一种共蒸设备制造技术

本发明专利技术公开了一种共蒸设备，其具有一共蒸腔体，共蒸腔体包括腔体底部、和腔体底部对应的腔体顶部、连接腔体底部和腔体顶部的腔体侧壁；腔体顶部设置旋转装置，以带动待镀膜基片旋转；腔体底部设置蒸发电极，以加热蒸发镀膜材料在待镀膜基片上形成镀膜；腔体侧壁设置晶控探头和晶控挡板。晶控挡板阻挡在晶控探头和蒸发电极之间，晶控挡板设置有多个通孔；在蒸发电极加热蒸发镀膜材料对待镀膜基片进行镀膜的同时，使镀膜材料以气相状态穿过通孔沉积在晶控探头上形成镀膜，进而避免晶控探头镀膜过厚而降低灵敏度，能够保证晶控探头测量镀膜厚度的准确性，进而保证其确定待镀膜基片的镀膜厚度的准确性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及真空镀膜
，尤其涉及一种共蒸设备。
技术介绍
蒸发镀膜，是目前常用的镀膜技术之一。蒸发镀膜的主要原理，是通过加热蒸发某种物质，使该物质沉积在固体表面进行镀膜。蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件(如金属、陶瓷、塑料等基片)置于坩埚前方。待系统抽至高真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜的厚度决定于蒸发源的蒸发速率和时间(或决定于装料量)，并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。而为了检测膜的厚度，可同时对晶控探头和基片进行镀膜，晶控探头根据自身镀膜的厚度推导出基片镀膜的厚度。但是，由于晶控探头的灵敏度和晶控探头上的镀膜厚度有关。因此，晶控探头很有可能在基片镀膜未完成之前便失效，进而在检测基片厚度时，会影响镀膜厚度检测的准确性。
技术实现思路
本专利技术了提供了一种共蒸设备，以解决晶控探头在基片镀膜未完成之前失效，进而影响镀膜厚度检测的准确性的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种共蒸设备，包括：共蒸腔体，包括腔体底部、和所述腔体底部对应的腔体顶部、连接所述腔体底部和所述腔体顶部的腔体侧壁；旋转装置，设置在所述腔体顶部，用于安装待镀膜基片；所述旋转装置的旋转可带动所述待镀膜基片旋转；蒸发电极，设置在所述腔体底部，用于加热蒸发镀膜材料，使所述镀膜材料以气相状态沉积在所述待镀膜基片上形成镀膜；晶控探头，设置在所述腔体侧壁上，用于在所述蒸发电极加热所述蒸发镀膜材料对所述待镀膜基片进行镀膜的同时，探测所述晶控探头上的镀膜厚度；晶控挡板，设置在所述腔体侧壁上，并且所述晶控挡板位于所述晶控探头和所述蒸发电极之间；所述晶控挡板设置有多个通孔；在所述蒸发电极加热所述蒸发镀膜材料对所述待镀膜基片进行镀膜的同时，使所述镀膜材料以气相状态穿过所述通孔沉积在所述晶控探头上形成镀膜。优选的，所述腔体侧壁上还设置有壁门。优选的，所述旋转装置包括：旋转转轴，公转盘，M个自转盘，连接支架；其中，M为正整数；所述旋转转轴连接在所述公转盘和所述腔体顶部之间；所述M个自转盘通过所述连接支架连接在所述腔体顶部或者所述腔体侧壁；所述公转盘和所述M个自转盘啮合，通过所述旋转转轴的转动带动所述公转盘转动，进而带动所述M个自转盘沿着所述公转盘进行公自转；所述M个自转盘各自连接所述待镀膜基片。优选的，所述腔体底部设置有电极挡板，用于在所述蒸发电极停止工作之后，覆盖保护所述蒸发电极。