一种真空灭弧室陶瓷外壳制造技术

技术编号:13097849 阅读:163 留言:0更新日期:2016-03-31 00:04
本实用新型专利技术公开一种真空灭弧室陶瓷外壳,包括上陶瓷壳和下陶瓷壳,上陶瓷壳和下陶瓷壳通过金属环用焊料钎焊封接为壳体,壳体为圆筒状,两端开口,壳体上、下两段壁厚大于中间壁厚。本真空灭弧室陶瓷外壳可有效减少真空灭弧室在生产及使用过程中出现的陶瓷壳体电击穿现象,减轻金属蒸汽在壳体内壁沉积引起的真空灭弧室性能降低乃至失效情况的发生。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种真空灭弧室,尤其涉及一种真空灭弧室陶瓷外壳
技术介绍
SF6气体被定为6种受限制的温室气体之一,限制了作为中压两大支柱之一的SF6断路器的发展,促进了具有安全、可靠、免维护、健康环保等特点的真空断路器的快速发展。真空断路器的关键部件是真空灭弧室,它基本上决定了真空断路器的主要性能。真空灭弧室的基本结构是封闭在绝缘外壳内真空环境下的一对可分合的触头,作为壳体的瓷壳或玻璃外壳既起到保证灭弧室内部真空度,维持足够机械强度的作用又起到固体绝缘件的作用。由于陶瓷材料具有良好的绝缘性能和气密性,占有真空灭弧室绝缘外壳结构的主导地位,但在电场强度足够高的时候仍会发生陶瓷材料为电弧击穿而导致真空灭弧室漏气,使灭弧室内部失去真空而失效。特别是,真空灭弧室在两端施加电压的情况下,内部各处存在不同的电场强度,就陶瓷外壳的工况而言,屏蔽罩口部附近电场强度,远大于其他部位,而等壁厚瓷壳的抗击穿强度是各处一样的,因此,屏蔽罩口部附近陶瓷外壳易发生电击穿引起失效。此外,真空灭弧室在老炼和工作时,触头间会发生电弧烧蚀,产生大量金属蒸汽,在陶瓷外壳内壁上沉积成一层金属沉积层,在陶瓷内壁表面形成一层低电阻层,降低陶瓷外壳的内绝缘强度,从而导致真空灭弧室性能降低甚至失效。
技术实现思路
本技术旨在提供一种真空灭弧室陶瓷外壳,该真空灭弧室陶瓷外壳能够解决真空灭弧室陶瓷外壳在屏蔽罩口部附近易电击穿和内壁产生轴向连续低电阻金属沉积层的问题。为达到上述目的,本技术是采用以下技术方案实现的:本技术公开的用于真空灭弧室的陶瓷外壳,包括上陶瓷壳和下陶瓷壳,所述上陶瓷壳和下陶瓷壳通过金属环用焊料钎焊封接为壳体,壳体为圆筒状,两端开口,壳体上、下两段壁厚大于中间壁厚。优选的,所述壳体在上、下两段内壁设置有波纹结构。进一步的,所述壳体上、下两段内壁与中间段内壁倾斜连接。优选的,所述波纹结构为锯齿状。进一步的,所述波纹结构向壳体开口方向倾斜。本技术采用变壁厚的方案解决陶瓷外壳口部附近易电击穿的问题。在真空灭弧室的一般工况条件下,陶瓷外壳这一固体介质绝缘材料的击穿电压与其厚度接近成正比关系,厚度越厚,能够击穿陶瓷外壳的电压就越高,在同样电压下,陶瓷外壳越厚,则越不易被击穿。本技术在不改变产品外观尺寸的条件下,增加屏蔽罩口部附近陶瓷外壳的壁厚,使得电场强度最高的屏蔽罩口部附近的厚度增加,从而提高陶瓷外壳的抗电击穿能力。由于金属蒸汽产生在屏蔽罩内,通过两端的口部向外扩散,具有显著的方向性。扩散出的金属蒸汽在无遮蔽的陶瓷外壳内壁会沉积,而有遮蔽的部位沉积远远轻于无遮蔽部位。本技术采取一种开口朝向陶瓷外壳开口方向的单侧倾斜锯齿状波纹结构,波纹背向蒸汽来向一侧表面被遮蔽成为难沉积面,面向蒸汽来向一侧表面成为易沉积面。这样使金属蒸汽只在易沉积面上沉积,而减少在难沉积面上的沉积。沉积的金属层在陶瓷外壳内表面只能成为环状轴向不连续面,从而避免在陶瓷外壳内壁产生轴向连续金属沉积面,从而保证陶瓷外壳内绝缘水平。