基于晶片的光源参数控制制造技术

一种光刻方法，包括：指示光源产生脉冲光束；横跨光刻曝光装置的晶片扫描脉冲光束，以利用脉冲光束对晶片进行曝光；在横跨晶片的脉冲光束的扫描期间，接收晶片处的脉冲光束的特性；接收针对特定脉冲光束特性的晶片的物理性质的确定值；和基于扫描期间接收到的脉冲光束特性和物理性质的接收到的确定值，在横跨晶片的扫描期间修改脉冲光束的性能参数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
所公开的主题涉及基于晶片的光源参数控制。
技术介绍
光刻是将半导体电路图案化在诸如硅晶片之类的衬底上所使用的工艺。光刻光源提供用来对晶片上的光致抗蚀剂进行曝光的深紫外(DUV)光。用于光刻的DUV光由准分子光源生成。通常，光源是激光源并且脉冲光束是脉冲激光束。光束通过光束传递单元传递、通过掩模版(或掩模)滤光并接着投影到准备好的硅晶片上。以该方式，芯片设计被图案化到光致抗蚀剂上，该光致抗蚀剂接着被蚀刻和清洁，并接着工艺重复。
技术实现思路
在一些总体方面中，光刻方法包括：指示光源产生脉冲光束；横跨光刻曝光装置的晶片扫描脉冲光束，以利用脉冲光束对晶片进行曝光；在横跨晶片的脉冲光束的扫描期间，接收晶片处的脉冲光束的特性；接收针对特定脉冲光束特性的晶片的物理性质的确定值；和基于扫描期间接收到的脉冲光束特性和物理性质的接收到的确定值，在横跨晶片的扫描期间修改脉冲光束的性能参数。实施方式可以包括以下特征中的一个或多个。例如，物理性质的确定值可以包括晶片的物理性质中的误差。物理性质可以是以下项中的一项或多项：形成在晶片上的特征的对比度、曝光于脉冲光束的晶片区域处的临界尺寸、曝光于脉冲光束的晶片区域处的光致抗蚀剂轮廓、形成在晶片上的层之间的重叠和曝光于脉冲光束的晶片区域处的侧壁角度。针对特定光束特性的晶片的物理性质的确定值可以通过接收针对先前已经通过光源的光束曝光的晶片上的一组光束特性的、先前曝光的晶片的物理性质的一组确定值来接收。晶片处的光束的特性可以在横跨晶片的脉冲光束的扫描期间通过接收光束对晶片进行曝光所在的位置来接收。晶片处的光束的特性可以在横跨晶片的脉冲光束的扫描期间通过接收光束的当它对晶片进行曝光时的能量来接收。脉冲光束的性能参数可以通过修改脉冲光束的目标性能参数来修改。方法可以进一步包括：接收脉冲光束的性能参数的测量；确定测得的性能参数与经修改的目标性能参数是否匹配；和如果确定测得的性能参数与经修改的目标性能参数不匹配，则向光源发送信号以修改脉冲光束的性能参数。晶片处的光束特性可以通过接收从光刻曝光装置到光源的控制信号；和基于接收到的控制信号确定晶片处的光束特性来接收。方法可以包括确定对脉冲光束的性能参数的修改。对脉冲光束的性能参数的修改可以通过访问作为晶片处的光束特性的函数的存储的一组性能参数；选择与当前晶片处的光束的接收到的特性对应的所访问的组内的性能参数的值；和将性能参数的所选择的值与脉冲光束的性能参数的当前值进行比较来确定。方法可以包括，如果性能参数的所选择的值与当前值不匹配，那么确定当前性能参数需要被调节以匹配所选择的值。针对特定光束特性的晶片的物理性质的确定值可以通过基于光束的接收到的特性来选择针对特定光束特性的晶片的物理性质的值来接收。晶片的物理性质的确定值可以通过接收在晶片处的一组光束特性处的晶片的一组测得的物理性质来接收。方法还可以包括：针对组中的晶片处的每个光束特性，基于测得的物理性质来确定脉冲光束的性能参数；和存储组内的每个光束特性处的所确定的性能参数。脉冲光束可以通过横跨晶片的场扫描脉冲光束横跨晶片来扫描，场是被曝光的晶片的总区域的一部分；并且光束的特性可以通过在横跨场的扫描期间接收特性来接收。脉冲光束的性能参数可以通过修改光谱特征、光谱特征的误差、脉冲光束的能量、脉冲光束的剂量、脉冲光束的波长中的误差、脉冲光束的带宽和脉冲光束的光谱形状中的一项或多项来修改。方法可以包括基于修改脉冲光束的性能参数来校正晶片处的图案化中的误差。