【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】专利
本专利技术涉及包含卤化银的导电膜元件前体，其可用于制备用于各种显示设备的导电元件。本专利技术还涉及使用这种导电膜元件前体以提供包含银的导电膜元件的方法。专利技术背景用于各种通讯、金融和存档目的的各种电子设备、尤其显示设备中正在发生快速进展。对于诸如触摸屏面板、电致变色设备、发光二极管、场效应晶体管和液晶显示器的用途，导电薄膜是必需的，并且行业中正在作出相当大的努力以改善那些导电薄膜的性质。对于提供包含改善的导电膜元件的触摸屏显示器和设备存在特别需求。当前，触摸屏显示器使用氧化铟锡(ITO)涂层以产生用以区别多点接触的电容区域阵列。ITO涂层具有显著缺点。铟是昂贵的稀土金属并且可从世界上极少来源以有限供应获得。ITO电导率相对低并且需要短线路长度来实现充足的响应速率。用于大显示器的触摸屏分割成较小区段(segment)以将导电线路长度减小到可接受的电阻。这些较小的区段需要另外的驱动和传感电子设备。此外，ITO是陶瓷材料，不容易弯曲或折曲，并且需要用高处理温度的真空沉积来制备导电层。银是具有比ITO大50到100倍的电导率的理想导体。与大多数金属氧化物不同，...
【技术保护点】
一种导电膜元件前体，其包含基底，所述基底具有第一支撑面和相对的第二支撑面，并且所述导电膜元件前体在所述基底的所述第一支撑面上依次包含：包含卤化银的第一无色亲水性光敏层，所述卤化银的覆盖率低于5000 mg Ag/m2，和布置在所述第一无色亲水性光敏层上方的第一亲水性外涂层，所述第一亲水性外涂层是所述基底的所述第一支撑面上的最外层，并且所述第一亲水性外涂层包含卤化银，其量为至少5 mg Ag/m2并且至多并包括150 mg Ag/m2。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.29 US 14/1669101.一种导电膜元件前体，其包含基底，所述基底具有第一支撑面和相对的第二支撑面，并且所述导电膜元件前体在所述基底的所述第一支撑面上依次包含：包含卤化银的第一无色亲水性光敏层，所述卤化银的覆盖率低于5000 mg Ag/m2，和布置在所述第一无色亲水性光敏层上方的第一亲水性外涂层，所述第一亲水性外涂层是所述基底的所述第一支撑面上的最外层，并且所述第一亲水性外涂层包含卤化银，其量为至少5 mg Ag/m2并且至多并包括150 mg Ag/m2。2.权利要求1所述的导电膜元件前体，其中所述第一亲水性外涂层中的卤化银具有至少100 nm并且至多并包括1000 nm的晶粒ESD。3.权利要求1所述的导电膜元件前体，其中所述第一无色亲水性光敏层中的卤化银具有至少30 nm并且至多并包括300 nm的晶粒ESD。4.权利要求1所述的导电膜元件前体，其中所述第一亲水层的晶粒ESD与干厚度之比为0.25:1至并包括1.75:1。5.权利要求1所述的导电膜元件前体，其中所述第一亲水性外涂层的干厚度为至少100 nm 并且至多并包括800 nm。6.权利要求1所述的导电膜元件前体，其中所述第一亲水性外涂层的干厚度为至少300 nm 并且至多并包括500 nm。7.权利要求1所述的导电膜元件前体，其中基于总银含量，所述第一亲水性外涂层中的卤化银包含至多100 mol%氯化物或至多100 mol%溴化物和至多并包括5 mol%碘化物。8.权利要求1所述的导电膜元件前体，其中基于全部的银，所述第一亲水性外涂层中的卤化银包含至多100 mol%溴化物。9.权利要求1所述的导电膜元件前体，其中表示为µJ/m2，所述第一亲水性外涂层中的卤化银乳剂的曝光灵敏度是所述第一无色亲水性光敏层中的卤化银乳剂的最佳灵敏度的至少10% 并且至多并包括200%。10.权利要求1所述的导电膜元件前体，其进一步包含在所述基底的所述第一支撑面和所述第一无色亲水性光敏层之间的UV吸收层。11.权利要求1所述的导电膜元件前体，其在所述基底的所述相对的第二支撑面上进一步包含第二无色亲水性光敏层和布置在所述第二无色亲水性光敏层上方的第二亲水性外涂层。12.权利要求11所述的导电膜元件前体，其中所述第二无色亲水性光敏层和所述第二亲水性外涂层分别具有与所述第一无色亲水性光敏层和所述第一亲水性外涂层相同的组成。13.权利要求1所述的导电膜元件前体，其中如以μJ/m2表示的，所述第一亲水性外涂层中的卤化银乳剂的曝光灵敏度是所述第一无色亲水性光敏层中的卤化银乳剂的最佳灵敏度的至少10%并且至多并包括200%，并且如以μJ/m2表示的，所述第二亲水性外涂层中的卤化银乳剂的曝光灵敏度是所述第二无色亲水性光敏层中的卤化银乳剂的最佳灵敏度的至少10%并且至多并包括200%。14.一种提供导电膜元件的方法，其包括：以图像方式曝光导电膜元件前体，所述导电膜元件前体包含：具有第一支撑面和相对的第...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。