本发明专利技术涉及电子照相感光构件及其制造方法、处理盒和电子照相设备、和酞菁晶体及其制造方法。提供一种能够输出抑制了正重影的图像的电子照相感光构件，和各自具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。所述电子照相感光构件具有感光层，所述感光层包括酞菁晶体，在所述酞菁晶体中含有由式(1)表示的化合物的，其中由式(1)表示的化合物的含量基于酞菁晶体为0.1质量％以上且1.7质量％以下。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子照相感光构件及其制造方法、处理盒和电子照相设备、和酞 菁晶体及其制造方法。
技术介绍
要求用于例如复印机和激光束打印机等电子照相设备的电子照相感光构件对图 像曝光用光具有充分的感光度。已知用作电荷产生物质的偶氮颜料和酞菁颜料对在宽范围 的波长内的光具有高感光度。 随着对作为代表实例的照片的半色调图像和实心图像的需求增多，近年来已经愈 加需要代表性地包括彩色图像的较高品质的图像。例如，与单色打印机或单色复印机的容 许范围相比，所谓的正重影图像，即，在一张图像中暴露于光的部分在半色调图像中具有高 浓度的现象的容许范围已经明显地更苛刻。推测因为作为由电荷产生物质产生的载流子之 一的正空穴的注入之后，电子趋向于残留在电荷产生层中从而产生记忆，所以重影图像产 生。 在日本专利申请特开No.H07-331107中，公开了 一种羟基镓酞菁晶体，其包括选 自由具有酰胺基的化合物、具有亚砜基的化合物和有机胺组成的组的至少一种极性有机溶 剂。 在日本专利申请特开No.2002-235014中，公开了一种羟基镓酞菁晶体，其使用 N-甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺和N-甲基丙酰胺通过研磨处理来获得。
技术实现思路
作为本专利技术人的研究结果，发现在日本专利申请特开NO.H07-331107中公开 的羟基镓酞菁晶体在抑制正重影方面具有不充分的改善。还发现在日本专利申请特开 No.2002-235014中公开的羟基镓酞菁晶体在抑制正重影方面具有改善余地，这是因为不存 在对化合物的含量的说明且没有实施例。 本专利技术的一个实施方案的目的是提供能够输出抑制了正重影的具有很少缺陷的 图像的电子照相感光构件，及其制造方法。本专利技术的另一个实施方案的目的是提供各自具 有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。 本专利技术的又另一个实施方案的目的是提供一种在晶体内含有特定酰胺化合物的 酿菁晶体，及其制造方法。 根据本专利技术的一个方面，提供一种电子照相感光构件，其包括：支承体和形成于所 述支承体上的感光层，其中感光层包括酞菁晶体，所述酞菁晶体中含有由下式（1)表示的 化合物， 其中，在式（1)中，X表示氢原子或者具有1或2个碳原子的烷基，和其中由式（1) 表示的化合物的含量基于酞菁晶体中的酞菁为0. 1质量％以上且1. 7质量％以下。 根据本专利技术的另一个方面，提供一种处理盒，其一体化支承：所述电子照相感光构 件，和选自由充电单元、显影单元、转印单元和清洁单元组成的组的至少一种单元，所述处 理盒可拆卸地安装至电子照相设备的主体。 根据本专利技术的另一方面，提供一种电子照相设备，其具有所述电子照相感光构件， 和充电单元、曝光单元、显影单元以及转印单元。 根据本专利技术的另一方面，提供一种在晶体内含有由式（1)表示的化合物的酞菁晶 体，并且由式（1)表示的化合物的含量基于酞菁晶体中的酞菁为0. 1质量％以上且1.7质 量％以下。 根据本专利技术的另一方面，提供在晶体内含有由式（1)表示的化合物的酞菁晶体的 制造方法，其包括：通过将由式（1)表示的化合物添加至酞菁，随后研磨处理而使酞菁进行 晶体变换。 根据本专利技术的另一方面，提供电子照相感光构件的制造方法，所述电子照相感光 构件具有支承体和形成于支承体上的感光层，所述方法包括：通过所述酞菁晶体的制造方 法来制造酞菁晶体，和由含有酞菁晶体的感光层形成用涂布液形成涂膜，并且干燥涂膜，从 而形成感光层。 本专利技术可以提供抑制了正重影图像的电子照相感光构件及其制造方法，和各自具 有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。 本专利技术可以进一步提供晶体内含有特定的酰胺化合物的酞菁晶体，及其制造方 法。 本专利技术的进一步特征将参考附图从示例性实施方案的以下说明而变得明显。【附图说明】 图1为装配有具有本专利技术的电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意 图。 图2为在实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。 