多谐振模式的薄膜体声波谐振器及其制备方法和滤波器技术

本发明专利技术公开了多谐振模式的薄膜体声波谐振器，依次包括硅衬底和压电堆叠结构，所述压电堆叠结构之间的空腔形成薄膜体声波谐振器的谐振腔；所述压电堆叠结构由下至上依次包括底电极、两层以上的压电薄膜、顶电极。本发明专利技术的薄膜体声波谐振器，具有多个谐振点，可通过级联、桥接等方式设计出多通带滤波器，大大减少无线终端上的FBAR滤波器数量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及体声波谐振器，特别涉及一种多谐振模式的薄膜体声波谐振器及其制备方法和滤波器。
技术介绍
微型化、集成化、高性能是无线终端对频率器件的要求。传统射频/微波频段频率器件的解决方案为介质滤波器和声表面波滤波器。前者具有较好的性能，但体积太大后者虽然体积小，但存在工作频率低、插入损耗大、功率容量低的缺点。薄膜体声波谐振器(film bulk acoustic resonator，FBAR)技术是目前唯一有望集成的射频滤波器技术，综合了介质滤波器性能优越和声表面波(surfaceacoustic wave，SAW)滤波器体积小的优势，同时克服了两者的缺点。它具有工作频率高、功率容量大、损耗低、体积小、温度稳定性好以及可与射频集成电路(radio frequency integrated circuit，RFIC)或微波单片电路(microwave monolithicintegrated circuit，MMIC)集成的优点。薄膜体声波谐振器采用金属电极-压电薄膜-金属电极的三明治结构，其工作原理为：当在两电极上施加一交变电压时，在压电薄膜内会形成交变电场，压电薄膜由于逆压电效本文档来自技高网...

【技术保护点】
多谐振模式的薄膜体声波谐振器，其特征在于，依次包括硅衬底和压电堆叠结构，所述压电堆叠结构之间的空腔形成薄膜体声波谐振器的谐振腔；所述压电堆叠结构由下至上依次包括底电极、两层以上的压电薄膜、顶电极；各层压电薄膜的面积不同。

【技术特征摘要】
1.多谐振模式的薄膜体声波谐振器，其特征在于，依次包括硅衬底和压电堆叠结构，所述压电堆叠结构之间的空腔形成薄膜体声波谐振器的谐振腔；所述压电堆叠结构由下至上依次包括底电极、两层以上的压电薄膜、顶电极；各层压电薄膜的面积不同。2.根据权利要求1所述的多谐振模式的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述空腔为上凸或下凹的空腔。3.根据权利要求1所述的多谐振模式的薄膜体声波谐振器，其特征在于，当所述空腔为上凸的空腔时，所述压电堆叠结构还包括位于底电极之下的支撑层，所述支撑层与硅衬底之间的空腔形成薄膜体声波谐振器的谐振腔。4.根据权利要求1所述的多谐振模式的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电薄膜为C轴择优取向的AlN压电薄膜。5.权利要求1所述的多谐振模式的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)利用刻蚀技术在硅衬底的顶表面制备一个凹槽；(2)在凹槽中填满牺牲层材料；(3)在牺牲层材料之上沉积一层金属底电极，并进行图形化；(4)采用射频磁控溅射沉积一层压电膜，对...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，刘国荣，李洁，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44