一种表面改性的SiC纳米线及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种表面改性的SiC纳米线及其制备方法与应用，所述方法为：将SiC纳米线放置到管式烧结炉或可以气氛保护的加热装置中，通入氧气和氮气混合气流，然后启动加热，由室温加热至700～1400℃，控制加热速率为5～20℃/min，保温时间为30～120min，即可得到表面改性后的SiC纳米线。表面改性后的SiC纳米线为核壳结构的一维纳米材料，芯部为SiC，外层为SiO2，SiO2紧密包覆在SiC外面形成致密的包覆层，SiO2包覆层为非晶态，界面处的结合为原子尺度的紧密结合，外部的SiO2包覆层厚度可以控制为2nm~500nm。本发明专利技术解决了现有碳化硅纳米线在使用过程中的活性低、难分散、易氧化、界面结合差等问题，具有制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低、产率高的优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种表面改性的SiC纳米线，其特征在于所述表面改性的SiC纳米线为核壳结构的一维纳米材料，芯部为SiC，外层为SiO2，SiO2紧密包覆在SiC外面形成致密的包覆层，其中SiO2包覆层为非晶态，界面处的结合为原子尺度的紧密结合，SiO2包覆层厚度控制为2nm~500nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓东，杨路路，周宇航，闫旭，黄小萧，温广武，侯思民，赵义，刘文会，刘璐，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23