻残留。随着器件尺寸的不断缩小，在需使用较厚的光刻胶的制程中，光刻胶残留以及薄膜残留的问题也越发严重。而根据传统的缺陷检测方法，越来越无法满足需求。例如，利用晶圆检测设备对晶圆进行检测，由于受到晶圆检测设备的检测精度的限制，导致所述检测设备会出现漏检或对于较小的缺陷无法检测的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种可靠性测试结构，通过所述可靠性测试结构可有效的检测出于有源区上是否残留有阻挡层，并可对阻挡层的形成过程进行异常监控。在本技术提供的可靠性测试结构，包括：衬底、阻挡层、至少两个导电插塞以及导电层，所述衬底中形成有至少一个有源区和位于每个所述有源区周边的隔离结构，所述阻挡层形成于所述隔离结构上，每个所述有源区的两端各形成有至少一个所述导电插塞，所述导电层形成于所述导电插塞的上方，位于同一有源区两端上导电插塞分别与两个不同的导电层连接，以使所述有源区、导电插塞及导电层形成串联的结构。可选的，在所述可靠性测试结构中，所述衬底中形成有一个有源区，所述有源区的两端上各形成有一个导电插塞。可选的，在所述可靠性测试结构中，所述衬底中形成有多个有源区，每个所述有源区的两端上各形成有一个导电插塞，相邻的两个有源区上的四个导电插塞中，位于不同有源区上的两个导电插塞连接于同一导电层上。可选的，在所述可靠性测试结构中，多个所述有源区以迂回的方式排列成一蛇形结构。可选的，在所述可靠性测试结构中，所述蛇形结构具有多个不同的迂回间距。可选的，在所述可靠性测试结构中，所述迂回间距为根据最小设计尺寸成倍增长。可选的，在所述可靠性测试结构中，多个所述有源区排列成L形、U形、M型或W形。可选的，在所述可靠性测试结构中，所述有源区的形状为条形。可选的，在所述可靠性测试结构中，所述有源区的宽度大于等于最小设计尺寸。可选的，在所述可靠性测试结构中，所述导电插塞与所述隔离结构的间
距大于等于最小设计尺寸。与现有技术相比，本技术提供的可靠性测试结构中，所述有源区、导电插塞及导电层形成串联的链状结构，当对该可靠性测试结构进行电阻测试时，于所述链状结构的首末两端施加电压或电流，然后根据检测出的对应的电流值或电压值，即可获得该链状结构的电阻值，根据检测出的电阻值的大小，可判断出所述有源区与导电插塞的连接状况，从而可进一步推断于所述有源区上是否残留有阻挡层。因此，使用本技术提供的可靠性测试结构，可对阻挡层的形成过程进行异常监控。附图说明图1A为本技术实施例一的可靠性测试结构的俯视图；图1B为本技术实施例一的可靠性测试结构的剖面图；图2A为本技术实施例二的可靠性测试结构的俯视图；图2B为本技术实施例二的可靠性测试结构沿AA’方向的剖面图；图3A至图3C为形成本技术实施例一的可靠性测试结构过程中的剖面结构示意图。具体实施方式如
技术介绍
所述，在光刻工艺过程中，常常由于光刻胶残留而影响所形成的器件的性能，同时，随着器件尺寸的不断缩小，传统的缺陷检测方法也越来越无法满足需求。为此，本技术提供一种可靠性测试结构，以解决缺陷的检出率不灵敏的问题，进一步的，也可用于光刻工艺过程中的异常监控。本技术提供的一种可靠性测试结构，用于检测阻挡层形成过程中的光刻胶残留情况，包括：衬底、阻挡层、至少两个导电插塞以及导电层，所述衬底中形成有至少一个有源区和位于每个所述有源区周边的隔离结构，所述阻挡层形成于所述隔离结构上，每个所述有源区的两端各形成有至少一个
