一种室温铁磁磁性半导体材料及应用制造技术

本发明专利技术公布一种新型室温铁磁磁性半导体材料及应用，该材料的化学式为Sr4‑xYbxCo4O10.5(0.6≤x≤1.2)，其居里温度Tc≈320~335K。采用传统固相反应法1180℃/24h制备Sr4‑xYbxCo4O10.5(0.6≤x≤1.2)；该材料可以应用于自旋场效应晶体管、自旋发光二极管、非易失性存储器等领域。

【技术实现步骤摘要】
一种室温铁磁磁性半导体材料及应用
本专利技术公布一种室温铁磁磁性半导体材料及应用，属于自旋电子学领域。
技术介绍
当代和未来都是信息主宰的社会，信息的处理、传输和存储将要求空前的规模和速度。以半导体材料为支撑的大规模集成电路和高频率器件在信息处理和传输中扮演着重要的角色。而半导体产业发展到今天，超大规模集成电路芯片上的元器件数按摩尔定律不断提高，正在接近其极限。随着单个晶体管的尺寸不断缩小，其沟道长度已从以前的微米级发展到纳米级，不仅会带来漏电流增加、发热量增大和寄生电容效应等新的问题，还会产生一系列难以规避的量子干涉效应，影响期间的性能和可靠性，使进一步提高集成度和芯片性能变得困难。磁性半导体材料将是解决上述问题的有效路径。磁性半导体不仅具有普通半导体的功能，而且还具备了磁性材料的记忆存储功能，可以用来改变我们现在用半导体集成电路加工处理信用磁性材料做成的磁盘储存信息的模式。也就是说磁性半导体材料可以将这两部分功能集于一身，不仅可以缩小器件体积，提高储存密度，缩短通信时间，加快运行速度，而且可以大大减少耗能。然而只有很少的磁性半导体材料具有室温铁磁性，这很大限制了工作环境，所以室温本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种室温铁磁磁性半导体材料，其化学式为Sr4‑xYbxCo4O10.5，0.6≤x≤1.2。

【技术特征摘要】
1.一种室温铁磁磁性半导体材料，其化学式为Sr4-xYbxCo4O10.5，0.6≤x≤1.2。2.根据权利要求1所述室温铁磁磁性半导体材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：虞澜，康冶，宋世金，樊堃，胡建立，谭红琳，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：云南;53