图3为在实施例1-5中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。 图4为在实施例1-6中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。 图5为在实施例1-7中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。 图6为在实施例1-8中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。 图7为在实施例1-9中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。 图8为在实施例1-10中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。 图9为示出用于重影图像评价的重影评价图像的图。 图10为示出单点桂马图案的图。 图11为示出在实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体的4-匪1?光谱的图。 图12为示出在比较例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体的iH-NMR光谱的图。 图13为示出在实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体的分光吸收光谱的图。【具体实施方式】 现在将参考附图详细地描述本专利技术的优选实施方案。 如上所述，本专利技术的电子照相感光构件包括支承体和形成于支承体上的感光层。 感光层包括晶体内含有由下式（1)表示的化合物的酞菁晶体，并且由式（1)表示的化合物 的含量基于酞菁晶体中的酞菁为〇. 1质量％以上且1. 7质量％以下。 其中，在式（1)中，X表示氢原子或者具有1或2个碳原子的烷基；优选X为氢原 子。 酞菁晶体中的酞菁指晶体内含有由式（1)表示的化合物的酞菁晶体的除由式（1) 表示的化合物以外的部分。由式（1)表示的化合物的含量可以通过NMR测量来求得，并且 以下将描述细节。 用于组成晶体内含有由式（1)表示的化合物的酞菁晶体的酞菁的实例包括例如 无金属酞菁和可以具有轴向配体的金属酞菁等酞菁，其可以进一步具有取代基。虽然它们 中特别是，氧钛酞菁和镓酞菁具有优异的感光特性，但产生的光载流子趋向于残留在感光 层中，容易导致例如正重影等问题，本专利技术可以有效地应用于此。 镓酞菁的实例包括其中镓原子具有卤素原子、羟基或烷氧基作为轴向配体的镓酞 菁分子。酞菁环可以包括例如卤素原子等取代基。 在镓酞菁晶体中，优选具有优异的感光度的羟基镓酞菁晶体、氯镓酞菁晶体、溴镓 酞菁晶体和碘镓酞菁晶体。特别优选羟基镓酞菁晶体。羟基镓酞菁晶体包括具有羟基作为 轴向配体的镓原子。在氯镓酞菁晶体中，镓原子具氯原子作为轴向配体。溴镓酞菁晶体包 括具有溴原子作为轴向配体的镓原子。碘镓酞菁晶体包括具有碘原子作为轴向配体的镓原 子。 此外，从抑制由重影引起的图像缺陷的观点，更优选在CuKa辐射X射线衍射中在 布拉格角2 0为7.4° ±0.3°和28. 3° ±0.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体。 酞菁晶体中的酞菁中包含的由式（1)表示的化合物的含量为0. 1质量％以上且 1. 7质量％以下。0. 2质量％以上且1. 2质量％以下的含量是更优选的。 在晶体中含有由式（1)表示的化合物的酞菁晶体中，将由式（1)表示的化合物引 入晶体内。 推测当由式（1)表示的化合物包含于酞菁晶体内时，通过溶剂的分子内极性来抵 消电荷捕获位点，以致电子难以残留在电荷产生层中。推测本专利技术的电子照相感光构件由 此抑制重影。 以下描述晶体内含有由式（1)表示的化合物的酞菁晶体的制造方法。 包括晶体内含有由下式（1)表示的化合物的酞菁晶体的酞菁晶体通过以下来获 得：将由式（1)表示的化合物添加至酞菁，随后研磨处理而使本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子照相感光构件，其包括：支承体；和在所述支承体上的感光层；其特征在于，所述感光层包括酞菁晶体，在所述酞菁晶体内含有由下式(1)表示的化合物，其中，在式(1)中X表示氢原子或者具有1或2个碳原子的烷基，和其中，所述由式(1)表示的化合物的含量基于所述酞菁晶体中的酞菁为0.1质量％以上且1.7质量％以下。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：久野纯平，西田孟，田中正人，川原正隆，渡口要，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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