一种β”-氧化铝粉体合成用坩埚及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种β”‑氧化铝粉体合成用坩埚，包括从下至上依次同轴设置的底座、筒体和筒盖，所述筒体的顶面上设有若干径向凹槽，所述底座、所述筒体和所述筒盖的孔隙率均小于3％；所述底座、所述筒体和所述筒盖是由纯度大于99wt.％的氧化镁粉体、真镁铝尖晶石粉体或富镁镁铝尖晶石粉体中的一种烧结而成的，在所述氧化镁粉体、所述真镁铝尖晶石粉体或所述富镁镁铝尖晶石粉体中，氧化钙和氧化钾含量均小于等于0.02wt.％，氧化铁和二氧化硅的含量小于等于0.01wt.％。本发明专利技术还公开了一种β”‑氧化铝粉体合成用坩埚的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
201610181791

【技术保护点】
一种β”‑氧化铝粉体合成用坩埚，其特征在于：包括从下至上依次同轴设置的底座、筒体和筒盖，所述筒体的顶面上设有若干径向凹槽，所述底座、所述筒体和所述筒盖的孔隙率均小于3％；所述底座、所述筒体和所述筒盖是由纯度大于99wt.％的氧化镁粉体、纯度大于99wt.％真镁铝尖晶石粉体或纯度大于99wt.％富镁镁铝尖晶石粉体中的一种烧结而成的，在所述氧化镁粉体、所述真镁铝尖晶石粉体或所述富镁镁铝尖晶石粉体中，氧化钙和氧化钾含量均小于等于0.02wt.％，氧化铁和二氧化硅的含量小于等于0.01wt.％。

【技术特征摘要】
1.一种β”-氧化铝粉体合成用坩埚，其特征在于：包括从下至上依次同轴设置的底座、筒体和筒盖，所述筒体的顶面上设有若干径向凹槽，所述底座、所述筒体和所述筒盖的孔隙率均小于3％；所述底座、所述筒体和所述筒盖是由纯度大于99wt.％的氧化镁粉体、纯度大于99wt.％真镁铝尖晶石粉体或纯度大于99wt.％富镁镁铝尖晶石粉体中的一种烧结而成的，在所述氧化镁粉体、所述真镁铝尖晶石粉体或所述富镁镁铝尖晶石粉体中，氧化钙和氧化钾含量均小于等于0.02wt.％，氧化铁和二氧化硅的含量小于等于0.01wt.％。2.根据权利要求1所述的一种β”-氧化铝粉体合成用坩埚，其特征在于：所述底座顶面的外圆周上设有与所述筒体底面对应的环形台阶。3.一种β”-氧化铝粉体合成用坩埚的制备方法，其特征在于：通过配料步骤，将纯度大于99wt.％，氧化钙和氧化钾含量均小于等于0.02wt.％，氧化铁和二氧化硅的含量均小于等于0.01wt.％的氧化镁粉体、真镁铝尖晶石粉体或者富镁镁铝尖晶石粉体中的一种与石蜡，以及表面活性剂混合，制得球磨配料；通过球磨步骤和成浆步骤得到以熔融石蜡为流动相的浆料；通过制坯步骤，以所述浆料为原料，分别压铸底座、筒体和筒盖的素坯；通过排蜡步骤，使所述底座、所述筒体和所述筒盖的素坯中的石蜡在窑炉内蒸发；通过烧结步骤，使所述底座、所述筒体和所述筒盖的素坯在所述窑炉内烧结，得到所述底座、所述筒体和所述筒盖，所述底座、所述筒体和所述筒盖的孔隙率均小于3％；通过组装步骤，将述底座、所述筒体和所述筒盖组装成为所述坩埚。4.根据权利要求3所述的一种β”-氧化铝粉体...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯肖瑞，徐培敏，范俊杰，陈福平，徐小刚，
申请(专利权)人：上海电气钠硫储能技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31