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本发明公布一种新型室温铁磁磁性半导体材料及应用，该材料的化学式为Sr4‑xYbxCo4O10.5(0.6≤x≤1.2)，其居里温度Tc≈320~335K。采用传统固相反应法1180℃/24h制备Sr4‑xYbxCo4O10.5(0.6≤x≤...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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