本发明专利技术涉及电子照相感光构件，处理盒和电子照相设备，以及氯镓酞菁晶体和其制造方法。一种电子照相感光构件依序包括支承体和感光层。所述感光层包含由式(1)表示的氯镓酞菁晶体，其中包含选自N,N-二甲基甲酰胺和二甲亚砜的至少一种有机化合物。基于所述由式(1)表示的氯镓酞菁晶体的含量，包含于所述由式(1)表示的氯镓酞菁晶体中的所述有机化合物的含量是0.10质量％以上且0.80质量％以下。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子照相感光构件、使用该电子照相感光构件的处理盒和电子照 相设备、和氯嫁酿菁晶体和该氯嫁酿菁晶体的制造方法。
技术介绍
具有作为光导电体的优异功能的酞菁颜料用作用于电子照相感光构件、太阳能电 池、传感器、和开关元件等的材料。酞菁颜料中，氯镓酞菁晶体例如用作电子照相感光构件 的电荷产生物质。已经存在其中依照用途对氯镓酞菁晶体进行各种处理的研究（日本专利 特开No. 5-194523和日本专利特开No. 2005-226013)。 日本专利特开No. 5-194523公开了一种技术，其涉及其中将氯镓酞菁晶体由芳香 族醇处理的制造方法。日本专利特开No. 2005-226013公开了一种技术，其涉及具有特定的 吸收光谱的氯镓酞菁颜料。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面的电子照相感光构件依序包括支承体和感光层。所述感光 层包含由式（1)表示的氯镓酞菁晶体，其中包含选自N，N_二甲基甲酰胺和二甲亚砜的至少 一种有机化合物。基于所述由式（1)表示的氯镓酞菁晶体的含量，包含于所述由式（1)表 示的氯镓酞菁晶体中的所述有机化合物的含量是0. 10质量％以上且0. 80质量％以下， 在式（1)中，Χ^Χ4各自独立地表示氢原子或氯原子。 本专利技术的进一步特征将参考附图从示例性实施方案的以下说明而变得明显。【附图说明】 图1表明包括包含电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示例性结构的 一个实例。 图2Α和2Β表明电子照相感光构件的层结构的实例。 图3表明实施例1的酸溶步骤中获得的羟基镓酞菁晶体的X射线衍射图案。 图4表明实施例1的盐酸处理步骤中获得的氯镓酞菁晶体的X射线衍射图案。 图5表明实施例1的湿式研磨步骤中获得的氯镓酞菁晶体的X射线衍射图案。 图6表明实施例3的湿式研磨步骤中获得的氯镓酞菁晶体的质谱分析的结果。 图7表明用于实施例的评价用图像。 图8表明用于形成半色调图像的类似桂马跳跃图案的图像。【具体实施方式】 作为本专利技术人进行的研究的结果，其中氯镓酞菁晶体用作电荷产生物质的公开于 日本专利特开No. 5-194523和日本专利特开No. 2005-226013中的已知电子照相感光构件 展示出高的感光度，但产生的电荷有时残留在感光层中，其导致了问题：在输出图像中发生 重影。术语"重影"是指如下现象，其中在电子照相感光构件的先前旋转时的由光照射的部 分的图像浓度在输出图像中增加或降低。 因此，本专利技术提供了一种氯镓酞菁晶体，其有助于抑制重影的发生；和该氯镓酞菁 晶体的制造方法；电子照相感光构件，其中将重影的发生通过使用该氯镓酞菁晶体来充分 地抑制；和使用该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。 根据本专利技术的实施方案的氯镓酞菁晶体是由式（1)表示的化合物，其中包含选自 N，N_二甲基甲酰胺和二甲亚砜的至少一种有机化合物。另外，基于所述由式（1)表示的氯 镓酞菁晶体的含量，包含于所述由式（1)表示的氯镓酞菁晶体中的所述有机化合物的含量 是0. 10质量％以上且0. 80质量％以下。本专利技术人已经发现：氯镓酞菁颜料可以有助于抑 制重影的发生。 在式（1)中，乂1至父4各自独立地表示氢原子或氯原子。 也已经发现的是，重影的发生可以通过将特定的氯镓酞菁晶体添加至电子照相感 光构件的感光层（电荷产生层）来充分地抑制。本专利技术人推测：这是因为当氯镓酞菁晶体 具有由式（1)表示的结构并且特定的有机化合物以特定的量（〇. 10质量％以上且〇. 80质 量％以下）包含于晶体中时，协同地促进作为重影的原因的在由光照射之后残留在感光层 中的载体（carrier)(残余载体）的移动。 