承载装置以及半导体加工设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供的承载装置以及半导体加工设备，包括静电卡盘、中心温控单元、边缘温控单元和边缘组件，其中，中心温控单元设置在静电卡盘内，用以调节被加工工件的中心区域温度；边缘组件环绕在静电卡盘的外周壁上，且包括由上而下依次叠置的聚焦环、基环和绝缘环；边缘温控单元设置在边缘组件内，用以采用热交换的方式调节被加工工件的边缘区域温度。本发明专利技术提供的承载装置，其可以调节被加工工件的边缘区域温度，从而可以实现对晶片边缘区域和中心区域之间的温度差异进行补偿，进而可以提高工艺均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设备制造领域，具体地，涉及一种承载装置以及半导体加工设备。
技术介绍
在制造集成电路(1C)和微机电系统(MEMS)的工艺过程中，特别是在实施等离子刻蚀(ETCH)、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等的工艺过程中，常使用承载装置来承载及加热晶片等被加工工件，为晶片提供直流偏压并且控制晶片表面的温度。图1为典型的承载装置的结构示意图。如图1所示，承载装置包括静电卡盘11和边缘组件。其中，静电卡盘11用于采用静电吸附的方式将晶片12固定在其上表面上，并且在静电卡盘11内设置有温控装置，用以控制晶片12的温度。边缘组件环绕设置在静电卡盘11的外周壁上，且包括由上而下依次叠置的聚焦环13、基环14和绝缘环15，其中，绝缘环15固定在安装固定件16上，用于支撑静电卡盘11，并且绝缘环15采用绝缘材料制作，用以实现静电卡盘11与安装固定件16电绝缘。聚焦环13和基环14均环绕在静电卡盘11的周围，聚焦环13用于形成能够将等离子体限制在其内部的边界；基环14用于支撑聚焦环13，并保护静电卡盘11的外周壁不被等离子体刻蚀。上述承载装置在实际应用中不可避免地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种承载装置，包括静电卡盘、中心温控单元和边缘组件，其中，所述中心温控单元设置在所述静电卡盘内，用以调节所述被加工工件的中心区域温度；所述边缘组件环绕在所述静电卡盘的外周壁上，且包括由上而下依次叠置的聚焦环、基环和绝缘环；其特征在于，所述承载装置还包括边缘温控单元，所述边缘温控单元设置在所述边缘组件内，用以采用热交换的方式调节所述被加工工件的边缘区域温度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑友山，彭宇霖，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11