所述导电插塞，所述导电层形成于所述导电插塞的上方，位于同一有源区两端上导电插塞分别与两个不同的导电层连接，以使所述有源区、导电插塞及导电层形成串联的结构。本技术提供的可靠性测试结构中，所述有源区、导电插塞及导电层为串联的结构，当对该可靠性测试结构进行电阻测试时，于所述串联的结构的首末两端施加电压或电流，然后根据检测出的对应的电流值或电压值，即可获得该串联的结构的电阻值，依所到的电阻值进而可判断所述有源区与导电插塞的连接状况，从而可判断于所述有源区上是否残留有阻挡层，进而可推断出于光刻工艺过程中，是否存在有光刻胶残留的问题。即，使用本技术提供的可靠性测试结构，可以对阻挡层的形成过程进行异常监控。在使用本技术提供的可靠性测试结构进行检测时，可根据实际可靠性测试结构的尺寸和具体工艺设置一规格电阻，然后将检测出的电阻值与规格电阻进行比对，若检测出的电阻值小于所述规格电阻，则该串联结构中的导电插塞与有源区之间的接触无异常，于有源区上没有残留有阻挡层；若检测出的电阻值大于所述规格电阻，则该串联结构中存在至少一个导电插塞与有源区的连接异常的问题，从而导致电阻增大。以下结合附图和具体实施例对本技术提出的可靠性测试结构作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。实施例一图1A为本技术实施例一的可靠性测试结构的俯视图，图1B为图1A所示的本技术实施例一的可靠性测试结构的剖面图。如图1A及图1B所示，本实施例提供的可靠性测试结构包括：衬底、阻挡层120、至少两个导电插塞130以及导电层140，所述衬底中形成有一个有源区111和位于所述有源区111周边的隔离结构112，所述阻挡层120形成于所述隔离结构112上，所
述有源区111的两端各形成有一个所述导电插塞130，所述导电层140形成于所述导电插塞130的上方，所述有源区111中的两个导电插塞130分别与两个不同的导电层140连接，使所述有源区111、导电插塞130及导电层140形成串联的结构。本实施例中，所述有源区111和位于有源区111两端的两个导电插塞130以及分别与两个导电插塞130连接的两个导电层140共同形成一串联的结构，于所述两个导电层140上施加电压或电流以进行测试。然后即可根据测试结果判断所述有源区111与导电插塞130的连接状况，进而可推断出所述阻挡层120于形成过程中的光刻胶残留的情况。本实施例中，所述衬底中形成有一个有源区111，其中，所述有源区111的形状为条形，其横截面可以为矩形。所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可靠性测试结构，用于监测阻挡层形成过程中的光刻胶残留情况，其特征在于，包括：衬底、阻挡层、导电层以及至少两个导电插塞，所述衬底中形成有至少一个有源区和位于每个所述有源区周边的隔离结构，所述阻挡层形成于所述隔离结构上，每个所述有源区的两端各形成有至少一个所述导电插塞，所述导电层形成于所述导电插塞的上方，位于同一有源区两端上导电插塞分别与两个不同的导电层连接，以使所述有源区、导电插塞及导电层形成串联的结构。

【技术特征摘要】
1.一种可靠性测试结构，用于监测阻挡层形成过程中的光刻胶残留情况，其特征在于，包括：衬底、阻挡层、导电层以及至少两个导电插塞，所述衬底中形成有至少一个有源区和位于每个所述有源区周边的隔离结构，所述阻挡层形成于所述隔离结构上，每个所述有源区的两端各形成有至少一个所述导电插塞，所述导电层形成于所述导电插塞的上方，位于同一有源区两端上导电插塞分别与两个不同的导电层连接，以使所述有源区、导电插塞及导电层形成串联的结构。2.如权利要求1所述的可靠性测试结构，其特征在于：所述衬底中形成有一个有源区，所述有源区的两端上各形成有一个导电插塞。3.如权利要求1所述的可靠性测试结构，其特征在于：所述衬底中形成有多个有源区，每个所述有源区的两端上各形成有一个导电插塞，相邻的两个有源区上的四个导电插塞...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏禹，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12