一种LED封装器件及照明装置制造方法及图纸

技术编号:13280144 阅读:44 留言:0更新日期:2016-05-19 04:15
本实用新型专利技术提供了一种LED封装器件及照明装置,LED封装器件为无支架结构,只有顶部一个发光面,光的一致性和指向性良好且出光效率高。该LED封装器件包括LED芯片、光转换层和保护层,所述LED芯片具有相对的上表面和下表面及连接所述上、下表面的侧壁,所述光转换层设置于所述LED芯片的上表面之上,所述保护层设置于所述LED芯片的侧壁之上,所述LED芯片仅有上表面出光,其上、下表面之间的厚度h为0.25mm以下。该LED封装器件适用于各种照明装置中。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体照明领域,具体为一种LED封装体及照明装置。
技术介绍
传统白光LED器件的封装方式一般将LED芯片通过固晶胶粘接或共晶焊接的方式固定在支架上的碗杯中,采用金线将晶片的正、负极连接于支架的正、负极,再向碗杯中填充符合目标色区的荧光胶。由于支架、荧光胶、用于粘接晶片的胶体的热膨胀系数不同,LED封装器件容易在支架、荧光胶、金线、胶体等方面出现可靠性问题。
技术实现思路
本技术提供了一种LED封装器件,其无支架结构,只有顶部一个发光面,光的一致性和指向性良好且出光效率高。本技术的技术方案为:一种LED封装器件,包括LED芯片、光转换层和保护层,所述LED芯片具有相对的上表面和下表面及连接所述上、下表面的侧壁,所述光转换层设置于所述LED芯片的上表面之上,所述保护层设置于所述LED芯片的侧壁之上,所述LED芯片仅有上表面出光,其上、下表面之间的厚度h为0.25mm以下。优选地,所述LED芯片上、下表面之间的厚度h为150?250μπι。优选地,所述LED芯片具有透明衬底,其厚度为ΙΟΟμπι以下。优选地,所述光转换层的厚度为40?150μπι。优选地,所述光转换层向下延伸,覆盖所述LED芯片的侧壁,所述保护层覆盖在所述光转换层的侧壁上。优选地,所述保护层为白漆或DRB结构。优选地,所述透明硅胶层的顶部与底部之间的高度差d为所述芯片的厚度h的0.5?100 倍。优选地,所述透明硅胶的厚度为25?2500μπι。本技术还提供了一种照明装置,包括所述的LED封装器件。本技术至少具有以下有益效果:I)所述LED封装器件因无支架结构,故体积小,灵活度高,应用范围广泛;2)所述LED封装器件的侧壁由保护层覆盖,只有顶部出光,光的一致性和指向性良好;3)通过减薄所述LED芯片的厚度,从而减少所述LED芯片发出的光受到所述保护层的遮挡,提升了单面出光LED封装器件的出光效率。本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本专利技术而了解。【附图说明】附图用来提供对本专利技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术,并不构成对本专利技术的限制。图1为一种无支架的LED封装器件的结构示意图。图2?5为根据本技术实施的四种LED封装器件的结构示意图。【具体实施方式】下面结合示意图对本技术的LED器件进行详细的描述,借此对本技术如何应用技术手段来解决技术问题,并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。图1显示了一种无基板的LED封装器件,包括LED芯片、光转换层130和保护层120。该LED芯片具有相对的上表面和下表面及连接上、下表面的侧壁,光转换层130设置于LED芯片的上表面上,保护层120设置于LED芯片的侧壁上。具体的,该LED芯片为倒装芯片,具有透明衬底111、发光外延薄膜112、第一电极113a和第二电极113b。在该LED封装器件中由于无支架结构,其体积可以做到很小,接近芯片的尺寸或与芯片的尺寸一致,因此业界称之为芯片级封装器件(Chip Scale Package,简称CSP)。该LED封装器件只有顶部一个出光面,其发光角度约120°,便以进行二次透镜设计,因此光的一致性和指向性均很好。但是一般LED芯片的厚度一般为0.35mm以上,该芯片周边由保护层覆盖造成了亮度衰减,与正常五面发光的LED封装器件相比,亮度差异约15?20%。下面各实施例解决了单面出光的封装器件中亮度衰减的问题。