多裸芯写入管理中的模式突破制造技术

一种裸芯分配方案，将数据具有一些随机性地以其被接收的次序发送到多个存储器裸芯。随机化事件，诸如跳过裸芯或反转方向，通过在随机化事件之间使用的确定性的分配方案在间隔处发生。随机化事件之间的间隔可以是随机的长度或者固定的长度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般地涉及非易失性半导体存储器、其操作，并且具体地涉及包括多个裸芯的存储器系统的操作。
技术介绍
现在存在许多商业上成功的可用的非易失性存储器产品，其使用闪速EEPROM单元的阵列。闪速存储器系统的示例在图1中示出，其中存储器单元阵列1连同各种外围电路——诸如列控制电路2、行控制电路3、数据输入/输出电路6等形成在存储器芯片12上。一种流行的闪速EEPROM架构利用NAND阵列，其中大量串的存储器单元通过在单独的位线和参考电势之间的一个或多个选择晶体管连接。图2A-2B示出了平面的NAND闪速存储器阵列的示例。在其它示例中，NAND串在可以被称为是三维(3D)存储器中在垂直方向中延伸。闪速存储器通常布置在块中，其中一块作为擦除的单元。图3A示出了存储器裸芯中的被布置在两个平面中的块。平面中的块共享某个电路，使得一次仅访问在平面中的一个块。多个平面允许在裸芯中的多个块被并行访问。多个裸芯可以由存储器总线连接到存储器控制器，如图3B中所示。存储器控制器接收数据并且将其分布到裸芯。尽管这样的布置可以允许一些条件中的高度的并行性，但是当一个或多个裸芯变为繁忙时可能产生延迟并且从而可能影响写入速度。
技术实现思路
由存储器控制器实现的裸芯分配方案，通过一些模式突破(例如随机化)将数据以其被接收的次序分配到连接到(例如通过共享的存储器总线)存储器控制器的多个存储器裸芯，以打乱主机数据模式到裸芯的对齐。随机化可
以由随机化事件——诸如跳过一个或多个裸芯、或者分配的反转的次序(方向)引入。裸芯的跳过可以通过使用缓慢的写入模态实现，该缓慢的写入模态使得一个或多个裸芯比正常更长地保持繁忙并且从而使得它们被跳过的。随机化事件可以以适当的频率引入以确保足够的模式突破，而维持足够的写入性能。操作在非易失性存储器系统中的多个非易失性存储器裸芯的方法的示例包括：将数据的多个部分发送到多个存储器裸芯；根据以确定性的方式将数据的部分分配到裸芯的第一分配方案将数据的部分分配到单独的存储器裸芯；以及根据第二分配方案将所述数据的多个部分的至少一部分发送到单独的存储器裸芯，该第二分配方案以与所述第一分配方案相反的模式突破的方式分配所述多个部分的至少一个，打乱根据所述第一分配方案的数据到裸芯的对齐。模式突破的方式可以是随机的方式。第一分配方案可以以循环的模式将单独的数据的部分分配到单独的存储器裸芯，并且以所述模式突破的方式分配可以包括跳过在循环的模式中的下一个就绪的裸芯。第一分配方案可以以循环的模式将单独的数据的部分分配到单独的存储器裸芯，跳过繁忙的裸芯，并且以所述随机的方式分配可以包括增加随机地选择的裸芯的编程时间，使得所述随机地选择的裸芯保持繁忙一段延长的时段，在该延长的时段期间所述随机地选择的裸芯被跳过。第一分配方案可以以循环的模式将单独的数据的部分分配到单独的存储器裸芯，并且以所述随机的方式分配可以包括随机地反转循环的模式的方向。第一分配方案可以以循环的模式将单独的数据的部分分配到单独的存储器裸芯，并且以所述随机的方式分配可以包括在随机地选择的裸芯处开始所述循环的模式的周期。循环的模式可以从随机地选择的裸芯继续一段随机数量的裸芯，在此之后在随机地选择的裸芯处开始另外的周期。以模式突破的方式将所述数据的多个部分的至少一部分分配到所述存储器裸芯可以提供比以非随机的模式分配更慢的写入速度。操作非易失性存储器系统的方法的示例包括：在将所述存储器控制器连接到多个存储器裸芯的存储器总线之上，以循环的编址模式将单元的数据从存储器控制器发送，直到在所述循环的编址模式中紧挨着最后编址的存储器裸芯的存储器裸芯为繁忙的，或者模式突破被触发；响应于确定在所述循环的编址模式中紧挨着所述最后编址的存储器裸芯的存储器裸芯是繁忙的，跳
过在所述循环的编址模式中是下一个的所述存储器裸芯并且编址在所述循环的编址模式中就绪的之后的存储器裸芯；并且响应于模式突破被触发，编址从不包括在上述循环的编址模式中的下一个存储器裸芯的多个候选存储器裸芯选择的存储器裸芯。最后编址的存储器裸芯可以从用于随机的选择的所述多个候选存储器裸芯中排除。一个或多个繁忙的存储器裸芯可以包括在用于随机的选择的所述多个候选存储器裸芯中。一个或多个繁忙的存储器裸芯的包括可以响应于来自等待所述一个或多个繁忙的存储器裸芯就绪的延迟在预定的限度中的决定。模式突破可以由存在不期望的数据模式建立在所述多个存储器裸芯的一个或多个中的高度风险的决定而触发。非易失性存储器系统的示例包括：多个非易失性存储器裸芯；存储器控制器；在所述存储器控制器中的数据分配电路，其被配置为以确定性的方式分配用于存储在所述多个存储器裸芯中的数据的单元；以及在所述存储器控制器中的模式突破电路，其被配置为打乱数据到存储器裸芯的对齐。随机数字生成器可以将随机的输入产生到模式突破电路。编程电路可以具有正常的编程模态和缓慢的编程模态，所述随机的输入被提供到所述编程电路以随机地识别用于以缓慢的编程模态编程的存储器裸芯。