一种高密度电极阵列结构制造技术

技术编号:1364526 阅读:99 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及高密度电极阵列技术领域,特别是一种高密度电极阵列结构。高密度电极阵列,由微孔阵列、单电极、固定树脂、接口板组成,其单电极置于微孔阵列的垂直孔中;单电极的尾部焊有引线,单电极的头部呈尖状,伸出微孔阵列的垂直孔;在单电极的尾部与微孔阵列的上表面上方有固定树脂,引线末端焊接至接口板。(*该技术在2015年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
一种高密度电极阵列结构
本专利技术涉及高密度电极阵列
,特别是一种高密度电极阵列结构。
技术介绍
电极阵列是在一块基片集成多个微电极形成阵列,植入脑皮层的多电极阵列,可以读取脑中神经元群体活动的细节信息。在神经科学基础研究方面,多电极阵列开始成为一种重要的神经信息探测手段,在医学应用方面,多电极阵列成为神经科学面向医学应用的接口。1981年,美国科学家Kruger等人在间距250微米的网格上,用陶瓷材料固定多个微电极成为多电极阵列,这种方法效率低,电极长度及平行度不易控制。以后出现了多种改进多电极阵列制造方法,如尤他大学的电极阵列是在硅基片上用划片刀直接刻出多个电极尖,再经绝缘、焊线等工艺制成成品,这类方法问题在于电极尖的尺寸不可能做得太细,而太粗的电极对脑组织的损伤是较大的,同时也很难制造密度高的多电极阵列。另外还有采用光刻蚀、离子溅射等平面集成电路制造工艺制成片状的多电极,再叠合形成多电极阵列,如美国密歇根大学的电极阵列,但这类电极阵列在综合性能方面仍需改进,目前也还未产品化。
技术实现思路
本专利技术的目的是要提供一种高密度电极阵列结构。提供一种电极直径很细、易于实现高密度的多电极阵列结构。为达到上述目的,本专利技术的解决方案是提供一种高密度电极阵列结构,由微孔阵列、单电极、引线、固定树脂和接口组成,其单电极为直角形,置于微孔阵列的垂直孔中;单电极的尾部较头部长,水平延伸,单电极的头部呈尖状,伸出微孔阵列的垂直孔;在单电极的部分水平尾-->部与微孔阵列的上表面上方有固定树脂。本专利技术是将极细的电极丝制成的单个电极,在电极尾部预先焊接上引线,然后插入到微孔阵列中,形成多电极阵列。这种方法所组装出电极阵列背面已经有引线,省去了难度较高的在阵列背面焊引线的工艺。  一种高密度电极阵列,由微孔阵列、单电极、引线、固定树脂和接口板组成,其特征在于,单电极为直角形,置于微孔阵列的垂直孔中;单电极的尾部焊接有引线,单电极的头部呈尖状,伸出微孔阵列的垂直孔;在单电极的尾部与微孔阵列的上表面上方有固定树脂;引线末端焊接在接口板上。所述引线为0.01毫米~0.03毫米直径的漆包铜线或漆包银线或漆包金线。本专利技术使用预先焊接有引线的单电极,可以组装出电极数很多阵列,电极间距也可以很小,易于制造出高密度电极阵列。附图说明图1为本专利技术的高密度电极阵列的单个电极示意图。图2为本专利技术的高密度电极阵列的微孔阵列示意图。图3为本专利技术的高密度电极阵列的微孔阵列安装示意图。具体实施方式见图1,备孔径25微米左右、孔深1毫米、孔间距150微米、15×15的微孔阵列2。备直径为20微米的单电极1共225根,在电极1端2.5毫米处焊接上引线3,操作将单个电极1入微孔阵列2孔,全部电极1入后,在微孔阵列2面滴上树脂4,固定电极1及引线焊点,引线3末端焊接至接口板5。图2,高密度电极阵列的微孔阵列结构,在微孔阵列2中有多个孔,以备电极1的插入。图3,高密度电极阵列的微孔阵列2中插入电极1后的安装结构示意图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高密度电极阵列结构,由微孔阵列、单电极、引线、固定树脂和接口板组成,其特征在于,单电极为直角形,置于微孔阵列的垂直孔中;单电极的尾部焊接有引线,单电极的头部呈尖状,伸出微孔阵列的垂直孔;在单电极的尾部与微孔阵列的上表面上方有固定树脂;引线末端焊接在接口板上。

【技术特征摘要】
1、一种高密度电极阵列结构,由微孔阵列、单电极、引线、固定树脂和接口板组成,其特征在于,单电极为直角形,置于微孔阵列的垂直孔中;单电极的尾部焊接有引线,单电极的头部呈尖状,伸出微孔阵列的垂直孔;在...

【专利技术属性】
技术研发人员:唐世明
申请(专利权)人:中国科学院生物物理研究所
类型:实用新型
国别省市:11[中国|北京]

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