优选的，所述腔体底部和所述蒸发电极之间安装有水冷装置，用于冷却所述蒸发电极。优选的，所述晶控挡板由气缸控制；通过所述气缸控制所述晶控挡板进行伸缩运动，进而使所述晶控挡板阻挡在所述蒸发电极和所述晶控探头之间。优选的，所述待镀膜基片的镀膜厚度的计算方式为：所述待镀膜基片的镀膜厚度＝所述晶控探头上的镀膜厚度+所述晶控挡板上的镀膜厚度。通过本专利技术的一个或者多个技术方案，本专利技术具有以下有益效果或者优点：本专利技术提供了一种共蒸设备，其具有一共蒸腔体，共蒸腔体包括腔体底部、和腔体底部对应的腔体顶部、连接腔体底部和腔体顶部的腔体侧壁；旋转装置，设置在腔体顶部，用于安装待镀膜基片；旋转装置的旋转可带动待镀膜基片旋转；蒸发电极，设置在腔体底部，用于加热蒸发镀膜材料，使镀膜材料以气相状态沉积在待镀膜基片上形成镀膜；晶控探头，设置在腔体侧壁上，用于在蒸发电极加热蒸发镀膜材料对待镀膜基片进行镀膜的同时，探测晶控探头上的镀膜厚度；晶控挡板，设置在腔体侧壁上，并且晶控挡板阻挡在晶控探头和蒸发电极之间；晶控挡板设置有多个通孔；在蒸发电极加热蒸发镀膜材料对待镀膜基片进行镀膜的同时，使镀膜材料以气相状态穿过通孔沉积在晶控探头上形成镀膜，进而避免晶控探头镀膜过厚而降低灵敏度，能够保证晶控探头测量镀膜厚度的准确性，进而保证其确定待镀膜基片的镀膜厚度的准确性。附图说明图1-图2为本专利技术实施例中共蒸设备的结构示意图；图3-图4为本专利技术实施例中公转盘和自转盘的结构关系示意图。附图标记说明：蒸发电极左安装孔1、蒸发电极右安装孔2、蒸发电极3、晶控安装板4、挡板安装孔5、水冷接口6、晶控探头7、待镀膜基片8、旋转装置9、旋转转轴10、公转盘11、自转盘12、晶控挡板13，工件盘14、腔体顶部15。具体实施方式为了使本申请所属
中的技术人员更清楚地理解本申请，下面结合
附图，通过具体实施例对本申请技术方案作详细描述。在本专利技术实施例中，提供了一种共蒸设备。主要用来解决晶控探头7在基于自身镀膜厚度来确定基片的镀膜厚度时，由于晶控探头7的灵敏度的温度使得基片镀膜厚度测量不准确的问题。下面请参看图1-图2，是共蒸设备的结构示意图。在具体的实施过程中，本专利技术的共蒸设备包括一个共蒸腔体。共蒸腔体包括腔体底部、腔体顶部15以及腔体侧壁。其中，所述腔体底部和所述腔体顶部15对应设置，所述腔体侧壁连接所述腔体底部和所述腔体顶部15。共蒸腔体的形状不定，长方体型结构、正方体型结构，圆柱体型结构等等都可。另外，腔体侧壁上还设置有壁门，在安装待镀膜基片8时，先打开壁门安装待镀膜基片8。而在抽真空时，需要先关闭壁门。腔体顶部15设置有旋转装置9，旋转装置9用于安装待镀膜基片8；所述旋转装置9的旋转可带动所述待镀膜基片8进行旋转。具体来说，由于本专利技术的蒸发电极3固定设置在腔体底部。因此，为了保证待镀膜基片8的镀膜均匀性，可在腔体顶部15设置旋转装置9，通过旋转装置9带动待镀膜基片8旋转，进而保证待镀膜基片8的镀膜均匀性。在具体地实施过程中，所述旋转装置9包括旋转转轴10，公转盘11，M个自转盘12，连接支架。其中，M为正整数。对于自转盘12的个数本专利技术不做限制，每个自转盘12可连接一待镀膜基片8。例如，每个自转盘12下可设置一夹具，用来夹持各自的待镀膜基片8。当然，自转盘12也可以通过其他方式连接待镀膜基片8，例如利用工件盘14装载待镀膜基片8。在此本专利技术不做限制。参看图3-图4，是公转盘11和自转盘12的关系。所述旋转转轴10连接在所述公转盘11和所述腔体顶部15之间。所述M个自转盘12通过所述连接支架连接在所述腔体顶部15或者所述腔体侧壁。对于连接支架来说，M个自转盘12可以使用一个连接支架，当然，每个自转盘12也可以各自使用一个连接支架。连接支架的主要目的是为了使自转