晶片图案化中的误差可以在不修改光刻曝光装置的情况下被校正。晶片图案化中的误差可以在不修改光刻曝光装置内的光学特征或部件的情况下被校正。脉冲光束的性能参数可以通过修改脉冲光束的光谱特征来修改，并且方法可以包括每次接收到光束特性时生成光谱特征的估计。光束特性可以在晶片的每个场处被接收，场是被曝光的晶片的总区域的一部分并且是晶片的在曝光窗口的一次扫描中被曝光的那个区域。脉冲光束可以通过在脉冲对脉冲的基础上扰动脉冲光束的光谱形状而产生。脉冲光束的光谱形状可以通过使光束的每个脉冲的中心波长从基线波长以预定的重复图案偏移而在脉冲对脉冲的基础上被扰动。脉冲光束的性能参数可以通过修改光束的每个脉冲的中心波长从基线波长偏移的量来修改。方法还可以包括，在扫描晶片之前：测量在一个或多个先前曝光的晶片的每个曝光场处的扫描内的物理性质；和创建使针对横跨被曝光的整个晶片的每个曝光场的每个测得的物理性质与脉冲光束相关联的表格。物理性质的确定值可以通过接收来自创建的表格的针对当前曝光场的测得的物理性质来接收。光束特性可以通过接收晶片的曝光的开始的检测；和接收晶片的曝光的结束的检测来接收。在其他总体方面中，一种光刻系统包括：光源，其产生脉冲光束；一组光学部件，其将脉冲光束指向光刻曝光装置的晶片以由此利用脉冲光束对晶片进行曝光；在光刻曝光装置内的扫描光学系统，被配置成横跨晶片扫描脉冲光束；在光刻曝光装置内的监测模块，其输出在晶片的扫描期间在晶片处的脉冲光束的特性；关联模块，其接收针对在晶片处的一组脉冲光束特性的晶片的物理性质的一组测量值，并且基于接收到的确定值输出脉冲光束的目标性能参数与晶片处的脉冲光束特性之间的关联；性能参数模块，被连接至监测模块以接收晶片处的脉冲光束特性的输出，并被连接至关联模块以接收关联选配方案，并且被配置成基于接收到的光束特性和关联选配方案输出性能参数的值；和光源模块，被连接至性能参数模块以接收性能参数的输出值，并被连接至光源致动系统，光源致动系统致动光源的一个或多个物理特征以基于接收到的输出值修改光源的一个或多个性能参数。实施方式可以包括以下特征中的一个或多个。例如，光刻系统还可以包括量测模块，该量测模块包括：晶片保持器，其接收一个或多个晶片；和检测系统，其测量针对晶片处的每个光束特性的晶片的物理性质，并输出针对晶片处的每个光束特性的测得的物理性质。关联模块可以被连接以接收来自量测模块的输出并基于来自量测模块的输出创建关联选配方案。晶片处的光束特性可以包括脉冲光束的当它对晶片进行曝光时的位置。附图说明图1是包括光刻曝光装置和量测装置的光刻系统的框图；图2A是图1的系统的示例性光刻曝光装置的框图；图2B和图2C是示出了曝光期间的示例性步骤的图2A的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻方法，包括：指示光源产生脉冲光束；横跨光刻曝光装置的晶片扫描所述脉冲光束，以利用所述脉冲光束对所述晶片进行曝光；在横跨所述晶片的所述脉冲光束的扫描期间，接收所述晶片处的所述脉冲光束的特性；接收针对特定脉冲光束特性的晶片的物理性质的确定值；和基于扫描期间接收到的所述脉冲光束特性和所述物理性质的接收到的所述确定值，在横跨所述晶片的扫描期间修改所述脉冲光束的性能参数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.06.11 US 61/833,892;2014.06.04 US 14/295,5581.一种光刻方法，包括：
指示光源产生脉冲光束；
横跨光刻曝光装置的晶片扫描所述脉冲光束，以利用所述脉冲光
束对所述晶片进行曝光；
在横跨所述晶片的所述脉冲光束的扫描期间，接收所述晶片处的
所述脉冲光束的特性；
接收针对特定脉冲光束特性的晶片的物理性质的确定值；和
基于扫描期间接收到的所述脉冲光束特性和所述物理性质的接
收到的所述确定值，在横跨所述晶片的扫描期间修改所述脉冲光束的
