一种金纳米阵列电极及其制备的无酶过氧化氢传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种金纳米阵列电极及其制备的无酶过氧化氢传感器，该金纳米阵列电极采用以下步骤制备而成：制备硅基单层聚合物胶体晶体阵列，并以该单层聚合物胶体晶体阵列为模板，采用物理沉积方法在所述模板的表面沉积一层厚度为10～100nm的金膜；对上述沉积有金膜的模板进行热分解及退火处理，以去除单层聚合物胶体晶体阵列，从而制得硅基金纳米阵列；将该硅基金纳米阵列直接作为金纳米阵列电极。本发明专利技术不仅检测限制低、灵敏度高、稳定性好，而且制备方法简单、操作简便、经济环保。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米电极材料领域，尤其涉及一种金纳米阵列电极及其制备的无酶过氧化氢传感器。
技术介绍
过氧化氢(H2O2)不仅是许多生物和化学反应的中间产物或原料，也是生物体内许多酶反应的副产物，因此食品、制药、生物工程、临床检验、污染控制、纺织、造纸漂白、杀菌等诸多领域中都需要对H2O2的浓度进行检测。目前，常见的对H2O2的浓度进行检测的方法主要有滴定法、光谱法、荧光法、化学分光法、电化学法等；在这些检测方法中，基于过氧化氢酶的生物传感器具有成本较低、操作简便、响应速度快、灵敏度高等优点，因而得到广泛的关注。但过氧化氢酶存在价格昂贵、难以有效地固定到电极表面、酶的生物活性易受环境干扰等问题，因此在实际应用中这种基于过氧化氢酶的生物传感器受到了极大的限制。近几年来，贵金属纳米颗粒在生物化学传感方面得到了广泛应用。例如：金纳米颗粒具有比表面积大、表面反应活性高、表面活性中心多、催化效率高、吸附能力强等优异性质，因此金纳米颗粒为研制开发无酶传感器创造了有利条件。在现有技术中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金纳米阵列电极，其特征在于，采用以下步骤制备而成：步骤A、制备硅基单层聚合物胶体晶体阵列，并以该硅基单层聚合物胶体晶体阵列为模板，采用物理沉积方法在所述模板的表面沉积一层厚度为10～400nm的金膜；步骤B、对上述沉积有金膜的模板进行热分解及退火处理，以去除单层聚合物胶体晶体阵列，从而制得硅基金纳米阵列；将该硅基金纳米阵列直接作为金纳米阵列电极。

【技术特征摘要】
1.一种金纳米阵列电极，其特征在于，采用以下步骤制备而成：
步骤A、制备硅基单层聚合物胶体晶体阵列，并以该硅基单层聚合物胶体晶体阵列为
模板，采用物理沉积方法在所述模板的表面沉积一层厚度为10～400nm的金膜；
步骤B、对上述沉积有金膜的模板进行热分解及退火处理，以去除单层聚合物胶体晶
体阵列，从而制得硅基金纳米阵列；将该硅基金纳米阵列直接作为金纳米阵列电极。
2.根据权利要求1所述的金纳米阵列电极，其特征在于，所述的制备硅基单层聚合物
胶体晶体阵列包括：
在玻璃基底上制得单层聚合物胶体晶体阵列，并将该玻璃基底连同单层聚合物胶体晶
体阵列一起倾斜浸入前驱液中；所述的单层聚合物胶体晶体阵列脱离玻璃基底，并漂浮在
前驱液液面上；再采用硅片将漂浮在前驱液液面上的单层聚合物胶体晶体阵列捞起，从而
制得硅基单层聚合物胶体晶体阵列。
3.根据权利要求2所述的金纳米阵列电极，其特征在于，所述的在玻璃基底上制得单
层聚合物胶体晶体阵列包括以下步骤：
步骤A1、将玻璃基底依次放入丙酮、乙醇、去离子水中进行超声清洗，再对清洗后的
玻璃基底进行烘干处理，然后放置于紫外臭氧清洗机中辐照10～40min，从而获得表面亲
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李越，孙一强，杭立峰，李昕扬，蔡伟平，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：安徽;34