发光二极管晶粒及其制造方法技术

一种发光二极管晶粒，包括一基板，依次设于基板一侧的一预生长层、一第一绝缘层和一发光结构，其中，所述基板包括一第一电极，一第二电极和一绝缘部，所述第一电极包覆第二电极且与第二电极间隔设置，所述绝缘部设于所述第一电极和第二电极之间；发光二极管晶粒还包括所述预生长层侧面外围还设有一第二绝缘层和一金属层。相比于现有技术，本发明专利技术的发光二极管晶粒的第一电极和第二电极设于第一半导体层和第二半导体层的下方以达到降低漏电情况的发生，同时可以增加发光二极管晶粒的光取出面积。本发明专利技术还提供一种上述发光二极管晶粒的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
现有技术中，为降低发光二极管晶粒的压电场效应并能够节约成本，通常在平面 蓝宝石衬底上利用选择性嘉晶生长成长出无极性的半导体氮化镓（nonpolar,semipolar GaN)，但是此结构的尖部是缺陷密度最多的地方。同时传统的发光二极管晶粒一般将ρ、η 电极设置在Ρ型半导体层的侧边及上方，如此在注入电流时因电流会选择走最短路径，而 此最短路径就是发光二极管晶粒的尖部缺陷密度最多的地方，从而使在磊晶结构的表面做 Ρ、Ν电极以将次磊晶结构做成发光二极管元件时会有漏电的情况产生。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种可降低漏电现象的。 -种发光二极管晶粒，包括一基板，依次设于基板上的一预生长层和一发光结构， 其特征在于：所述基板包括一第一电极，一包覆第一电极的第二电极和一设于第一电极和 第二电极之间的绝缘部，所述第一电极位于所述预生长层下方；所述发光二极管晶粒还包 括一绝缘层和一金属层，所述金属层形成于所述第二电极上，所述绝缘层将所述金属层和 所述预生长层间隔；所述第二电极通过所述金属层与所述发光结构电导通，所述第一电极 通过所述预生长层与所述发光结构电导通。 -种发光二极管晶粒的制造方法，其中，该发光二极管晶粒的制造方法包括以下 步骤： 提供一衬底，在衬底一侧外延磊叠生长一缓冲层、一掺杂层和一预生长层； 在所述预生长层上形成一第一绝缘层并开设若干均匀分布的窗口； 在所述窗口上生长一发光结构，所述发光结构包括依次磊叠的一第一半导体层、一有 源层和一第二半导体层； 提供一辅助基板，将上述结构倒扣地固定于辅助基板上，并移除所述衬底，同时蚀刻掉 所述缓冲层和掺杂层直至预生长层； 蚀刻所述预生长层和第一绝缘层直至第二半导体层； 在保留的预生长层外围形成一第二绝缘层，并镀上一金属层； 提供一具有第一电极和第二电极的基板，将上述结构倒置于所述基板上，并移除所述 辅助基板。 相比于现有技术，本专利技术的发光二极管晶粒的第一电极和第二电极设于第一半导 体层和第二半导体层的下方以达到降低漏电情况的发生，同时可以增加发光二极管晶粒的 的光取出面积。【附图说明】 图1为本专利技术实施例中的所述发光二极管晶粒的立体图。 图2为图1中所示相邻二单晶粒的沿中轴的纵向剖面图。 图3为图1中所示发光二极管晶粒的基板的俯视图。 图4为图1中所示发光二极管晶粒的制作流程图。 图5为图2中所示发光二极管单晶粒开设窗口的示意图。 图6为图2中所示发光二极管单晶粒生长发光结构后的示意图。 图7为图3中所述发光二极管晶粒蚀刻掉所述缓冲层和掺杂层后的示意图。 图8为图3中所述发光二极管晶粒镀上金属层后的示意图。 主要元件符号说明如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明本专利技术。【具体实施方式】 请参见图1，本专利技术的发光二极管晶粒100包括一基板110和设于基板上的若干相 同的单晶粒200。所述单晶粒200按照一定的规则周期性排列。在本实施例中，所述单晶粒 200紧密排列，每个单晶粒200都与6个相同的其它单晶粒200相接，且被其均匀环绕。 请参见图2,所述单晶粒200包括一基板210,依次设于所述基板210上的一预生 长层220和一发光结构250,设于所述预生长层220外围的一金属层240,以及用以间隔所 述金属层240和预生长层220的一绝缘层230。 请同时参见图3,在本实施例中，所述基板210为一平面板体。所述基板210包括 一第一电极211，环绕所述第一电极211的一第二电极212,以及环绕所述第一电极211并 位于所述第一电极211和第二电极212之间的一绝缘部213。