一种二硫化钼纳米片负载碲纳米管的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种二硫化钼纳米片负载碲纳米管的制备方法。本发明专利技术将聚乙烯吡咯烷酮和Na2TeO3溶解在超纯水中，在得到的混合液中依次加入氨水和份水合肼后，再同时加入钼酸盐和硫代乙酰胺，之后将得到的产物移入聚四氟乙烯内胆中，高压水热釜中进行水热反应后，缓慢冷却，所得沉淀物离心洗涤干燥即可得到二硫化钼纳米片负载碲纳米管。本发明专利技术制备出的二硫化钼纳米片负载碲纳米管材料导电性能提高，比表面积大，增强了电极材料在充放电过程中的稳定性，循环寿命长，比容量性能优越，且该制备方法简单，成本低。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种二硫化钼纳米片负载碲纳米管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)按质量份数，将1000‑8000份聚乙烯吡咯烷酮和130‑760份Na2TeO3溶解在50‑300份超纯水中，得到混合液；2)按质量份数，在步骤1)中，依次加入0.1‑30ml氨水和0.1‑10份水合肼后，再同时加入10‑1000份钼酸盐和10‑1000份硫代乙酰胺并搅拌均匀，得到混合溶液；3)将步骤2)中得到的混合溶液移入聚四氟乙烯内胆中，高压水热釜中水热反应3‑20小时后，缓慢冷却0.5‑2小时，得到沉淀物；4)将步骤3)中所得沉淀物离心洗涤干燥即可得到二硫化钼纳米片负载碲纳米管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王晟，王騊，俞烨，欧阳申珅，
申请(专利权)人：杭州禹净环境科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33