基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路制造技术

本发明专利技术提供一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，增设了分别受第n-1级GOA单元的输出端(G(n-1))、和第n+1级GOA单元的输出端(G(n+1))控制的第十二、和第十三薄膜晶体管(T12、T13)，第十二薄膜晶体管(T12)的漏极通过第四节点(W1(n))与第一薄膜晶体管(T1)的源极电性连接，第十三薄膜晶体管(T13)的漏极通过第五节点(W2(n))与第三薄膜晶体管(T3)的源极电性连接，第一、和第三薄膜晶体管(T1、T3)分别受正向扫描直流控制信号(U2D)、与反向扫描直流控制信号(D2U)控制，在正向扫描时能够降低第十二薄膜晶体管(T12)的漏电流，在反向扫描时能够降低第十三薄膜晶体管(T13)的漏电流，从而降低了关键薄膜晶体管的漏电流，提升了GOA电路的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路。
技术介绍
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无福射等众多优点，得到了广泛的应用。如:液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等，在平板显示领域中占主导地位。GOA技术(Gate Driver on Array)即阵列基板行驱动技术，是运用液晶显示面板的原有阵列制程将水平扫描线的驱动电路制作在显示区周围的基板上，使之能替代外接集成电路板((Integrated Circuit，IC)来完成水平扫描线的驱动。GOA技术能减少外接IC的焊接(bonding)工序，有机会提升产能并降低产品成本，而且可以使液晶显示面板更适合制作窄边框或无边框的显示产品。随着低温多晶娃(Low Temperature Poly_silicon，LTPS)半导体薄膜晶体管的发展，LTPS-TFT液晶显示器也越来越受关注，LTPS-TFT液晶显示器具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点。由于低温多晶硅较非晶硅(a-Si)的排列有次序，低温多晶硅半导体本身具有超高的电子迀移率，比非晶硅半导体相对高100倍以上，可以采用GOA技术将栅极驱动器制作在薄膜晶体管阵列基板上，达到系统整合的目标、节省空间及驱动IC的成本。请参阅图1，现有的一种LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路包括级联的多级GOA单元，设η为正整数，第η级GOA单元包括:第一薄膜晶体管Tl，所述第一薄膜晶体管Tl的栅极电性连接于上一级第η-1级GOA单元的输出端G(n-l)，漏极电性连接于正向扫描直流控制信号U2D，源极电性连接于第三节点H(n);第二薄膜晶体管T2，所述第二薄膜晶体管T2的栅极电性连接于第一节点Q(n)，源极电性连接于第M条时钟信号CK(M)，漏极电性连接于输出端G(η);第三薄膜晶体管T3，所述第三薄膜晶体管T3的栅极电性连接于下一级第n+1级GOA单元的输出端G(n+1)，源极电性连接于第三节点H(n)，漏极电性连接于反向扫描直流控制信号D2U;第四薄膜晶体管T4，所述第四薄膜晶体管T4的栅极电性连接于第M+1条时钟信号CK(M+I)，源极电性连接于输出端G(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL;第五薄膜晶体管T5，所述第五薄膜晶体管T5的栅极电性连接于恒压高电位VGH，源极电性连接于第三节点H(n)，漏极电性连接于第一节点Q(n);第六薄膜晶体管T6，所述第六薄膜晶体管T6的栅极电性连接于第M+1条时钟信号CK(M+1)，源极电性连接于第三节点H(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL;第七薄膜晶体管T7，所述第七薄膜晶体管T7的栅极电性连接于第二节点P(n)，源极电性连接于第三节点H(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL;第八薄膜晶体管T8，所述第八薄膜晶体管T8的栅极电性连接于第二节点P(n)，源极电性连接于输出端G(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL;第九薄膜晶体管T9，所述第九薄膜晶体管T9的栅极电性连接于第M+1条时钟信号CK(M+1)，源极电性连接于第二节点P(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL;第十薄膜晶体管T10，所述第十薄膜晶体管TlO的栅极电性连接于第M条时钟信号CK(M)，源极电性连接于恒压高电位VGH，漏极电性连接于第二节点P(n);第十一薄膜晶体管T11，所述第十一薄膜晶体管Tll的栅极电性连接于第三节点H(n)，源极电性连接于第二节点P(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL;第一电容Cl，所述第一电容Cl的一端电性连接于第一节点Q(n)，另一端电性连接于输出端G(n);以及第二电容C2，所述第二电容C2的一端电性连接于第二节点P(Ii)，另一端电性连接于恒压低电位VGL。该现有的GOA电路具备正反向扫描功能。正向扫描时，请参阅图2，正向扫描直流控制信号U2D为高电位，反向扫描直流控制信号D2U为低电位;反向扫描时相反，正向扫描直流控制信号U2D为低电位，反向扫描直流控制信号D2U为高电位。图1所示的现有的GOA电路中，第一薄膜晶体管Tl和第三薄膜晶体管T3形成正反向扫描控制单元，结合图2，在GOA电路正向扫描进入到输出端G(n)及第一节点Q(n)低电位维持阶段时，第n+1级GOA单元的输出端G(n+1)、第η-1级GOA单元的输出端G(n-l)、和第一节点Q(n)均为低电位，正向扫描直流控制信号U2D为高电位，则第一薄膜晶体管Tl的栅极与源极之间的电压Vgs = 0V，漏极与源极之间的电压Vds = VGH-VGL，第三薄膜晶体管T3的栅极与源极之间的电压Vgs = OV，漏极与源极之间的电压Vds = OV，结合图3所示的在不同漏极与源极之间的电压下薄膜晶体管对应的1-V曲线图可知，当栅极与源极之间的电压Vgs = OV时，漏极与源极之间的电压Vds越大，该薄膜晶体管的电流也越大，对应到第一、和第三薄膜晶体管Tl、T3中，即第一薄膜晶体管Tl的电流大于第三薄膜晶体管Τ3的电流，而此时第一、和第三薄膜晶体管Τ1、Τ3均应处于关闭状态，薄膜晶体管的关态电流过高会引起漏电，也就是说第一薄膜晶体管Tl处于漏电状态。