所述第一电极211与第二电 极212之间相互绝缘，且以所述绝缘部213间隔开。 所述第一电极211为一N型电极，设于所述基板210的中心部位。所述第一电极 211呈一六棱柱体结构，其横截面为一正六边形，纵截面为一矩形。所述绝缘部213可采用 树脂、氮化铝（A1N)等高阻值材料。在本实施例中，所述绝缘部213是由树脂材料制成，用 以隔绝所述第一电极211和第二电极212之间的之间电导通。所述绝缘部213呈一中空六 棱柱体结构，其横截面为一正六边形环，纵截面为分列所述第一电极211两侧的二矩形。所 述绝缘部213设于所述第一电极211的侧面外围，并完全包覆所述第一电极211的侧表面。 所述绝缘部213的高度与所述第一电极211的高度相同。所述第二电极212为一P型电 极。所述第二电极212呈一中空六棱柱体结构，其横截面为一正六边形环，纵截面为分列所 述绝缘部213两侧的二矩形。所述第二电极212设于所述绝缘部213的侧面外围，并完全 包覆所述绝缘部213的侧表面。所述第二电极212的高度与所述绝缘部213的高度相同。 若干单晶粒200的基板210之间按照所述单晶粒200的排列规则周期性排列以形 成所述基板110。在本实施例中，每个基板210都与6个相同的其它基板210相接，且被其 均匀环绕。二相邻的所述基板210之间共用一部分第二电极212,即所述基板210的第二电 极212的其中一侧面电极与其相邻的另一基板210的第二电极212的对应电极重合。 请再次参见图2,所述预生长层220为一N型半导体层。在本实施例中，所述预生 长层220采用氮化镓（GaN)制成。所述预生长层220呈一六棱柱体结构，其横截面为一正 六边形，纵截面为一矩形。所述预生长层220设于所述基板210的中央部位，其横截面尺寸 介于所述基板210的绝缘部213的横截面的内环尺寸与外环尺寸之间。在本实施例中，所 述预生长层220完全覆盖所述第一电极211，并同时部分覆盖所述绝缘部213。所述预生长 层220与所述基板210的第一电极211直接电性连接。 所述绝缘层230是绝缘材料制成，在本实施例中，所述绝缘层230采用二氧化硅 (Si02)材料。所述绝缘层230包括一水平设置的第一绝缘层231和一坚直设置的第二绝缘 层232。所述第一绝缘层231和所述第二绝缘层232相互垂直，且所述第二绝缘层232的上 端与所述第一绝缘层231的外缘相接。 所述第一绝缘层231自所述预生长层220的上表面的外缘背向所述预生长层220 向上凸起形成。所述第一绝缘层231的厚度均匀。所述第一绝缘层230呈一中空的六棱柱 体结构，其横截面的外环为一正六边形，内环为一圆形，且该外环尺寸与所述预生长层220 的横截面尺寸相等。所述第一绝缘层230的空心内环形成一圆洞形窗口 2311。所述窗口 2311部分裸露出所述预生长层220的中央区域。 所述第二绝缘层232形成于所述基板210的绝缘部213上并包覆所述预生长层 220和所述第一绝缘层231的侧表面。所述第二绝缘层232的厚度均匀。所述第二绝缘层 232呈一中空六棱柱体结构，其横截面为一正六边形环，纵截面为分列所述预生长层220和 第一绝缘层231两侧的二矩形。所述第二绝缘层232的高度等于所述预生长层220和第一 绝缘层231的高度之和。所述第二绝缘层232和所述预生长层220共同完全覆盖所述基板 210的第一电极211和绝缘部213,即所述第二绝缘层240的横截面的外环尺寸等于所述基 板210的绝缘部213的横截面的外环尺寸。 所述金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管晶粒，包括一基板，依次设于基板上的一预生长层和一发光结构，其特征在于：所述基板包括一第一电极，一包覆第一电极的第二电极和一设于第一电极和第二电极之间的绝缘部，所述第一电极位于所述预生长层下方；所述发光二极管晶粒还包括一绝缘层和一金属层，所述金属层形成于所述第二电极上，所述绝缘层将所述金属层和所述预生长层间隔；所述第二电极通过所述金属层与所述发光结构电导通，所述第一电极通过所述预生长层与所述发光结构电导通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邱镜学，林雅雯，凃博闵，黄世晟，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44