本技术与现有技术相比具有如下优点:所公开的真空灭弧室陶瓷外壳可有效减少真空灭弧室在生产及使用过程中出现的陶瓷外壳电击穿现象,减轻金属蒸汽在陶瓷外壳内壁沉积引起的真空灭弧室性能降低乃至失效情况的发生。附图说明图1为本技术结构示意图。图中:1、动导电杆;2、导向套;3、动盖板;4、动端封接环;5、上陶瓷壳;6、下陶瓷壳;7、动触头;8、静触头;9、静导电杆;10、静端封接环;11、波纹管;12、波纹管屏蔽罩;13、屏蔽罩;14、静盖板;15、金属环。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图,对本技术进行进一步详细说明。如图1所示,本技术公开的一种真空灭弧室包括上陶瓷壳5、下陶瓷壳6、屏蔽罩13、静导电杆9和动导电杆1;上陶瓷壳5和下陶瓷壳6通过金属环15钎焊封接在一起构成陶瓷壳体;上陶瓷壳5的上端和下陶瓷壳6下端分别通过动端封接环4和静端封接环10安装有动盖板3和静盖板14;静导电杆9下部穿过静端封接环10和静盖板14的中心,静导电杆9上部固定连接静触头8;动导电杆1穿过导向套2的中心,动导电杆1上固定有波纹管屏蔽罩12,动触头7固定连接在动导电杆1的下端,波纹管11同轴连接在动导电杆1上,波纹管是一种弹性元件,侧壁呈波浪状,可以纵向伸缩,波纹管11置于波纹管护罩12之内,动导电杆1通过导向套2直线滑动。静导电杆9、动导电杆1、动触头7、静触头8起导通及分断电路作用;波纹管11、动盖板3、静盖板14及动端封接环4、静端封接环10、陶瓷外壳共同组成真空灭弧室的气密壳体,达到结构支撑以及保证内部真空的效果,陶瓷壳体同时还有使动、静两端绝缘的作用;屏蔽罩13起到屏蔽电弧及改善内部电场的作用;导向套2起到限制动导电杆1运动方向的作用。作为本技术的一种改进,真空灭弧室陶瓷外壳上、下两段壁厚大于中间段壁厚,并且壳体在上、下两段内壁设置有波纹结构。可有效减少真空灭弧室在生产及使用过程中出现的真空灭弧室陶瓷外壳电击穿现象,减轻金属蒸汽在真空灭弧室陶瓷外壳内壁沉积引起的真空灭弧室性能降低乃至失效情况的发生。当然,本技术还可有其它多种实施例,在不背离本技术精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员可根据本技术作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本技术所附的权利要求的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空灭弧室陶瓷外壳,包括上陶瓷壳和下陶瓷壳,其特征在于:所述上陶瓷壳和下陶瓷壳通过金属环用焊料钎焊封接为壳体,所述壳体为圆筒状,两端开口,壳体上、下两段壁厚大于中间壁厚。

【技术特征摘要】
1.一种真空灭弧室陶瓷外壳,包括上陶瓷壳和下陶瓷壳,其特征在于:
所述上陶瓷壳和下陶瓷壳通过金属环用焊料钎焊封接为壳体,所述壳体为圆
筒状,两端开口,壳体上、下两段壁厚大于中间壁厚。
2.根据权利要求1所述的一种真空灭弧室陶瓷外壳,其特征在于:所述
壳体在上、下两段内壁设置有波纹结构。
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【专利技术属性】
技术研发人员:关斌
申请(专利权)人:成都旭光电子股份有限公司
类型:新型
国别省市:四川;51

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