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本发明公开了一种金纳米阵列电极及其制备的无酶过氧化氢传感器，该金纳米阵列电极采用以下步骤制备而成：制备硅基单层聚合物胶体晶体阵列，并以该单层聚合物胶体晶体阵列为模板，采用物理沉积方法在所述模板的表面沉积一层厚度为10～100nm的金膜；对上...
该专利属于中国科学院合肥物质科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院合肥物质科学研究院授权不得商用。

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