由式（1)表示并目包含有机化合物的氯镓酞菩晶体 在本专利技术的实施方案中，由式（1)表示的氯镓酞菁晶体优选其中在式（1)中的Xi 至父4中之一表示氯原子并且X :至X 4中的三个表示氢原子的氯镓酞菁晶体或其中在式（1) 中的&至乂4中的全部都表示氢原子的氯镓酞菁晶体。由式（1)表示的氯镓酞菁晶体更优 选其中在式（1)中的&至父 4中的全部都表示氢原子的氯镓酞菁晶体和其中乂1至乂4中之 一表示氯原子并且&至X 4中的三个表示氢原子的氯镓酞菁晶体的混合物。晶体结构可以 通过质谱分析法来分析。在下述实施例中，在加速电压：20kV，模式：Reflector，和分子量 标准：富勒稀C6。的条件下使用质谱分析仪（MALDI-TOF MS :ultraflex，Bruker Daltonics K.K.制造）测量分子量来分析晶体结构。 如上所述，在本专利技术的实施方案中，基于由式（1)表示的氯镓酞菁晶体的含量，包 含于由式（1)表示的氯镓酞菁晶体中的有机化合物的含量（即，基于有机化合物和由式（1) 表示的氯镓酞菁晶体的总含量）需要是〇.1〇质量％以上且0.80质量％以下。另外，为了 抑制重影的发生，基于由式（1)表示的氯镓酞菁晶体的含量，有机化合物的含量优选0.40 质量％以上且0. 65质量％以下。如果有机化合物的含量小于0. 10质量％，则不充分地促 进残余载体的移动，因此不充分地抑制重影。如果有机化合物的含量大于〇. 80质量％时， 则其中残余载体滞留在有机化合物中的现象发生。因此，不充分地促进残余载体的移动，因 此不充分地抑制重影。在本专利技术的实施方案中，有机化合物的含量可以通过核磁共振光谱 法（H-NMR)来测定。在下述实施例中，H-NMR测量使用硫酸-D2(D 2S04)作为溶剂并且使用 BRUKER制造的AVANCEIII 500作为测量仪器来进行。 在本专利技术的实施方案中，例如，氯镓酞菁晶体在CuK α的X射线衍射图案（布拉格 角2θ±〇. 2° )的7.4°、16.6°、25. 5°和28.4°处具有峰。特别地，例如，氯镓酞菁晶体 在以上4个角度处具有4个主峰。其中，术语"4个主峰"是指在X射线衍射图案中从具有 最高强度的峰至具有第四最高强度的峰的峰。当使用这样的晶体时，进一步抑制重影。在 本专利技术的实施方案中，将酞菁晶体的X射线衍射在以下条件下通过粉末X射线衍射仪来测 定。 使用的测量仪器：Χ射线衍射仪RINT-TTR II，Rigaku Corporation制造 X射线管： Cu 管电压：50kV 管电流：300mA 扫描模式：2 θ / Θ扫描 扫描速度：4. 0° /min 采样间隔：0.02°起始角度（2Θ) :5.0° 终止角度（2 Θ) :40.0° 附件：标准样品架 滤光器：不使用 入射单色仪：使用 对向单色仪：不使用 发散狭缝：开放 发散垂直限制狭缝：10. 00mm 散射狭缝：开放 接收狭缝：开放 计数器：闪烁计数器 牛产方法 在本专利技术的实施方案中，通过例如（1)合成步骤、（2)酸溶步骤、（3)盐酸处理步 骤、和（4)湿式研磨步骤来获得其中包含选自N，N-二甲基甲酰胺和二甲亚砜的至少一种有 机化合物的由式（1)表示的氯镓酞菁晶体。特别地，氯镓酞菁晶体满意地通过（2)酸溶步 骤来获得。 (1)合成步骤 合成步骤是通过将镓化合物和形成酞菁环的化合物在氯化芳香族化合物中反应 而合成氯镓酞菁晶体的步骤。镓化合物是例如三氯化镓。另外，形成酞菁环的化合物是例 如邻苯二甲腈并且氯化芳香族化合物是例本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子照相感光构件，其依序包括：支承体；和感光层，其特征在于，其中所述感光层包含由式(1)表示的氯镓酞菁晶体，在所述氯镓酞菁晶体中包含选自N,N‑二甲基甲酰胺和二甲亚砜的至少一种有机化合物，并且基于所述由式(1)表示的氯镓酞菁晶体的含量，包含于所述由式(1)表示的氯镓酞菁晶体中的所述有机化合物的含量是0.10质量％以上且0.80质量％以下，其中X1至X4各自独立地表示氢原子或氯原子。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：西田孟，田中正人，川原正隆，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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