性能参数。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述物理性质的所述确定值
包括所述晶片的所述物理性质中的误差。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述物理性质是以下项中的
一项或多项：形成在所述晶片上的特征的对比度、曝光于所述脉冲光
束的晶片区域处的临界尺寸、曝光于所述脉冲光束的晶片区域处的光
致抗蚀剂轮廓和曝光于所述脉冲光束的晶片区域处的侧壁角度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中接收针对特定光束特性的所
述晶片的所述物理性质的所述确定值包括：接收针对先前已经通过所
述光源的所述光束曝光的晶片上的一组光束特性的、先前曝光的晶片
的所述物理性质的一组确定值。
5.根据权利要求1所述的方法，其中在横跨所述晶片的所述脉冲
光束的扫描期间接收所述晶片处的所述光束的所述特性包括：接收所
述光束对所述晶片进行曝光所在的位置。
6.根据权利要求1所述的方法，其中在横跨所述晶片的所述脉冲
光束的扫描期间接收所述晶片处的所述光束的所述特性包括：接收所
述光束的当它对所述晶片进行曝光时的能量。
7.根据权利要求1所述的方法，其中修改所述脉冲光束的所述性

\t能参数包括修改所述脉冲光束的目标性能参数，所述方法进一步包
括：
接收所述脉冲光束的所述性能参数的测量；
确定测得的所述性能参数与经修改的所述目标性能参数是否匹
配；和
如果确定测得的所述性能参数与经修改的所述目标性能参数不
匹配，则向所述光源发送信号以修改所述脉冲光束的所述性能参数。
8.根据权利要求1所述的方法，其中接收所述晶片处的所述光束
特性包括：
接收从所述光刻曝光装置到所述光源的控制信号；和
基于接收到的所述控制信号确定所述晶片处的所述光束特性。
9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括确定对所述脉冲光束
的所述性能参数的修改。
10.根据权利要求9所述的方法，其中确定对所述脉冲光束的所
述性能参数的所述修改包括：
访问作为所述晶片处的光束特性的函数的存储的一组性能参数；
选择与当前晶片处的所述光束的接收到的所述特性对应的所访
问的组内的所述性能参数的值；和
将所述性能参数的所选择的值与所述脉冲光束的所述性能参数
的当前值进行比较。
11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括，如果所述性能参
数的所选择的值与所述当前值不匹配，那么确定所述当前性能参数需
要被调节以匹配所选择的值。
12.根据权利要求1所述的方法，其中接收针对所述特定光束特
性的所述晶片的所述物理性质的所述确定值包括：基于所述光束的接
收到的所述特性来选择针对所述特定光束特性的所述晶片的所述物
理性质的值。
13.根据权利要求10所述的方法，其中接收所述物理性质的所述
确定值包括：接收在晶片处的一组光束特性处的所述晶片的一组测得

\t的物理性质。
14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：
针对所述组中的所述晶片处的每个光束特性，基于测得的所述物
理性质来确定所述脉冲光束的性能参数；和
存储所述组内的每个光束特性处的所确定的性能参数。
15.根据权利要求1所述的方法，其中：
横跨所述晶片扫描所述脉冲光束包括横跨所述晶片的场扫描所
述脉冲光束，所述场是被曝光的所述晶片的总区域的一部分；和
接收所述光束的所述特性包括在横跨所述场的所述扫描期间接
收所...

【专利技术属性】
技术研发人员：I·拉洛维克，O·祖里塔，G·A·瑞克斯泰纳，P·阿拉格纳，S·赛，J·J·李，R·罗基斯基，江锐，
申请(专利权)人：西默有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US