非易失性存储器裸芯可以是NAND闪速存储器裸芯。多个非易失性存储器裸芯可以包括四个裸芯。存储器总线可以将多个非易失性存储器裸芯连接到存储器控制器。本专利技术的额外的方面、优点和特征被包括在其示例的下述说明中，所述说明应结合附图。这里所引用的所有的专利、专利申请、文字、技术文章和其它公开物在此通过引用结合于此。附图说明图1是现有技术存储器系统的框图。图2A是现有技术NAND阵列的平面图。图2B是图2A的现有技术NAND阵列的沿着线A-A的截面图。图3A示出了布置在存储器裸芯的两个平面中的存储器单元的块。图3B示出了由存储器总线将四个裸芯连接到存储器控制器。图4示出了根据预定的模式的主机数据到四个裸芯的分配。图5示出了使用数据到裸芯的确定性的分配的在四个裸芯之上的写入操
作的时间的示例。图6示出了使用数据到裸芯的适应性分配的在四个裸芯之上的写入操作的时间的另一示例。图7示出了使用数据到裸芯的适应性分配的在四个裸芯之上的写入操作的时间的另一示例。图8示出了裸芯分配的随机化的示例。图9示出了裸芯分配的随机化的另一示例。图10示出了裸芯分配的随机化和跳过繁忙的裸芯。图11示出了随机化方案的示例。图12示出了随机化方案的另一示例。图13示出了随机化方案的额外的示例。图14A-B示出了随机化方案的额外的示例。图15示出了随机化的管理。图16示出了可以被用于实现本专利技术的方面的硬件。具体实施方式存储器系统现有技术存储器系统的示例——其可以被修改以包括本专利技术的各个方面——由图1的框图示出。包括布置在阵列中的多个存储器单元M的存储器单元阵列1由列控制电路2、行控制电路3、c-源极控制电路4和c-p-阱控制电路5控制。在该示例中，存储器单元阵列1类似于以上在
技术介绍
以及在通过引用而结合在其中的参考中所述的是NAND型。控制电路2连接到存储器单元阵列1的位线(BL)以用于读取存储在存储器单元(M)中的数据、用于在编程操作期间确定存储器单元(M)的状态并且用于控制位线(BL)的电势水平以促进编程或者抑制编程。行控制电路3连接到字线(WL)以选择字线(WL)的一个、以施加读取电压、施加与由列控制电路2控制的位线电势水平组合的编程本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作在非易失性存储器系统中的多个非易失性存储器裸芯的方法，所述方法包括：将数据的多个部分发送到多个存储器裸芯；根据以确定性的方式将数据的部分分配到裸芯的第一分配方案，将数据的部分分配到单独的存储器裸芯；以及根据第二分配方案将所述数据的多个部分的至少一个发送到单独的存储器裸芯，所述第二分配方案以与所述第一分配方案相反的模式突破的方式分配所述多个部分的至少一个，打乱根据所述第一分配方案的数据到裸芯的对齐。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.30 US 14/153,4801.一种操作在非易失性存储器系统中的多个非易失性存储器裸芯的方法，所述方法包括：将数据的多个部分发送到多个存储器裸芯；根据以确定性的方式将数据的部分分配到裸芯的第一分配方案，将数据的部分分配到单独的存储器裸芯；以及根据第二分配方案将所述数据的多个部分的至少一个发送到单独的存储器裸芯，所述第二分配方案以与所述第一分配方案相反的模式突破的方式分配所述多个部分的至少一个，打乱根据所述第一分配方案的数据到裸芯的对齐。2.如权利要求1所述的方法，其中所述模式突破的方式是随机的方式。3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一分配方案以循环的模式将单独的数据的部分分配到单独的存储器裸芯，并且其中以所述模式突破的方式分配包括跳过循环的模式中的下一个就绪的裸芯。4.如权利要求2所述的方法，其中所述第一分配方案以循环的模式将单独的数据的部分分配到单独的存储器裸芯，跳过繁忙的裸芯，并且其中以所述随机的方式分配包括增加随机地选择的裸芯的编程时间，使得所述随机地选择的裸芯保持繁忙一段延长的时段，在该延长的时段期间所述随机地选择的裸芯被跳过。5.如权利要求2所述的方法，其中所述第一分配方案以循环的模式将单独的数据的部分分配到单独的存储器裸芯，并且其中以所述随机的方式分配包括随机地反转所述循环的模式的方向。6.如权利要求2所述的方法，其中所述第一分配方案以循环的模式将单独的数据的部分分配到单独的存储器裸芯，并且其中以所述随机的方式分配包括在随机地选择的裸芯处开始所述循环的模式的周期。7.如权利要求2所述的方法，其中所述循环的模式从所述随机地选择的裸芯继续随机数量的裸芯，在此之后在随机地选择的裸芯处开始另外的周期。8.如权利要求1所述的方法，其中以模式突破的方式将所述数据的多个部分的至少一个分配到所述存储器裸芯比以非随机的模式提供更慢的写入
\t速度。9.一种操作非易失性存储器系统的方法，包括：在将所述存储器控制器连接到多个存储器裸芯的存储器总线之上，以循环的编址模...

【专利技术属性】
技术研发人员：LM帕克，SA戈罗贝茨，AD班尼特，L帕特尔，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US