参看图2,本技术的一种较佳的LED封装器件,包括LED芯片、光转换层130和保护层120。在本实施例中,减少LED芯片的厚度h,从而减少LED芯片侧壁保护层120的阻挡。具体的,LED芯片的厚度h可为50?250μπι,光转换层130的厚度b为40?150μπι,其中透明衬底111的厚度为10ym以下。光转换层130可为荧光粉层,保护层120可采用白漆,如二氧化钛等。为了进一步提高出光效率,可将保护层120制作成DBR反射层结构。作为本实施例的一个变形,可增加第一、第二电极的厚度使其足够支撑发光外延薄膜112,如此可完全去除透明衬底。参看图3,本技术之另一较佳的LED封装器件。在该实施例中,光转换层130覆盖LED芯片的上表面和侧壁,保护层120覆盖光转换层130的侧壁。参看图4,本技术之再一较佳的LED封装器件。该LED封装器件在图2所示的结构上增加透明硅胶层140。该透明硅胶层140完全覆盖光转换层130,并向下延伸,其底部与LED芯片的底部齐平。其中透明硅胶层140的顶部与底部之间的高度差d为LED芯片的厚度h的0.5?100倍。参看图5,本技术之再一较佳的LED封装器件。该LED封装器件在图3所示的结构上增加透明硅胶层140,用于进一步提升亮度。该透明硅胶层140的厚度c为25?2500μπι。前述各种LED封装器件适用于各种照明装置中,包括该LED封装体的照明装置也在本技术的保护范围内。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已,并不用以限制本技术,凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种LED封装器件,包括LED芯片、光转换层和保护层,所述LED芯片具有相对的上表面和下表面及连接所述上、下表面的侧壁,所述光转换层设置于所述LED芯片的上表面之上,所述保护层设置于所述LED芯片的侧壁之上,其特征在于:所述LED芯片仅有上表面出光,其上、下表面之间的厚度h为0.25mm以下。2.根据权利要求1所述的LED封装器件,其特征在于:所述LED芯片上、下表面之间的厚度h 为 50-250μηι。3.根据权利要求1所述的LED封装器件,其特征在于:所述LED芯片具有透明衬底,其厚度为ΙΟΟμπι以下。4.根据权利要求1所述的LED封装器件,其特征在于:所述光转换层的厚度为40?150μπι。5.根据权利要求1所述的LED封装器件,其特征在于:所述光转换层向下延伸,覆盖所述LED芯片的侧壁,所述保护层覆盖在所述光转换层的侧壁上。6.根据权利要求1所述的LED封装器件,其特征在于:所述保护层为白漆或DRB结构。7.根据权利要求1所述的LED封装器件,其特征在于:还包括一设置于所述光转换层上的透明硅胶层。8.根据权利要求7所述的LED封装器件,其特征在于:所述透明硅胶层的顶部与底部之间的高度差d为所述芯片的厚度h的0.5?100倍。9.根据权利要求7所述的LED封装器件,其特征在于:所述透明硅胶的厚度为25?2500μmD10.—种照明装置,其特征在于,包括权利要求1至9任一项所述的LED封装器件。【专利摘要】本技术提供了<b>一种</b><b>LED</b><b>封装器件及照明装置,</b>LED封装器件为无支架结构,只有顶部一个发光面,光的一致性和指向性良好且出光效率高。该LED封装器件包括LED芯片、光转换层和保护层,所述LED芯片具有相对的上表面和下表面及连接所述上、下表面的侧壁,所述光转换层设置于所述LED芯片的上表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED封装器件,包括LED芯片、光转换层和保护层,所述LED芯片具有相对的上表面和下表面及连接所述上、下表面的侧壁,所述光转换层设置于所述LED芯片的上表面之上,所述保护层设置于所述LED芯片的侧壁之上,其特征在于:所述LED芯片仅有上表面出光,其上、下表面之间的厚度h为0.25mm以下。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄苡叡詹佳达黄昊赵志伟徐宸科
申请(专利权)人:厦门市三安光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:福建;35

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1