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本发明公开了一种石墨烯导电薄膜的制备方法,属于导电薄膜生产技术领域。所述方法包括以下步骤A.沉积镍层:在玻璃基底上沉积1~3个镍原子厚的镍薄膜层;B.沉积石墨烯层:采用CVD法沉积石墨烯薄膜层,所述石墨烯薄膜层的厚度为50~100μm;C....该专利属于成都天航智虹企业管理咨询有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都天航智虹企业管理咨询有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种石墨烯导电薄膜的制备方法,属于导电薄膜生产技术领域。所述方法包括以下步骤A.沉积镍层:在玻璃基底上沉积1~3个镍原子厚的镍薄膜层;B.沉积石墨烯层:采用CVD法沉积石墨烯薄膜层,所述石墨烯薄膜层的厚度为50~100μm;C....