有机发光二极管器件及其制备方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种有机发光二极管器件及其制备方法、阵列基板、显示装置，属于显示技术领域，其可改善现有的OLED显示面板在强光环境下使用时，阴极电压降增加，面板显示均匀性变差的问题。本发明专利技术的有机发光二极管器件中，在阴极远离发光功能层的一面设有光生电子薄膜层。在强光环境照射下，光生电子薄膜层会产生光生电子，光生电子会从光生电子薄膜层一侧转移到阴极中，从而降低阴极的电阻，降低阴极压降，从而达到改善面板显示均匀性的效果。本发明专利技术的有机发光二极管器件适用于各种显示装置，尤其适用于长期室外使用的显示装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显示
，具体涉及一种有机发光二极管器件及其制备方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
当便携式移动显示设备在室外环境下使用时，由于外界光强较强，人们需要调高显示屏的亮度来识别显示屏中的画面。有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板是通过提高像素的驱动电流来达到提高亮度的目的。当电流增大之后，由阴极产生的压降会大大增加，从而造成显示面板的显示均匀性降低。这种现象在顶发射OLED显示面板中更为明显，这是由于顶发射OLED的阴极要求为透明，故其阴极厚度较薄，造成阴极电阻较大。当电流流过阴极时，就产生了较大的阴极压降，当其在外界光强较强的环境下使用时，顶发射OLED的像素电流比在室内时要增大很多，此时阴极的压降问题就会更加严重，它会影响显示面板的显示均匀性。
技术实现思路
本专利技术针对现有的OLED显示面板在强光环境下使用时，阴极电压降增大，面板的显示均匀性变差的问题，提供一种有机发光二极管器件及其制备方法、阵列基板、显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是：一种有机发光二极管器件，包括阳极和阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的发光功能层，所述阴极远离所述发光功能层的一面设有光生电子薄膜层，所述光生电子薄膜层可产生光生电子，
所述光生电子可从光生电子薄膜层转移到所述阴极中。优选的是，所述光生电子薄膜层的功函数小于所述阴极的功函数。优选的是，所述光生电子薄膜层厚度为10-200nm。优选的是，所述光生电子薄膜层由硫化镉(CdS)构成。优选的是，所述阴极的功函数大于4.0eV。优选的是，所述阴极包括相邻设置的第一阴极层和第二阴极层，其中，靠近光生电子薄膜层的为第一阴极层，所述光生电子薄膜层的功函数小于所述第一阴极层的功函数。优选的是，所述第一阴极层由氧化铟锌(IZO)构成。优选的是，所述第一阴极层厚度为10-100nm。优选的是，所述有机发光二极管器件为顶发光型，所述光生电子薄膜层远离阴极的一侧设有封装层。本专利技术还提供一种有机发光二极管器件的制备方法，包括形成阳极的步骤，形成发光功能层的步骤，形成阴极的步骤，以及在阴极远离发光功能层的一面形成光生电子薄膜层的步骤，其中，所述光生电子薄膜层可产生光生电子，所述光生电子可从光生电子薄膜层转移到所述阴极中。本专利技术还提供一种阵列基板，包括上述的有机发光二极管器件。本专利技术还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。本专利技术的有机发光二极管器件中，在阴极远离发光功能层的一面设有光生电子薄膜层。在强光环境照射下，光生电子薄膜层会产生光生电子，光生电子会从光生电子薄膜层一侧转移到阴极中，从而降低阴极的电阻，降低阴极电压降，达到改善面板显示均匀性的效果。本专利技术的有机发光二极管器件适用于各种显示装置，尤其适用于长期室外使用的显示装置。附图说明图1为本专利技术实施例1的有机发光二极管器件的结构示意图；图2为本专利技术实施例2的有机发光二极管器件的结构示意图；图3为本专利技术实施例3的有机发光二极管器件的结构示意图；图4为本专利技术实施例4的有机发光二极管器件的制备流程示意图；其中，附图标记为：100、衬底；2、阳极；3、发光功能层；4、阴极；41、第一阴极层；42、第二阴极层；5、光生电子薄膜层；6、封装层。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1：本实施例提供一种有机发光二极管器件，如图1所示，包括形成于衬底100上的阳极2和阴极4，以及位于阳极2和阴极4之间的发光功能层3，阴极4远离发光功能层3的一面设有光生电子薄膜层5，光生电子薄膜层5可产生光生电子，产生的光生电子可以由光生电子薄膜层转移到阴极4中。本专利技术实施例提供的OLED器件可以是顶发光型，也可以为底发光型，也可以为双面发光型，在此不作限制。本实施例的有机发光二极管器件中，在阴极4远离发光功能层3的一面设有光生电子薄膜层5。在强光环境照射下，光生电子薄膜层5会产生光生电子，光生电子会从光生电子薄膜层5一侧转移到阴极4中，从而降低阴极4的电阻，降低阴极4压降，进而达到改善面板显示均匀性的效果。本专利技术的有机发光二极管器件适用于各种显示装置，尤其适用于长期室外使用的显示装置。实施例2：本实施例提供一种顶发光型有机发光二极管器件，如图2所示，包括形成于衬底100上的阳极2和阴极4，以及位于阳极2
