一种Cu2O纳米薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）配制质量百分比浓度为0.3～1%的HF溶液和质量百分比浓度为25～65%的HNO3溶液，两种配好的溶液取相同体积混合均匀，得混酸溶液；（2）将铜片剪成1.5cm×5cm×0.1cm大小，置于步骤（1）所得混酸溶液中，20～50秒后待铜表面呈紫红色取出，依次用二次蒸馏水、分析纯丙酮和分析纯酒精各超声清洗铜片10分钟，随即在25～65℃水浴中静置3～7天，得Cu2O纳米薄膜。本发明专利技术与其他相关技术相比，最显著的特点是常温水浴法制备Cu2O纳米薄膜，其制备工艺简单、周期短，制备的样品有较好的光电性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Cu2O纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：（1）配制质量百分比浓度为0.3～1%的HF溶液和质量百分比浓度为25～65%的HNO3溶液，两种配好的溶液取相同体积混合均匀，得混酸溶液；（2）将铜片剪成1.5cm×5cm×0.1cm大小，置于步骤（1）所得混酸溶液中，20～50秒后待铜表面呈紫红色取出，依次用二次蒸馏水、分析纯丙酮和分析纯酒精各超声清洗铜片10分钟，随即在25～65℃水浴中静置3～7天，得Cu2O纳米薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：江瑶瑶，钟福新，王晶晶，高云鹏，莫德清，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西;45