一种便携式心电检测仪内MOS管控制电路制造技术

技术编号:13582389 阅读:128 留言:0更新日期:2016-08-24 04:15
本实用新型专利技术公开了一种便携式心电检测仪内MOS管控制电路,包括二极管D1、电阻R1、电容C1、三极管Q1、电容C3和MOS管Q2,所述二极管D1正极分别连接电源Vi、电容C1和电阻R2,二极管D1负极连接电阻R1,电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、三极管Q1发射极和MOS管Q2的G极,MOS管Q2的S极分别连接电阻R3和电容C3,电容C3另一端分别连接电阻R3另一端和三极管Q1集电极,三极管Q1基极分别连接电容C1另一端、二极管D2正极和电阻R2另一端。本实用新型专利技术便携式心电检测仪内MOS管控制电路,能够对MOS管进行稳定的驱动控制,而且将电容C3跨接在MOS管Q2的S极和三极管Q1的集电极之间,可以减缓电压变化率dv/dt,使MOS管发热量得到减少,对MOS管起到保护作用。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种控制电路,具体是一种便携式心电检测仪内MOS管控制电路
技术介绍
心电信号是反映人体健康状况的重要指标,目前许多医院都有数字化心率检测仪,用于病症诊断和心率监护,这些仪器普遍体积较大,费用较高,适合于在医疗单位使用。随着生活质量的提高, 人们对健康愈加关注,需要随时随地检测自己的心电信号以评估自己的健康状况这使得人们对便携式心电监测仪的需求日益增加。便携式医疗设备正不断改进数以百万计患者的医疗保健条件。现在外国的先进运动手表甚至能够无线记录用户的心率。未来,还将有众多能显著改善医疗实施及其效果的创新型医疗应用产品。满足便携式医疗领域的微处理器需求给半导体企业带来了挑战。虽然工程设计无外乎是在相对立的功能、规范以及空间限制条件之间进行取舍,但是这种平衡取舍在便携式医疗领域往往非常棘手,便携式心电检测仪内部有很多采用MOS管的控制电路,一般在MOS管的栅极施加一个可调节的驱动信号,通过调节驱动信号的占空比来控制MOS管的导通和关断时间,从而输出可调节、可控制的的电压,但是很多这样的驱动控制电路在设计上存在一定的缺陷,存在因稳定性不高而导致MOS管功耗过高、升温快的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种便携式心电检测仪内MOS管控制电路,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种便携式心电检测仪内MOS管控制电路,包括二极管D1、电阻R1、电容C1、三极管Q1、电容C3和MOS管Q2,所述二极管D1正极分别连接电源Vi、电容C1和电阻R2,二极管D1负极连接电阻R1,电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、三极管Q1发射极和MOS管Q2的G极,MOS管Q2的S极分别连接电阻R3和电容C3,电容C3另一端分别连接电阻R3另一端和三极管Q1集电极,三极管Q1基极分别连接电容C1另一端、二极管D2正极和电阻R2另一端,MOS管Q2的D极分别连接接地电容C2和输出端Vo。作为本技术再进一步的方案:所述MOS管Q2为NMOS管。与现有技术相比,本技术的有益效果是:本技术便携式心电检测仪内MOS管控制电路,能够对MOS管进行稳定的驱动控制,而且将电容C3跨接在MOS管Q2的S极和三极管Q1的集电极之间,可以减缓电压变化率dv/dt,使MOS管发热量得到减少,对MOS管起到保护作用。附图说明图1为便携式心电检测仪内MOS管控制电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。请参阅图1,本技术实施例中,一种便携式心电检测仪内MOS管控制电路,包括二极管D1、电阻R1、电容C1、三极管Q1、电容C3和MOS管Q2,所述二极管D1正极分别连接电源Vi、电容C1和电阻R2,二极管D1负极连接电阻R1,电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、三极管Q1发射极和MOS管Q2的G极,MOS管Q2的S极分别连接电阻R3和电容C3,电容C3另一端分别连接电阻R3另一端和三极管Q1集电极,三极管Q1基极分别连接电容C1另一端、二极管D2正极和电阻R2另一端,MOS管Q2的D极分别连接接地电容C2和输出端Vo;所述MOS管Q2为NMOS管。本技术的工作原理是:请参阅图1,由于Q1基极电流流经R2,因此在加速电容C1上就有了一个负电压,电源Vi接通时,MOS管Q2栅-源通过D1和R1被迅速前向偏置,C1放电时,D2对Q1基极-发射极连接进行保护,电路会一直保持这种状态,持续从输出端Vo输出稳定的电流;电容C3的作用是利用其充电电流,加快三极管Q1的导通速度,另外电容C3跨接在MOS管Q2的S极和三极管Q1的集电极之间,可以减缓电压变化率dv/dt,使MOS管发热量得到减少,对MOS管起到保护作用。对于本领域技术人员而言,显然本技术不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本技术。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种便携式心电检测仪内MOS管控制电路,包括二极管D1、电阻R1、电容C1、三极管Q1、电容C3和MOS管Q2,其特征在于,所述二极管D1正极分别连接电源Vi、电容C1和电阻R2,二极管D1负极连接电阻R1,电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、三极管Q1发射极和MOS管Q2的G极,MOS管Q2的S极分别连接电阻R3和电容C3,电容C3另一端分别连接电阻R3另一端和三极管Q1集电极,三极管Q1基极分别连接电容C1另一端、二极管D2正极和电阻R2另一端,MOS管Q2的D极分别连接接地电容C2和输出端Vo。

【技术特征摘要】
1.一种便携式心电检测仪内MOS管控制电路,包括二极管D1、电阻R1、电容C1、三极管Q1、电容C3和MOS管Q2,其特征在于,所述二极管D1正极分别连接电源Vi、电容C1和电阻R2,二极管D1负极连接电阻R1,电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、三极管Q1发射极和MOS管Q2的G极,MOS管Q2的S极...

【专利技术属性】
技术研发人员:唐艺琳
申请(专利权)人:河北师范大学
类型:新型
国别省市:河北;13

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