石墨烯导电薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种石墨烯导电薄膜的制备方法，属于导电薄膜生产技术领域。所述方法包括以下步骤A．沉积镍层：在玻璃基底上沉积1～3个镍原子厚的镍薄膜层；B．沉积石墨烯层：采用CVD法沉积石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层的厚度为50～100μm；C．清洗、干燥：将步骤B得到的半成品进行降温处理，待温度降至室温后，将石墨烯薄膜层进行清洗，去除表面镍薄膜层，然后进行干燥即可。本发明专利技术具有生产成本低，效率高的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及石墨烯导电薄膜的制备方法，属于导电薄膜生产

技术介绍
随着科学技术的发展，社会对新型材料的需求也越来越多。材料是人类文明进步和科技发展的物质基础，材料的更新使人们的生活也发生了巨大变化。目前，蓬勃发展的新型透明而又导电的薄膜材料在液晶显示器、触摸屏、智能窗、太阳能电池、微电子、信息传感器甚至军工等领域都得到了广泛的应用，并且正在渗透到其它科技领域中。由于薄膜技术与多种技术密切相关，因而激发了各个领域的科学家们对薄膜制备及其性能的兴趣。导电薄膜是一种能导电、实现一些特定的电子功能的薄膜，被广泛用于显示器、触摸屏和太阳能电池等电子器件中。目前，作为一种透明而又导电半导体材料氧化铟锡(ITO），一直广泛应用于薄膜领域。通过在透明基材上采用磁控溅射蒸镀 ITO 制备透明导电薄膜，透明基材包括如玻璃和聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）薄膜等。因为氧化铟锡具有高电导率、高通光率，所以成为制备导电薄膜的主要材料之一。但是，氧化铟锡导电薄膜在使用过程中也存在一些缺点，包括: (1)铟资源较少，导致价格持续上涨，使得ITO成为日益昂贵的材料，如喷涂、脉冲激光沉积、电镀等。并且氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：A．沉积镍层在玻璃基底上沉积1～3个镍原子厚的镍薄膜层；所述沉积镍薄膜层的方法为磁控溅射法，本底真空度：1×10‑5～1×10‑4Pa，溅射压力1～5Pa，衬底温度50～85℃；B．沉积石墨烯层采用CVD法沉积石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层的厚度为50～100μm；C．清洗、干燥将步骤B得到的半成品进行降温处理，待温度降至室温后，将石墨烯薄膜层进行清洗，去除表面镍薄膜层，然后进行干燥即可。

【技术特征摘要】
1.石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：A．沉积镍层在玻璃基底上沉积1～3个镍原子厚的镍薄膜层；所述沉积镍薄膜层的方法为磁控溅射法，本底真空度：1×10-5～1×10-4Pa，溅射压力1～5Pa，衬底温度50～85℃；B．沉积石墨烯层采用CVD法沉积石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层的厚度为50～100μm；C．清洗、干燥将步骤B得到的半成品进行降温处理，待温度降至室温后，将石墨烯薄膜层进行清洗，去除表面镍薄膜层，然后进行干燥即可。2.如权利要求1所述的石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤B中，所述CVD法沉积石墨烯薄膜层过程中，碳源为甲烷，气体为H2和He的混合气体；沉积的温度为580～650℃，沉积的压力为...

【专利技术属性】
技术研发人员：何娟，
申请(专利权)人：成都天航智虹企业管理咨询有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51