【技术实现步骤摘要】
201610177231
【技术保护点】
基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法,其特征在于,所述基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法包括以下步骤:步骤一:将待保存的数据写入Bank B of Flash A的SA1空间内,写入时判断当前地址空间是否已有数据,若当前地址无数据则写入当前地址,并执行步骤四;若当前地址有数据则写入下一个地址,并执行步骤四;累计判断500~1200次时,SA1空间已写满,执行步骤二;步骤二:将待保存的数据写入Bank B of Flash A的SA2空间内,将已写入SA1空间的全部数据擦除,写入SA2空间时判断当前地址空间是否已有数据,若当前地址无数据则写入当前地址,并执行步骤四;若当前地址有数据则写入下一个地址,并执行步骤四;累计判断500~1200次时,SA2空间已写满,执行步骤三;步骤三:重新执行步骤一,并将已写入SA2空间的全部数据擦除;步骤四:数据校验;将待写入数据写入存储器后,将数据读出,与写入存储器前的数据进行比较,若一致,认为校验成功,返回当前步骤;若不一致,则校验失败,重新将待写入数据写入存储器,执行步骤一;若连续3次校验均失败,进入故障处理模式,发出 ...
【技术特征摘要】
1.基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法,其特征在于,所述基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法包括以下步骤:步骤一:将待保存的数据写入Bank B of Flash A的SA1空间内,写入时判断当前地址空间是否已有数据,若当前地址无数据则写入当前地址,并执行步骤四;若当前地址有数据则写入下一个地址,并执行步骤四;累计判断500~1200次时,SA1空间已写满,执行步骤二;步骤二:将待保存的数据写入Bank B of Flash A的SA2空间内,将已写入SA1空间的全部数据擦除,写入SA2空间时判断当前地址空间是否已有数据,若当前地址无数据则写入当前地址,并执行步骤四;若当前地址有数据则写入下一个地址,并执行步骤四;累计判断500~1200次时,SA2空间已写满,执行步骤三;步骤三:重新执行步骤一,并将已写入SA2空间的全部数据擦除;步骤四:数据校验;将待写入数据写入存储器后,将数据读出,与写入存储器前的数据进行比较,若一致,认为校验成功,返回当前步骤;若不一致,则校验失败,重新将待写入数据写入存储器,执行步骤一;若连续3次校验均失败,进入故障处理模式,发出错误提醒。2.根据权利要求1所述的基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法,其特征在于所述步骤一中的待保存的数据为16进制数据。3.根据权利要求2所述的基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:佟大龙,祝文甫,王晶,
申请(专利权)人:航天科技控股集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:黑龙江;23
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