和阴极4之间的发光功能层3，阴极4远离发光功能层3的一面设有光生电子薄膜层5，光生电子薄膜层5的功函数小于阴极4的功函数，光生电子薄膜层5远离阴极4的一侧设有封装层6。具体的，发光功能层3包括空穴注入层(Hole InjectionLayer，HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)、发光材料层(Emitting MaterialLayer，EML)、电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)和电子注入层(Electron Injection Layer，EIL)。本实施例的有机发光二极管器件在室外强光环境下使用时，光生电子薄膜层5会产生光生电子，由于光生电子薄膜层5与阴极4之间存在功函数差，光生电子会从光生电子薄膜层5一侧转移到阴极4中，从而降低阴极4的电阻，降低阴极4压降，进而达到改善面板显示均匀性的效果。需要说明的是，光生电子薄膜层5与阴极4之间存在功函数差值越大，阴极4的电阻降低越多，改善面板显示均匀性的效果越好。优选的是，光生电子薄膜层5由硫化镉(CdS)构成。其中，光生电子薄膜层5为对自然光有很好响应性的半导体材料，在本实施例中采用了对可见光有强烈的光电效应的硫化镉材料，可以理解的是，其它类似的锑化铟、锗掺杂(金、汞)、碲锡铅、碲镉汞等也是可行的。优选的是，光生电子薄膜层5厚度为10-200nm。也就是说，光生电子薄膜层5的厚度不宜太厚，若光生电子薄膜层5太厚会增加材料成本，还会影响光的透过性，反之，若光生电子薄膜层5太薄，则其光电效应减弱，对OLED降低功耗的贡献将减小。优选的是，阴极4的功函数大于4.0eV。也就是说，阴极4采用透明的高功函数的导电材料，具体的，当采用CdS作为光生电子薄膜层5的材料时，由于CdS的功函数为4.0eV左右，所以阴极4的功函数要大于4.0eV。且阴极4的功函数越大，在强光照射下，阴极4的电阻降低的就越多，改善面板显示均匀性的效果就越好。实施例3：本实施例提供一种顶发光型有机发光二极管器件，如图3所示，包括形成于衬底100上的阳极2和阴极4，以及位于阳极2和阴极4之间的发光功能层3，阴极4远离发光功能层3的一面设有光生电子薄膜层5，光生电子薄膜层5远离阴极4的一侧设有封装层6，其中，阴极4包括相邻设置的第一阴极层41和第二阴极层42，靠近光生电子薄膜层5的为第一阴极层41，光生电子薄膜层5的功函数小于第一阴极层41的功函数。也就是说，在此本实施例给出一种复合阴极4的实施方案，复合阴极4包括两层，第二阴极层42与发光功能层3接触，第一阴极层41与光生电子薄膜层5接触。其中光生电子薄膜层5的功函数小于第一阴极层41的功函数，这样在强光环境照射下，光生电子会从光生电子薄膜层5一侧转移到第一阴本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管器件，包括阳极和阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的发光功能层，其特征在于，所述阴极远离所述发光功能层的一面设有光生电子薄膜层，所述光生电子薄膜层可产生光生电子，所述光生电子可从光生电子薄膜层转移到所述阴极中。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管器件，包括阳极和阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的发光功能层，其特征在于，所述阴极远离所述发光功能层的一面设有光生电子薄膜层，所述光生电子薄膜层可产生光生电子，所述光生电子可从光生电子薄膜层转移到所述阴极中。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述光生电子薄膜层的功函数小于所述阴极的功函数。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述光生电子薄膜层厚度为10-200nm。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述光生电子薄膜层由硫化镉构成。5.根据权利要求4所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述阴极的功函数大于4.0eV。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述阴极包括相邻设置的第一阴极层和第二阴极层，其中，靠近光生电子薄膜层的为第一阴极层，所述光生电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：董甜，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11