观测TSV铜晶粒的方法技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及微电子领域，公开了一种观测TSV铜晶粒的方法。本专利技术中，采用离子束对待观测的电镀铜进行抛光处理；采用离子束对抛光完成的电镀铜表面进行离子刻蚀；观察电镀铜剖面，最终得到电镀铜晶粒大小和形貌。使得待观测的TSV电镀铜在抛光过程中不会被损伤及沾污，也提高了待观测的TSV电镀铜腐蚀过程中的腐蚀效果及观察效果，同时降低了观测设备的成本，提高观测结果的分辨率。【专利说明】观测TSV铜晶粒的方法
本专利技术涉及微电子领域，特别涉及TSV铜晶粒的观测技术。
技术介绍
高密度、高性能是当前微电子封装的发展趋势,娃通孔(Through Silicon Vias,简称“TSV”)技术是满足该发展趋势的关键封装技术之一。TSV技术通过在硅片上刻蚀微孔，然后在微孔中通过电镀的方法填充铜，随后通过约410度的高温进行退火，经硅片减薄而形成通孔。结合再布线工艺形成互连，整合到封装结构中。为分析上述工艺过程中TSV电镀铜工艺过程、采用硅通孔TSV的封装产品在经历热冲击和热循环时可能产生的变化、以及为产品的可靠性和失效分析寻找证据，需要对TSV电镀铜晶粒的形貌...
【技术保护点】
一种观测TSV铜晶粒的方法，其特征在于，包含以下步骤：采用离子束对待观测的硅通孔TSV电镀铜进行抛光处理；采用离子束对抛光完成的TSV电镀铜表面进行离子刻蚀；观察TSV电镀铜剖面，得到TSV铜晶粒形貌。
【技术特征摘要】
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