相反的，在GOA电路反向扫描进入到输出端G(n)及第一节点Q(ri)低电位维持阶段时，第三薄膜晶体管T3的电流大于第一薄膜晶体管Tl的电流，第三薄膜晶体管T3处于漏电状态。漏电会导致上述现有的GOA电路的稳定性不佳。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，能够降低关键薄膜晶体管的漏电流，提升GOA电路的稳定性。为实现上述目的，本专利技术提供了一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，包括:级联的多个GOA单元，每个GOA单元均包括:正反向扫描控制单元、输出单元、及节点控制单元；设η为正整数，除第一级、与最后一级GOA单元外，在第η级GOA单元中:所述正反向扫描控制单元包括:第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于正向扫描直流控制信号，漏极电性连接于上一级第η-1级GOA单元的输出端，源极电性连接于第四节点；第十二薄膜晶体管，所述第十二薄膜晶体管的栅极电性连接于上一级第η-1级GOA单元的输出端，漏极电性连接于第四节点，源极电性连接于第三节点；第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于反向扫描直流控制信号，源极电性连接于第五节点，漏极电性连接于下一级第n+1级GOA单元的输出端；以及第十三薄膜晶体管，所述第十三薄膜晶体管的栅极电性连接于下一级第n+1级GOA单元的输出端，漏极电性连接于第五节点，源极电性连接于第三节点；所述输出单元包括:第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于第M条时钟信号，漏极电性连接于输出端；以及第一电容，所述第一电容的一端电性连接于第一节点，另一端电性连接于输出端；所述节点控制单元包括:第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第M+1条时钟信号，源极电性连接于输出端，漏极电性连接于恒压低电位;第五薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于恒压高电位，源极电性连接于第三节点，漏极电性连接于第一节本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，其特征在于，包括：级联的多个GOA单元，每个GOA单元均包括：正反向扫描控制单元(100)、输出单元(200)、及节点控制单元(300)；设n为正整数，除第一级、与最后一级GOA单元外，在第n级GOA单元中：所述正反向扫描控制单元(100)包括：第一薄膜晶体管(T1)，所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于正向扫描直流控制信号(U2D)，漏极电性连接于上一级第n‑1级GOA单元的输出端(G(n‑1))，源极电性连接于第四节点(W1(n))；第十二薄膜晶体管(T12)，所述第十二薄膜晶体管(T12)的栅极电性连接于上一级第n‑1级GOA单元的输出端(G(n‑1))，漏极电性连接于第四节点(W1(n))，源极电性连接于第三节点(H(n))；第三薄膜晶体管(T3)，所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于反向扫描直流控制信号(D2U)，源极电性连接于第五节点(W2(n))，漏极电性连接于下一级第n+1级GOA单元的输出端(G(n+1))；以及第十三薄膜晶体管(T13)，所述第十三薄膜晶体管(T13)的栅极电性连接于下一级第n+1级GOA单元的输出端(G(n+1))，漏极电性连接于第五节点(W2(n))，源极电性连接于第三节点(H(n))；所述输出单元(200)包括：第二薄膜晶体管(T2)，所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第一节点(Q(n))，源极电性连接于第M条时钟信号(CK(M))，漏极电性连接于输出端(G(n))；以及第一电容(C1)，所述第一电容(C1)的一端电性连接于第一节点(Q(n))，另一端电性连接于输出端(G(n))；所述节点控制单元(300)包括：第四薄膜晶体管(T4)，所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于第M+1条时钟信号(CK(M+1))，源极电性连接于输出端(G(n))，漏极电性连接于恒压低电位(VGL)；第五薄膜晶体管(T5)，所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于恒压高电位(VGH)，源极电性连接于第三节点(H(n))，漏极电性连接于第一节点(Q(n))；第六薄膜晶体管(T6)，所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极电性连接于第M+1条时钟信号(CK(M+1))，源极电性连接于第三节点(H(n))，漏极电性连接于恒压低电位(VGL)；第七薄膜晶体管(T7)，所述第七薄膜晶体管(T7)的栅极电性连接于第二节点(P(n))，源极电性连接于第三节点(H(n))，漏极电性连接于恒压低电位(VGL)；第八薄膜晶体管(T8)，所述第八薄膜晶体管(T8)的栅极电性连接于第二节点(P(n))，源极电性连接于输出端(G(n))，漏极电性连接于恒压低电位(VGL)；第九薄膜晶体管(T9)，所述第九薄膜晶体管(T9)的栅极电性连接于第M+1条时钟信号(CK(M+1))，源极电性连接于第二节点(P(n))，漏极电性连接于恒压低电位(VGL)；第十薄膜晶体管(T10)，所述第十薄膜晶体管(T10)的栅极电性连接于第M条时钟信号(CK(M))，源极电性连接于恒压高电位(VGH)，漏极电性连接于第二节点(P(n))；第十一薄膜晶体管(T11)，所述第十一薄膜晶体管(T11)的栅极电性连接于第三节点(H(n))，源极电性连接于第二节点(P(n))，漏极电性连接于恒压低电位(VGL)；以及第二电容(C2)，所述第二电容(C2)的一端电性连接于第二节点(P(n))，另一端电性连接于恒压低电位(VGL)；正向扫描直流控制信号(U2D)与反向扫描直流控制信号(D2U)的电位相反。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李亚锋，邬金芳，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42