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本发明公开了多谐振模式的薄膜体声波谐振器，依次包括硅衬底和压电堆叠结构，所述压电堆叠结构之间的空腔形成薄膜体声波谐振器的谐振腔；所述压电堆叠结构由下至上依次包括底电极、两层以上的压电薄膜、顶电极。本发明的薄膜体声波谐振器，具有多个谐振点，可...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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