盘12能够活动的连接在腔体顶部15或者腔体侧壁上。所述公转盘11和所述M个自转盘12啮合，通过所述旋转转轴10的转动带动所述公转盘11转动，进而带动所述M个自转盘12沿着所述公转盘11进行公自转。以上介绍的是腔体顶部15的设置，下面介绍腔体底部的各个部件。蒸发电极3，设置在所述腔体底部，用于加热蒸发镀膜材料，使所述镀膜材料以气相状态沉积在所述待镀膜基片8上形成镀膜。蒸发电极3通过蒸发电极左安装孔1和蒸发电极右安装孔2固定安装在腔体底部。蒸发电极3可以为一个，也可以为多个，蒸发电极3的数目根据实际情况而定。例如，在本专利技术实施例中，蒸发电极3的数目是5个。蒸发电极3的数目和自转盘12的数目无关联。例如：在腔体底部可设置5个蒸发电极3，但是在腔体顶部15，可以设置三个或者两个自转盘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共蒸设备，其特征在于，包括：共蒸腔体，包括腔体底部、和所述腔体底部对应的腔体顶部、连接所述腔体底部和所述腔体顶部的腔体侧壁；旋转装置，设置在所述腔体顶部，用于安装待镀膜基片；所述旋转装置的旋转可带动所述待镀膜基片旋转；蒸发电极，设置在所述腔体底部，用于加热蒸发镀膜材料，使所述镀膜材料以气相状态沉积在所述待镀膜基片上形成镀膜；晶控探头，设置在所述腔体侧壁上，用于在所述蒸发电极加热所述蒸发镀膜材料对所述待镀膜基片进行镀膜的同时，探测所述晶控探头上的镀膜厚度；晶控挡板，设置在所述腔体侧壁上，并且所述晶控挡板位于所述晶控探头和所述蒸发电极之间；所述晶控挡板设置有多个通孔；在所述蒸发电极加热所述蒸发镀膜材料对所述待镀膜基片进行镀膜的同时，使所述镀膜材料以气相状态穿过所述通孔沉积在所述晶控探头上形成镀膜。

【技术特征摘要】
1.一种共蒸设备，其特征在于，包括：共蒸腔体，包括腔体底部、和所述腔体底部对应的腔体顶部、连接所述腔体底部和所述腔体顶部的腔体侧壁；旋转装置，设置在所述腔体顶部，用于安装待镀膜基片；所述旋转装置的旋转可带动所述待镀膜基片旋转；蒸发电极，设置在所述腔体底部，用于加热蒸发镀膜材料，使所述镀膜材料以气相状态沉积在所述待镀膜基片上形成镀膜；晶控探头，设置在所述腔体侧壁上，用于在所述蒸发电极加热所述蒸发镀膜材料对所述待镀膜基片进行镀膜的同时，探测所述晶控探头上的镀膜厚度；晶控挡板，设置在所述腔体侧壁上，并且所述晶控挡板位于所述晶控探头和所述蒸发电极之间；所述晶控挡板设置有多个通孔；在所述蒸发电极加热所述蒸发镀膜材料对所述待镀膜基片进行镀膜的同时，使所述镀膜材料以气相状态穿过所述通孔沉积在所述晶控探头上形成镀膜。2.如权利要求1所述的共蒸设备，其特征在于，所述腔体侧壁上还设置有壁门。3.如权利要求1所述的共蒸设备，其特征在于，所述旋转装置包括：旋转转轴，公转盘，M个自转盘，连接支架；其中，M为正整数；所述旋转转轴...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨小军，向勇，傅绍英，
申请(专利权)人：成都西沃克真空科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51